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Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ隧道电子注入对Ａｒ－Ｏ＃-2热生长Ｓｉ＃-2薄膜陷阱的影响

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来源
《第四届全国固体薄膜学术会议》|1994年|141-142|共2页
会议地点北戴河
作者
许铭真; 谭长华;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
氧化硅; 薄膜生长; 电子束注入; 陷阱; 氩;

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