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准连续140w半导体激光器线阵列

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摘要

采用MOCVD折射率渐变量子阱外延材料,外延层挖槽隔离和铬金金属化工艺,腔面镀以增透和高反膜,研制出了1cm长线阵列,在准连续(QCW)条件下输出功率达140W,近场图形完好,远场图分布对称,在100W输出功率下可以实用.

著录项

来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|482-485|共4页
会议地点厦门
作者
安振峰;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体激光器;
关键词
半导体激光器; 泵浦技术; 结构设计; 制作工艺;

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