San Jose State University.;
机译:二维电致伸缩场效应晶体管(2D-EFET):60mV /十倍以下陡峭斜率器件,具有高导通电流
机译:通过自适应带隙工程设计的新颖隧道FET设计,具有超过5个电流和高文本{I} _ {mathrm {ON}} / text {I} _ {mathrm {OFF}}比率的恒定亚阈值斜率
机译:栅电流和极化切换在金属铁电体HfZrO_2-金属-绝缘体-Si FET中低于60 mV /十年的陡峭亚阈值斜率中的作用
机译:在亚60mV / dec锗铁电纳米线FET中Hf
机译:带有悬浮的锗/硅芯/壳纳米线通道的接近零亚阈值摆幅的纳米机电磁场效应晶体管。
机译:二维电致伸缩场效应晶体管(2D-EFET):60mV /十倍以下陡峭斜率器件具有高导通电流
机译:优化铁电纳米线FET,用于子60mV /十年子阈值斜率