基于体硅外延工艺的600V浮栅驱动芯片

摘要

本文基于600V体硅外延BCD工艺,完成了一款浮栅驱动芯片的设计.为了增强隔离结构的可靠性,本文提出了一种新型的P型阱、N型阱交替排列的隔离结构,该隔离结构耐压为740V,相对于传统结构增加了7％,当LDMOS漏端电位大于1V,且漏端与高侧电压差为15V时的漏电远小于lμA,满足芯片应用要求.此外,为了增强浮栅驱动电路的抗噪性能,提出了一种新型的抗dV/dt噪声电路,相比于使用滤波宽度为70ns滤波电路的传统栅驱动芯片,抗dV/dt噪声能力从约30V/ns提升至70V/ns以上.