Department of Electrical Engineering, University of California, Riverside, California 92521;
Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180,Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021 Russia;
Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180;
Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180;
Department of Electrical Engineering, University of California, Riverside, California 92521;
机译:栅介电材料对不同沟道长度的弹道肖特基势垒石墨烯纳米带场效应晶体管和碳纳米管场效应晶体管电流-电压特性的依赖性
机译:石墨烯场效应晶体管中沟道迁移率和器件性能对栅堆叠的影响的仿真研究
机译:石墨烯场效应晶体管中沟道迁移率和器件性能对栅堆叠的影响的仿真研究
机译:石墨烯场效应晶体管中的1 / f噪声:依赖于设备通道区域
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:电流拥挤介导的石墨烯场效应晶体管中的大接触噪声
机译:与石墨烯电极接触的石墨烯纳米带场效应晶体管器件的高光响应性