双极性晶体管

摘要： 利用紫外曝光光刻技术和精简的半导体加工工艺,用一步光刻制备了以HfO2为高κ栅介质,NiGe为肖特基源、漏极的Ge-pMOSFET器件,并在栅极中引入厚度1nm的Si层对HfO2和Ge接触界面进行了钝化处理.器件的电学特性测试结果表明,Si钝化效果显著,不仅可确保HfO2有较高的κ值(22),约为钝化前(x=10)的两倍,还提高了器件的开启速度和开关比;器件亚阈值摆幅降低为钝化前的50％,开关比从钝化前的105提高至770,提高了约7倍,表明Si钝化是提高器件性能的关键.探讨了Ge-pMOSFET器件呈现双极性的原因,认为肖特基源、漏极在正向栅压下易击穿是导致该现象的主要因素.

摘要： 脉冲发生器是UWB通信中的核心部件之一.为了满足超宽带通信的需求,文中基于双极性晶体管设计了一种可用于OOK调制的低成本超宽带脉冲发生器.电路包括脉冲整形电路和振荡器电路两部分,触发脉冲经脉冲整形电路转换为一个窄脉冲,并输出至振荡器电路的控制级,用于控制振荡.实测结果表明,脉冲幅度达到约2.4V,脉冲频谱中心频率为4 GHz,10 dB带宽可达1.1 GHz.

摘要： 使用LTspice仿真,验证双极型晶体管电路的静态工作点、 放大倍数、 输入电阻、 输出电阻、 输入和输出电压的计算数值,观察波形,能够实现抽象器件的具体化、 估算模型结果的精确化.分析了软件仿真与近似估算之间的误差的产生原因,并从数据上做了验证.根据器件模型,讨论了参数调整的方法,实现了更好的数据匹配.基于免费的工具,得到工业级软件的仿真结果,有助于电子电路的进一步学习、 分析和设计.

摘要： Mentor Graphics公司日前宣布推出全新的MicReD Power Tester 600A产品,其在功率循环中能测试电动和混合动力车(EV/HEV)的功率半导体器件的可靠性。借助MicReD Power Tester 600A产品,EV/HEV研发和可靠性工程师能测试功率半导体器件(如绝缘栅双极性晶体管IGBT、MOSFET、晶体管以及充电器),以便检查对完成任务来说至关重要的热可靠性和生命

摘要： 对半导体开关在这种超限条件下的单次使用情况进行了研究,尤其对级联状态多次试验.试验结果显示,额定电流为30 mA的半导体开关可以实现单次放电电流达到10 kA的稳定放电.通过对放电过程进行分析发现,开关从导通至最终损坏经过了一个比较复杂的物理过程,电路拓扑结构及其开关安装位置都将会对输出性能产生影响.

摘要： 正恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款采用5mm×6mm×1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60V和100V低饱和晶体管构成,集极电流最高为3A(IC),峰值集极电流(ICM)最高为8A。新型晶体管的功耗为3W(Ptot),VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装(如DPAK)的双极性晶体管,其占用面积也减少了一半。

摘要： 虽然场效应晶体管（FET，以下简称“场管”）面世的时间（1962年）比双极性晶体管（BJT）只是略晚一些，但在音频放大器中的应用始终没有成为主流，尤其是在功放中。场管在功放中的应用，功率MOSFET（金属一氧化物一半导体场效应管，简称绝缘栅场效应管）又是绝对的主流，功率JFET（结型场效应管）的应用则可以用凤毛麟角来形容，在工业应用领域中也是大致相同的情况。日本的DigitalDoMain算是这少之又少中的一个，当然也不是独此一家，见表l。

摘要： 恩智浦半导体扩大了其超小型分立式薄型无引脚封装DFNl006B-3（SOT883B）的晶体管产品阵容。目前，恩智浦提供60款双极性晶体管（BJT）和12款小信号单NIP沟道MOSFET产品，均采用1mm×0．6mmX0．37mmDFN塑料SMD封装。

摘要： 由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接的能源节省。降低的低功率损耗同样是有益的,可以减小系统体积,并增加像在混合动力及电动汽车领域的市场渗透。

摘要： 随着开关电源技术的不断成熟,在电视发射领域得到了广泛的应用.其体积小、效率高、电磁污染小、可靠性高等特点得到广泛认可.在发射机激励器开关电源实际应用中,其纹波的产生干扰了电视发射播出质量.针对这一问题,以下通过对纹波产生的机理来从几个方面进行解决.

