机译:使用厚靶法测量Fe,Ni和Zn的K-壳电离横截面7-29KeV电子冲击
机译:通过100 keV / u质子,C,N,O离子测量_(79)Au,_(82)Pb和_(83)Bi的线分辨M壳X射线产生截面
机译:质子引起的natMo(p,xn)(94g,95m,95g,96(m + g))Tc核反应的薄靶激发函数,截面和优化的厚靶产率从阈值到44 MeV。无载体添加放射化学分离和质量控制
机译:M-Shell电离横截面在TM上进行75-300keV质子,使用厚薄靶
机译:0.4和铀M壳X射线产生的横截面,用于0.4–4.0 MeV质子,0.4–6.0 MeV氦离子,4.5–11.3 mev碳离子和4.5–13.5 MeV氧离子
机译:在钽靶中产生的铽菌放射性核苷酸的生产横截面测量诱导0.3-1.7 gev质子和相应的厚靶产率计算
机译:具有75 keV质子的碰撞中单电离的全差异截面的理论研究