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解冰;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:研究MOS结构薄SiO_2层中体陷阱动态参数的新方法
机译:瞬态电容光谱法研究具有Ge纳米晶体的Si-SiO_2结构中的界面和边界陷阱弛豫
机译:高频电容和电导法分析Au / sio_2 / n-si(mos)电容器的电气特性
机译:在Fowler-Nordheim隧穿注入条件下表征薄氧化物MOS结构中强反型高频电容的统一模型
机译:使用MOSFET结构的三端电容测量进行陷阱研究
机译:5 MeV质子辐射对氮化SiO2 / 4H-SiC MOS电容的影响及相关机制
机译:快速50meV Li 3+离子辐照Ni / siO2 / si mOs电容器中陷阱参数的DLTs和原位C-V分析
机译:高频mOs电容 - 电压特性对氧化物电荷不均匀性对快速表面态密度影响的实验观察。
机译:电容式反陷阱系统的控制方法和反陷阱系统
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