PbSc0.5Ta0.5O3铁电薄膜制备及微结构分析

摘要

以Pb(OOCCH3)2·3H2O、Sc(OOCCH3)3·XH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,乙二醇甲醚为溶剂,用Sol-Gel方法在Pt/Ti/SO2/Si(100)基片上成功地制备出厚度迭1.5μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)铁电薄膜.对(220)主晶向生长的PST薄膜分别在10～20min、650～800℃范围内进行热处理,结果表明:热处理温度在750℃时,PST薄膜转变为较为完整的ABO3型钙钛矿晶相结构,更高的温度将提高晶粒在(220)方向的取向度.实验发现,最佳热处理条件应为750℃×15min,该条件下制备的PST铁电薄膜呈蓝黑色,表面光亮。