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ガラスの研磨時における電位変化の評価

机译:评估抛光玻璃期间的潜在变化

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摘要

化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)は,超平滑を速やかに実現する現在の加工技術にとって不可欠となっている.一般に,CMPによる超平滑性の発現には研磨時における化学作用,すなわち化学研磨が極めて重要であることがよく知られている.しかし,その化学反応のメカニズムやその反応速度など,本質的なところで不明な点が多い。そのため,超平滑を速やかに実現するこの化学研磨の本質及び定量性が解明されていなことが,新規研磨材料の開発における阻害要因の最も大きなもののひとつと考えられる。
机译:化学机械抛光(CMP)对于电流加工技术至关重要,可快速实现超流畅。通常,众所周知,抛光时的化学,即化学抛光,对于CMP的高度表达极为重要。然而,性质中存在许多未知点,例如化学反应的机制及其反应速率。因此,认为这种化学抛光的本质和定量被迅速地实现,被认为是新抛光材料开发中最大的抑制因素之一。

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