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Ga(In)NAs/GaAs长波长光电子材料与器件的研究

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摘要

GaAs基的GaInNAs材料及器件的研究是当前光电子领域前沿热门课题.本文将报道采用VG80H MKII MBE系统,在GaAs(100)衬底上生长高质量的GaNAs和GaInNAs量子阱结构材料和器件的研究结果.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|446-448|共3页
会议地点厦门
作者
林耀望; 潘钟; 吴荣汉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光电器件、光电管;
关键词
光电子材料; 光电子器件; 量子阱激光器; 砷化镓;

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