摘要： 设计了一种超宽带高斯脉冲发生器，此脉冲发生器主要元件是SRD(Step Recovery Diode).肖特基二极管，双极性晶体管和微带线。利用SRD元件强烈的非线性作用，产生亚纳秒级的脉冲。肖特基二极管主要用于整形，减小脉冲的振铃。利用微带线，将脉冲变换成为单脉冲。利用ADS软件对阶跃恢复二极管进行建模，并用其进行脉冲发生器的设计。仿真结果可以看出该脉冲脉宽很短，脉冲幅值较高。

摘要： 本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在1c=10Ma,Vce-2v时,fT和fMAX分别为60、75GHz,电流密度为100KA/cm2,击穿电压>3v；跨阻放大器的跨阻增益为58dBQ、灵敏度为-23dBm、3dB带宽为8.2GHz.该单片跨阻放大器可广泛的应用于光纤通讯。

摘要： 本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在1c=10Ma,Vce-2v时,fT和fMAX分别为60、75GHz,电流密度为100KA/cm2,击穿电压>3v；跨阻放大器的跨阻增益为58dBQ、灵敏度为-23dBm、3dB带宽为8.2GHz.该单片跨阻放大器可广泛的应用于光纤通讯。

摘要： 本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在1c=10Ma,Vce-2v时,fT和fMAX分别为60、75GHz,电流密度为100KA/cm2,击穿电压>3v；跨阻放大器的跨阻增益为58dBQ、灵敏度为-23dBm、3dB带宽为8.2GHz.该单片跨阻放大器可广泛的应用于光纤通讯。

摘要： 本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在1c=10Ma,Vce-2v时,fT和fMAX分别为60、75GHz,电流密度为100KA/cm2,击穿电压>3v；跨阻放大器的跨阻增益为58dBQ、灵敏度为-23dBm、3dB带宽为8.2GHz.该单片跨阻放大器可广泛的应用于光纤通讯。

摘要： 本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在1c=10Ma,Vce-2v时,fT和fMAX分别为60、75GHz,电流密度为100KA/cm2,击穿电压>3v；跨阻放大器的跨阻增益为58dBQ、灵敏度为-23dBm、3dB带宽为8.2GHz.该单片跨阻放大器可广泛的应用于光纤通讯。

摘要： 本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在1c=10Ma,Vce-2v时,fT和fMAX分别为60、75GHz,电流密度为100KA/cm2,击穿电压>3v；跨阻放大器的跨阻增益为58dBQ、灵敏度为-23dBm、3dB带宽为8.2GHz.该单片跨阻放大器可广泛的应用于光纤通讯。

摘要： 本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在1c=10Ma,Vce-2v时,fT和fMAX分别为60、75GHz,电流密度为100KA/cm2,击穿电压>3v；跨阻放大器的跨阻增益为58dBQ、灵敏度为-23dBm、3dB带宽为8.2GHz.该单片跨阻放大器可广泛的应用于光纤通讯。

摘要： 以中电集团第二十四研究所0.8um模拟BiCMOS工艺为背景,介绍了在BiCMOS工艺中高速双极型晶体管结构设计和工艺集成所涉及的主要问题与优化策略。通过对器件结构和工艺的优化,在0.8um BiCMOS工艺中集成的NPN管有效基区宽度小于100 nm,f1>16 GHz,fmax>35 GHz,并对工艺流程和器件参数进行了说明和分析。

摘要： 以中电集团第二十四研究所0.8um模拟BiCMOS工艺为背景,介绍了在BiCMOS工艺中高速双极型晶体管结构设计和工艺集成所涉及的主要问题与优化策略。通过对器件结构和工艺的优化,在0.8um BiCMOS工艺中集成的NPN管有效基区宽度小于100 nm,f1>16 GHz,fmax>35 GHz,并对工艺流程和器件参数进行了说明和分析。

摘要： 一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的双栅隧穿场效应晶体管中，第一沟道区氧化层覆盖沟道区上表面部分区域，第二沟道区氧化层覆盖沟道区下表面部分区域，第一漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第一沟道区氧化层覆盖的沟道区上表面和部分漏区上表面，第二漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第二沟道区氧化层覆盖的沟道区下表面和部分漏区下表面，且第一漏区氧化层的厚度大于第一沟道区氧化层，第二漏区氧化层的厚度大于第二沟道区氧化层。该双栅隧穿场效应晶体管在不影响器件的开态电流的前提下，有效地抑制了器件的双极性电流，保证器件具有较好的开关特性，可应用于大规模集成电路中。

摘要： 一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的双栅隧穿场效应晶体管中，第一沟道区氧化层覆盖沟道区上表面部分区域，第二沟道区氧化层覆盖沟道区下表面部分区域，第一漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第一沟道区氧化层覆盖的沟道区上表面和部分漏区上表面，第二漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第二沟道区氧化层覆盖的沟道区下表面和部分漏区下表面，且第一漏区氧化层的厚度大于第一沟道区氧化层，第二漏区氧化层的厚度大于第二沟道区氧化层。该双栅隧穿场效应晶体管在不影响器件的开态电流的前提下，有效地抑制了器件的双极性电流，保证器件具有较好的开关特性，可应用于大规模集成电路中。

