Voltage-controlled oscillators; Phase noise; Couplings; Tuning; Temperature measurement; Robustness;
机译:使用幅度重新分配技术的28GHz,-187.4dBc / Hz-FOM_T低频噪声CMOS VCO
机译:使用脉冲注入技术的A-193(dBc / Hz)FoM和-126(dBc / Hz)相位噪声八角环形振荡器
机译:8-GHz,6.6-mW LC-VCO,具有较小的芯片面积和在1MHz偏移下的FOM为204dBc / Hz
机译:具有1MHz偏移时的−124dBc / Hz相位噪声,−189dBc / Hz FOM的四核15GHz BiCMOS VCO,对多模并发振荡具有鲁棒性
机译:具有191 dBc / Hz Fom和长期可靠性的超低相位噪声级-F2 CmOs振荡器