摘要
Abstract
引言
第一章 集成电路的短暂历程
第一节 集成电路的发展历程
第二节 促使集成电路产生的几项关键发明
第三节 我国集成电路的发展历史与面临的挑战
第四节 半导体存储器技术的发展
第五节 本轮的工作背景内容简介
第二章 半导体氧化工艺简介
第一节 氧化工艺原理概述
第二节 氧化工艺动力学
第三节 氧化工艺设备及加工过程
第四节 栅氧化层的特性
第五节 掺杂对栅氧化特性的影响
第三章 0.18EEPROM工艺流程结构
第一节 0.18EEPROM工艺流程
第二节 与传统LOGIC工艺流程的比较
第三节 TUN-OX程式的简单介绍
第四章 EEPROM工艺试验
第一节 现行EEPROM产品工艺遇到的问题
第二节 现行GOX品质在线监控方式简介
第三节 GOX品质在线监控原理
第四节 工艺差异的确定及试验方案的设计
第五节 试验结果及改进监控方式
第五章 结论与展望
第一节 结论DCE的流量变化极大地影响了VT的变化
第二节 展望 对于掺杂的氧化
参考文献
致谢
