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匡潜玮; 刘红侠; 樊继斌; 马飞; 张言雷;
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
陕西西安710071;
高k栅介质; 二氧化铪; 原子层淀积; 生长温度; 氧化层缺陷;
机译:Si衬底的远程等离子体预氧化对ALD沉积HfO_2栅极电介质特性的影响
机译:退火温度对MIM电容器ALD沉积HfO_2特性的影响
机译:沉积后退火对HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠MIS结构电学特性的影响
机译:含ALD氧化锆的最佳掺杂的哈菲娜栅介质的MOS晶体管栅叠层材料性能和可靠性特性的比较研究
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:高k高分子栅介质中氢键限制偶极子紊乱对OFET中载流子传输的影响
机译:煅烧温度对Forsterit-碳复合材料特性的影响是氩气介质中的易用性
机译:高应变率下金属的塑性变形。第一部分温度对1100-0铝合金扭转静态和动态应力 - 应变特性的影响。
机译:用于电化学汽相淀积的原始材料汽化器,电化学汽相淀积装置和使用该装置的固态电解膜形成方法
机译:带有淀积物的电影摄影机对于两个膜片的光圈来说是狭窄的,并且通过影响方向来提供电动摄影机驱动器
机译:抗蚀剂膜形成装置和方法,导电膜形成和电路形成装置和方法,电磁波屏蔽板形成装置和方法,短波高透射率绝缘膜沉积装置和方法,磷淀积装置和方法
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