退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
吝晓楠; 吴团庄; 许超奇; 李仁伟; 张仪; 薛璐洁; 陈淑娴; 林峰; 刘斯扬; 孙伟锋;
东南大学电子科学与工程学院;
东南大学微电子学院;
无锡华润上华科技有限公司;
横向双扩散场效应晶体管; 沟槽; 横向元胞尺寸; 击穿电压; 特征导通电阻;
机译:具有P / N柱的超低比导通电阻双栅沟槽SOI LDMOS
机译:通过模拟对超低特定导通电阻进行阶梯式分流门L-沟槽SOI LDMO的研究
机译:具有浮动侧场板的超低比导通电阻沟槽SOI LDMOS
机译:具有可变K介电沟槽的超低比导通电阻高压LDMOS
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:低关断损耗的4H-SiC沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真研究
机译:带有导通状态有源器件电阻效应的带并联电感的pHEMT E类放大器的分析与合成
机译:高电阻率砷化镓的表面场效应器件研究。第III部分:集成带通放大器研究
机译:能够优化浅沟槽隔离结构的导通电阻的LDMOS及其制造方法
机译:具有确定的导通特性的双深度沟槽栅控MOS晶闸管
机译:具有减小的导通电阻的功率LDMOS半导体器件及其制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。