强电磁脉冲作用下GaNHEMT损伤效应研究

摘要

结合典型的AlGaN/GaN HEMT(high electron mobility transistor,高电子迁移率晶体管)结构,分析了其在强电磁脉冲(EMP)注入下的损伤效应.对烧毁时刻内部电流和电场分布进行分析.结果表明,栅极靠近源端的柱面处是由于热积累最容易毁伤的部位.总结了注入电压幅度对烧毁时间的影响.