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傅雄强;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:重掺杂多晶硅的电阻率和电阻率温度系数的物理模型
机译:Al掺杂的p型4H-SiC外延层中受主能级和空穴迁移率对受主密度和温度的影响
机译:硅掺杂的p型和n型Al_xGa_(1-x)As外延层,用于(311)A图案化衬底上的高密度横向结LED阵列
机译:硅掺杂的p型和n型Al / sub x / Ga / sub 1-x / As外延层,用于(311)A图案化衬底上的高密度横向结LED阵列
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:集成低电容二极管的掺砷高电阻率硅外延层
机译:用于集成低电容二极管的砷掺杂高电阻率硅外延层
机译:硼掺杂硅中空穴迁移率,有效质量和电阻率的温度和掺杂浓度依赖性的理论和实验研究
机译:双极晶体管包括用于高频操作的硅层,第一类型的硅外延层,硅锗外延层和第二类型的硅外延层
机译:控制高电阻率In型化合物III-V族外延层中掺入掺杂剂的方法
机译:外延层的掺杂剂浓度的测量方法以及使用该方法的外延层的电阻率的测量方法
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