基于半导体纳米结构的太赫兹波辐射与探测理论研究

摘要

这篇文章包括两个研究内容.在第一个内容中,通过计算量子环的光子参与的隧穿输运电流研究了实际GaAs量子环磁场调制的太赫兹吸收谱.研究发现,光子的吸收可以导致环隧穿电流的突然降低,并且表现为电流岁磁场变化谱线上高分变的dip.根据这一原理提出了磁场调制的THz探测方案.在另一部分内容中,发现通过调节源量子点间的耦合参数,可使得耦合量子点产生的高次谐波由仅奇数次变为奇偶次同在.利用Floquet定理,揭示了多能级系统高次谐波辐射的规律.根据这一发现,提出了利用GHz波驱动不对称的耦合量子点结构产生奇偶次THz谐波波的辐射,进而实现宽频THz源.