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栅介质刻蚀对顶栅自对准a-IGZO TFTs特性的影响

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摘要

本工作研究了栅介质刻蚀对顶栅自对准非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)的器件特性的影响.不刻蚀栅介质的器件比刻蚀栅介质的器件更难形成高导的源漏区域,其寄生电阻更大,开态电流更低.但不刻蚀栅介质的器件栅泄漏电流较小,并且在热退火后开态电流增大,而刻蚀栅介质的器件在热退火后特性明显退化.

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来源
《2018中国显示学术会议》|2018年|262-267|共6页
会议地点西安
作者
PENG Hao; 彭昊; FU Haishi; 付海时; ZHANG Shengdong; 张盛东;
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作者单位

中国物理学会;

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN321.5:TN305.7;
关键词
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管; 顶栅自对准; 栅介质刻蚀; 开态电流;

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