一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管

摘要

＜正＞ 永川光电研究所去年研制成功了一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管,它采用了SiO2掩蔽的条形电极结构。在掺硅的N型GaAs单晶的＜100＞面上相继外延生长出N型AlxGal-xAs,P型AlyGal-yAs,P型AlxGal-xAs和P型GaAs四层外延层,所构成的双异质结来实现对光和载流子的纵向限制;在P型面上进行闭管Zn扩散,然后溅射出厚为0.4μm的SiO2层,光刻出宽度为60μm的电极引线条,这样来实现对光和载流子的横向限制。有源区掺硅的厚度为0.3μm左右。解理出的管芯的宽度对