光电元件飞秒激光损伤的实验研究

摘要

对不同能量密度飞秒激光辐照下光电元件的信号饱和时间进行了实验测量,并对光电元件的损伤进行了观测.实验表明,飞秒激光对硅器件的失效阈值在10TW/cm<'2>量级,红外InGaAs的失效阈值约10GW/cm<'2>,商用CCD线阵的失效阈值仅57MW/cm<'2>.硅器件的饱和时间最大约0.4ms,飞秒激光对光电元件的作用主要是损伤失效.