摘要： 本公开提供双极性接面晶体管结构及其制造方法。双极性接面晶体管结构包括一半导体基底、一集极区、一基极区、一射极区、一环状浅沟槽隔离区以及一基极介电层。集极区形成在半导体基底。基极区形成在集极区之上。射极区形成在基极区之上。环状浅沟槽隔离区形成在半导体基底。基极介电层形成在集极区之上并在基极区的相对侧。基极介电层被环状浅沟槽隔离区的一内侧壁所包围。

摘要： 本发明为一种具有低能耗的双极性突触晶体管及其制备方法。该晶体管的结构为：衬底上为半导体层，半导体层的两端是电极，电极之间的半导体层上，覆盖有离子胶层；所述半导体层由下到上依次为MoS2薄膜、h‑BN薄膜、P3HT/PEO纳米线阵列；制备方法为在h‑BN/MoS2层上打印PEO/P3HT有机纳米线阵列作为p型沟道，其丰富的离子陷阱态为空穴诱导的电流提供相对长程可塑性。本发明通过引入低维材料，实现了对器件能耗的优化，器件单次突触活动触发的能耗低至2.82fJ。

摘要： 本发明提供一种即使产生杂质浓度的制造误差，通态电压也不易产生误差的绝缘栅双极性晶体管及绝缘栅双极性晶体管的制造方法。一种在第2导电型的体区内形成有第1导电型的浮置区的垂直型绝缘栅双极性晶体管，其中，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布。

摘要： 本发明提供一种即使产生杂质浓度的制造误差，通态电压也不易产生误差的绝缘栅双极性晶体管及绝缘栅双极性晶体管的制造方法。一种在第2导电型的体区内形成有第1导电型的浮置区的垂直型绝缘栅双极性晶体管，其中，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布。

摘要： 本发明涉及晶体管技术领域，具体来说是一种双极性晶体管和场效应晶体管的整合结构及其制备方法，采用一磊晶层结构进行制备，而后通过蚀刻在所述的基板上分别定义出双极性晶体管区域和场效应晶体管区域。本发明同现有技术相比，其优点在于：本发明不但可以提高组件或电路的工作效率，还可以可降低组件制作上的成本，提高两种晶体管散热的效率，在相同的氮化镓磊晶层上，能同时制作出异质接面双极性晶体管与增强式高电子移导率晶体管，简化了制备工艺并降低了制备成本，且优选地，两种晶体管都具有背沟槽与背金属的设计，利用背沟槽与背金属之设计改善电流路径并提高两种晶体管的散热效率。

摘要： 本发明公开了一种双极性晶体管像素电路，包括双极性晶体管、二极管检测器、快门电路以及存储电容。双极性晶体管耦接于二极管检测器、快门电路以及参考接地水平。二极管检测器耦接于双极性晶体管的基极以及参考接地水平，基于入射于二极管检测器的光强度产生基极电流。快门电路耦接于双极性晶体管，用来根据快门信号控制曝光时间。存储电容耦接于快门电路与可调整接地水平，可调整接地水平不同于参考接地水平，存储电路用来储存所捕捉的图像数据，可调整接地水平于曝光时间期间被推升高于参考接地水平一次或多次。双极性晶体管像素单元的图像对比度可以被大幅地提升，具有较佳图像质量，被应用于光学追踪时具有较佳的追踪效能表现。

摘要： 本发明公开一种双闸极沟槽式绝缘闸双极性晶体管器件，其位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有依次连接的重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区，所述重掺杂P型源极区位于第二沟槽的周边；P型掺杂阱层中部和上部分别设置有N型掺杂阱层、P型掺杂基区层，重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区均位于P型掺杂基区层的上部。本发明晶体管器件具有很低的VCE饱和电压，降低了功率效能的损失，在器件导通状态下，实现了非常低的导通电压和更快开启，在器件断开状态下，使器件能更快速关断。

摘要： 本发明公开了一种双极性晶体管及逻辑器件，通过引入摩擦纳米发电机，将摩擦纳米发电机与双极性晶体管组件相结合，可以通过摩擦纳米发电机向栅极传输电信号，以调节沟道层中载流子的种类，实现双极性晶体管和逻辑器件的功能；如此，可以替代目前技术中通过外加电源向栅极施加电压，易于制作与集成，同时还可以实现外部环境与电子器件的结合和交互。