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王延锋; 孙海峰; 刘新宇; 和致经; 吴德馨;
中国电子学会;
InGaP/GaAs HBT; 自对准工艺; 跨阻放大器; 电路设计;
机译:AlGaAs / InGaAs掺杂沟道FET改善了跨阻放大器的电压增益
机译:使用InGaP / InGaAs增强模式PHEMT技术的分布式跨阻抗放大器
机译:GBP / P / sub dc /为7.2 GHz / mW的低功率InP / GaAsSb / InP DHBT共源共栅跨阻放大器
机译:具有级联结构的InGaP / GaAs HBT跨阻放大器,用于10Gbps光通信
机译:GaP和GaAsP上的应变平衡InGaP / InGaP多量子阱电吸收调制器。
机译:基于98dBΩ可调带宽跨阻放大器和Lamé模式谐振器的SubmW 18MHz MEMS振荡器
机译:一种采用低成本GaAs技术的高速光传输高增益带宽产品分布式跨阻放大器IC。
机译:用于2.4 GHz低功耗微波放大器和RFIC的自对准Gaas JFET;电子信件
机译:电容反馈gaas-跨阻放大器。
机译:跨阻放大器电路,相关集成电路,接收器电路以及操作跨阻放大器电路的方法
机译:具有跨阻放大器电路的方法和系统,该跨阻放大器电路具有用于监视光接收器电路的差分电流监视装置
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