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朱长纯; 商世广;
中国电子学会;
ITO薄膜; 直流磁控溅射; 方块电阻; 低温等离子退火; 等离子体处理;
机译:CdCl 2 sub>气氛下的后退火对直流磁控溅射沉积ITO薄膜性能的影响
机译:CdCl_2气氛下的后退火对直流磁控溅射沉积ITO薄膜性能的影响
机译:直流磁控溅射和原位退火生长Ge薄膜的微观结构和光学性质的研究
机译:直流磁控溅射沉积ITO / Ag / ITO多层薄膜的光学和电学性质
机译:利用低温等离子体工艺制备离子导电薄膜的研究
机译:快速热退火用于射频磁控溅射沉积的高质量ITO薄膜
机译:直流磁控溅射生长Zn₁₋xCdxO薄膜退火时相变和成分涨落的光学和结构研究
机译:反应直流磁控溅射合成混合价铼氧化物薄膜的光化学性质。
机译:RF叠加直流磁控溅射沉积超薄ITO:Ce膜,膜的制备方法和包括其的触摸屏
机译:能够处理聚四氟乙烯带的触摸屏的ITO膜的退火设备和具有间隔的ITO膜的退火设备
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