一种有效的4H-SiC BJT结终端设计

摘要

提出一种离子注入结终端扩展(JTE)和辅助环(Assistant Rings,AR)相结合的终端结构,其在传统的JTE结构周围加入等剂量的类保护环结构,仿真结果显示该结构能更好的调制器件边缘和耐压层之间的电场分布.通过优化注入剂量以及辅助环的间距与宽度,在集电区掺杂浓度为l×1015cm-3、厚度为10μmn的碳化硅双极型晶体管上实现了BVCEO为1573V的击穿电压,达到一维理想击穿电压值的83％,并提出了器件在不同电压应用范围下该结构的设计规则.