首页> 中文期刊> 《西安理工大学学报》 >GaP晶体辐射太赫兹波物理机制的理论研究

GaP晶体辐射太赫兹波物理机制的理论研究

         

摘要

基于耦合场量子的角度研究GaP晶体辐射太赫兹波的物理机制,报道了一种分析非线性光学晶体产生太赫兹波的方法.GaP晶体产生太赫兹波的物理基础在于它的耦合场量子色散曲线.采用了密度泛函理论,并结合耦合量子色散关系,得到GaP晶体的耦合场量子色散曲线.当散射角为2°~11°时,色散曲线的一部分落在太赫兹频段(2.5~9.1THz),表明了GaP晶体在理论上能够辐射出频率范围为2.5~9.1THz的宽带太赫兹电磁波.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号