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蔡田海; 韩文蔷; 傅琍琍;
机译:亚微米级硅(001)窗口中硅锗选择性外延生长的负载效应
机译:自组装亚微米级二氧化硅球在硅衬底上异质外延生长高质量GaN薄膜
机译:通过仅使用硅烷进行硅的选择性外延生长而实现的具有提高的源极/漏极结构的亚微米MOSFET的电应力
机译:亚微米多晶硅籽晶的低温外延生长铝诱导结晶在玻璃上形成的层
机译:亚微米硅CMOS电路与硅上砷化镓异质外延的兼容性。
机译:微米至亚微米特征尺寸的地形图钛和硅衬底上内皮细胞的比较响应
机译:在硅/ ZRB 2上外延生长金属原子薄层硅
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。
机译:覆盖层的应用可实现亚微米硅和多晶硅生产线的低硅化钛薄层电阻和均匀的硅化物厚度
机译:使用覆盖层获得低的钛硅化物薄层电阻和均匀的硅化物厚度,用于亚微米硅和多晶硅线
机译:薄层太阳能电池的制造方法,涉及外延生长在硅衬底的载体表面上具有正面和背面暴露的薄硅层。
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