首页> 中文会议>第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 >确定有效少子体产生寿命与表面产生速度的新途径

确定有效少子体产生寿命与表面产生速度的新途径

摘要

该文阐述了产生宽度相关的表面产生因素对Zerbst模型的影响,解释了少子产生速率在接近平衡处的非线性现象,并且在现有模型的基础上,应用弛豫谱分析方法得到了有效体产生寿命和表面产生速度。

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