标准CMOS工艺下59.2ppm/℃,16MHz片上振荡电路设计

摘要

基于标准CMOS0.18m工艺,该文设计了一款16MHz高稳定度片上振荡电路,用于产生芯片系统的基准时钟.设计中利用了PN结正向导通时的负温度系数对振荡电路延时单元进行补偿,实现了输出振荡频率在较宽温度范围内的高稳定性.测试结果表明,所设计振荡电路产生信号的平均周期为62.506ns,对应的标准方差为27.85ps.当温度在25℃～120℃范围内变化时,该电路输出信号的频率变化小于0.56％,频率随温度的变化率为59.2ppm/℃.