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王子艳; 周建伟; 王辰伟; 张佳洁; 张雪; 王超;
河北工业大学电子信息工程学院 天津 300130;
天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;
铜; 钌; 二氧化硅; 化学机械抛光; 硫酸铵; 2; 2′-{(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基亚氨基}双乙醇;
机译:超大规模集成电路中用于铜互连的SiCN扩散阻挡层的制备和性能
机译:ULSI铜互连中新型阻挡层的比较研究
机译:超薄氮化钒作为铜互连扩散阻挡层的研究
机译:研究钌阻挡层与铜互连的兼容性
机译:研究钌和氧化钌的电化学性质及其作为铜扩散阻挡层的应用。
机译:Mg / Fe LDH和异质结构化的LDH /水合金属材料去除铬酸盐和硫酸盐:单元素和多元素系统中吸附剂的效率选择性和稳定性
机译:铜互连技术中扩散阻挡层的制备及热稳定性研究
机译:酞菁钌(II),Hexakis(二甲基亚砜)酞菁钌(II)和Hexadis(二甲基亚砜-d6)酞菁 - 钌(II),三种高选择性NmR移位试剂。
机译:使用基于钌和铱及其氧化物的材料作为铜扩散阻挡层的方法以及包含该材料的集成电路
机译:用于铜互连的金属阻挡层,该阻挡层在金属阻挡层或铜/金属阻挡层界面中掺入了硅
机译:半导体集成电路器件的阻挡层材料的搜索方法,以及通过搜索方法搜索的半导体集成电路器件的阻挡层的材料
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