声明
第一章 绪 论
1.1 GeSn和GeBi薄膜的研究动机
1.2 GeSn和GeBi薄膜光电器件研究现状
1.3 GeSi、GeSn、GeBi和GeTe薄膜最新发展现状
1.4 P-Si/介质/石墨烯薄膜与CMOS器件技术
第二章 大尺寸半导体GeR薄膜的生长原理与方法
2.1 UHV/CVD方法生长GeSi、GeSn薄膜过程
2.2 分子束外延（MBE）生长GeSn、GeBi薄膜过程
2.3 半导体SiGe、GeSn和GeBi薄膜材料表征方法
第三章 外延生长SiGe/Si，Ge/Si和GeSn/Ge弛豫缓冲层薄膜研究
3.1低温生长GeSi超材料薄膜缓冲层理论模型及模拟设计
3.2. 外延生长SiGe/Si/Sub.薄膜微结构和弛豫性能分析
3.3 外延生长Ge/Si 薄膜微结构和弛豫性能
3.4 外延生长GeSn/Ge/Si sub薄膜微结构和弛豫性能
3.5 本章小结
第四章 GeSn半导体薄膜的MBE两步生长及双波段性能研究
4.1 不同Sn含量GeSn薄膜的MBE两步生长
4.2退火温度对GeSn单晶外延薄膜稳定性影响
4.3 衬底温度对高Sn含量超薄GeSn薄膜性能的影响
4.4 不同厚度对高Sn含量GeSn薄膜性能的影响
第五章 大尺寸GeBi半导体单晶薄膜生长及性能研究
5.1 MBE两步法外延生长n型GeBi半导体单晶薄膜
5.2 在低掺杂P型Si（100）衬底上MBE生长GeBi薄膜
5.3 在重掺杂p-型Si(100)衬底上外延超厚GeBi合金薄膜
第六章 GeBi和GeSn双波段集成器件及4英寸芯片技术
6.1 [n-GeSn/i-GeSn/p-Si]红外探测与太赫兹调制PIN器件研究
6.2 [p-Si/n-Ge1-xBix]型PN结探测与调制多功能器件研究
第七章 全文总结与展望
7.1 全文总结
7.2 展望
致谢
参考文献
攻读博士学位期间取得的成果
