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丁少锋;
复旦大学;
Cu互连; 粘附层; 第一性原理; 扩散阻挡层; 籽晶增强层; 金属材料;
机译:用于铜互连的溅射TaSiN层中改善的阻挡层和粘附性
机译:用于铜互连的具有高扩散电阻的10nm厚(TiVCr)N多组分扩散阻挡层的特性
机译:在SiO_2上进行化学镍合金沉积,用作3D铜互连技术中的扩散阻挡层和种子层
机译:CMP和铜互连技术-掺杂和不同阻挡层(扩散/粘附)层的效果
机译:开发高级铜互连的替代扩散阻挡层。
机译:由(CeO2)0.95(Y2O3)0.05作为固体电解质层和(CeO2)0.75(ZrO2)0.25作为密集扩散阻挡层组成的极限电流氧传感器
机译:铜互连技术中扩散阻挡层的制备及热稳定性研究
机译:减少重掺杂Gaas的向外扩散:通过伪形态(x)Ga(1-x)作为阻挡层成为层
机译:扩散阻挡层在含铜互连元件上的粘附
机译:具有材料层和阻止扩散材料成分的扩散阻挡层的层构造以及用于制造扩散阻挡层的方法
机译:形成半导体器件的扩散阻挡层以改善金属互连和扩散阻挡层的粘附特性的方法
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