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金晓军;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:超高真空化学气相沉积法在弛豫Si_(1-x)Ge_x上生长应变Si和Ge异质结构
机译:通过超高真空化学气相沉积在Si(100)上生长高质量Ge外延层的超薄低温SiGe缓冲液
机译:三英寸Si晶片上的超高真空化学气相沉积系统和Si,GESI外延
机译:使用薄的低温Si {Sub}高速选择性区域外延Ge-On-SOI引脚光检测器0.8Ge {Sub} 0.2通过超高真空化学气相沉积进行缓冲
机译:通过超高真空化学气相沉积的原子平Si / SiGe异质结构的生长
机译:通过超高真空化学气相沉积法生长的Si / SiGe量子阱中的阱间耦合效应
机译:低温锗籽晶层对超高真空化学气相沉积在Si(100)上高质量Ge外延层生长的影响
机译:通过湿法氧化沉积在si(100)上的非晶siGe层产生的外延si(1-X)GE(x)薄膜的形成
机译:使用超高真空化学气相沉积技术和其中使用的间歇式超高真空化学气相沉积装置选择性地形成外延半导体层的方法
机译:利用分子束外延在Si上外延生长Ge x Si 1-x层的方法
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
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