声明
第一章 绪 论
1.1 功率半导体器件的发展
1.2 IGBT的发展历史与高速IGBT的研究现状
1.2.1 IGBT的发展历史
1.2.2 高速IGBT的研究现状
1.3本文主要工作及章节安排
第二章 IGBT基本原理
2.1 IGBT基本结构以及工作原理
2.2 IGBT的导通特性
2.3 IGBT的阻断特性
2.4 IGBT的开关特性
2.5 本章小结
第三章 具有电场加强单元的IGBT结构的电学特性
3.1 具有电场加强单元横向IGBT的结构及工作原理
3.1.1 器件基本结构
3.1.2 FE-LIGBT工作原理
3.2 FE-LIGBT的开关特性
3.3 FE-LIGBT的导通特性
3.4 FE-LIGBT的阻断特性
3.5 具有电场加强单元的纵向IGBT的结构及工作原理
3.5.1 器件基本结构
3.5.2 FE-VIGBT工作原理
3.6 FE-VIGBT的开关特性
3.7 FE-VIGBT的导通特性
3.8 FE-VIGBT的阻断特性
3.9 本章小结
第四章 具有电场加强单元的横向IGBT结构的工艺仿真
4.1 FE-LIGBT工艺流程
4.2 Tsuprem4与Medici联合仿真
4.2.1 开关特性
4.2.2 导通特性
4.2.3 耐压特性
4.3 版图设计
4.4 本章小结
第五章 总 结
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的成果