双极型

摘要： 基于开关电容的倍压器又称为电荷泵,设计将电荷泵集成到一颗芯片中。该芯片能够在4 V至20 V的输入范围内工作,并提供7 V至38 V的输出,提供超过10 mA的输出电流。电路采用电荷泵结构实现倍压,该电路的特点是无需电感,就可实现对输入电压的倍增,消除了电磁干扰的影响。空载情况下电源电流最大不超过12 mA。另外该电路采用双极型工艺制造,不易发生闩锁。

摘要： 青藏高原中东部夏季降水主要表现为东北和东南反位相变化的双极型特征。采用经验正交函数(empirical orthogonal function,EOF)分解方法,系统性地评估参与第五次耦合模式比较计划(Coupled Model Intercomparison Project Phase 5,CMIP5)历史模拟试验的47个模式对青藏高原中东部夏季降水双极型变化特征的模拟能力。结果表明,大多数模式基本可以反映青藏高原中东部夏季降水东北部和东南部反位相的变化特征。模式间EOF分析结果表明在35°N以南的东西向模拟偏差是CMIP5模式模拟降水空间型态的主要偏差,且大多数模式对时间系数的模拟效果差于空间型态。文中定义了一个综合评估指标Snew来定量描述模式对空间型态、时间系数以及方差贡献的综合模拟效果。由定量评估结果来看,MIROC-ESM、HadGEM2-CC和ACCESS1-0(FIO-ESM、HadGEM2-AO和MIROC-ESM-CHEM)模式对观测降水的EOF1(EOF2)模态的综合模拟能力相对较好,而GISS系列模式、CESM1-CAM5和MPI-ESM-LR(CMCC-CESM、MPI-ESM-MR和GFDL-CM3)模式对观测降水的EOF1(EOF2)模态的综合模拟效果较差。由EOF1和EOF2的综合评估结果来看,MIROC-ESM-CHEM模式对观测降水的EOF1和EOF2模态的综合模拟效果最好。

摘要： 阐述IGBT结构体的优化,IGBT芯片技术的展望。探讨IGBT的结构直接决定了芯片的性能,IGBT的结构优化包括体区、集电结、表面结构。

摘要： 全球知名半导体制造商RO H M(总部位于日本京都市)推出非常适用于F A和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOS-FET1/2产品,其中包括支持24V输人电压的-40V和-60V耐压单极型“RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5系列”。

摘要： 双极直流微电网正、负极直流负荷的变化会导致直流母线电压偏离额定值,使正、负极电压出现不平衡,由此产生的不平衡电流还会增加网络损耗.为协调不同分布式电源参与直流微电网的不平衡电压控制,控制电压不平衡度在合理范围内或某一限定值,保证系统的稳定运行,该文以电压下垂控制作为一次控制,再基于一致性理论和电压不平衡度与正、负极电压之间的函数关系,建立不平衡电压观测器和不平衡度控制器,设计集成母线平均电压和不平衡度的一致性控制的二次控制,以形成双极直流微电网的不平衡电压分布式协同控制,实现极间电压不平衡度趋于一致和母线平均电压维持在额定值.该文分析了该控制策略下双极直流微电网的稳定性,在Matlab/Simulink中搭建了仿真模型,并搭建实验平台,验证了该文控制策略的有效性.

摘要： 众多电源系统正在从硅(Si)技术向碳化硅(SiC)技术转变。这将是自20世纪80年代双极型半导体向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)转变以来,功率半导体行业经历的最大变革。这种转变发生的同时。许多受其影响的产业也正在经历着不同寻常的全面变革时期。从汽车行业到太阳能,碳化硅(SiC)的优势已经变得不可忽视。在经历巨大变革的同时,所有主要厂商都在努力将碳化硅(SiC)进一步集成到自身技术之中。

摘要： 通过溶胶凝胶的方法,在FTO衬底上制备得到SnO2薄膜,并对SnO2薄膜的晶体结构以及荧光光谱(PL)进行了研究.XRD结果显示SnO2薄膜为多晶结构,荧光光谱结果表明SnO2薄膜存在氧空位以及氧填隙等缺陷.通过直流磁控溅射在SnO2薄膜上面溅射Al作为顸电极,并对Al/SnO2/FTO结构进行了电阻开关性质研究,测试结果表明器件具有双极型电阻开关性质和良好的阻态保持特性.对器件的电流-电压曲线特征进行了研究,认为SnO2薄膜内氧离子(氧空位)在电场作用下发生迁移,在Al/SnO2界面发生氧化还原反应是引起Al/SnO2/FTO电阻状态改变的原因.

摘要： LM555是一种应用广泛的模拟—数字混合式(即双极型)集成电路,论文于LM555控制电路基础上研究定时和控制于一体的电路.LM555定时器构成多谐振荡器,在控制电路中调节电位器确定输出波形的占空比,控制负载运行启停的时间;编码电路计数给予触发器计数脉冲,触发器的高低电平控制继电器的吸合与断开进而控制负载的启停,本设计整体实现了弱电对强电负载运行的控制.本设计有控制精确、经济耐用、灵敏性高等优点,有广泛的利用价值和市场发展前景.

摘要： AlNx Oy film deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition(PE-ALD) and Ag electrode sputtered by magnetron sputtering are used to fabricate resistive random access memory (RRAM) devices with a structure of Ag/AlNx Oy/Pt.The device can be resistively switched in the bipolar mode with the set voltages distributed in a narrow range of 0.5 V.The high/low resistance ratio lies beyond 103.The device is also found to be electroforming-free.Low-temperature I-U measurement show that the resistance of the ohmic low resistance state is positively proportional to the temperature,suggesting the metallic filament property.The switching mechanism of the device is explained by the formation and therupture of the Ag filaments in A1Nx Oy films.%以等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)技术生长氮氧化铝(AlNxOy)薄膜,磁控溅射Ag上电极制备结构为Ag/AlNxOy/Pt的阻变存储器(RRAM).器件呈现双极性阻变特性,正向开启电压稳定且分布窄,变化幅度集中在0.5V的范围内.高阻态和低阻态电阻之比超过103,并具有免激活特性.低温测试表明,器件的低阻态电阻和温度正相关,说明了阻变的机制为银导电细丝的形成和断裂.

摘要： 本发明提供使含有固化反应后的热固化性树脂的树脂集电体和密封件的接合牢固而提高密封性的双极型电池的密封构造的制造方法、双极型电池的制造方法以及利用这些方法分别制造的双极型电池的密封构造、双极型电池。双极型电池的密封构造的制造方法包含以下工序：使由固化反应前的热固化性树脂形成的第1密封件(81)和由热塑性树脂形成的第2密封件(82)接合而制作密封组件(80)的工序；使密封组件与含有固化反应后的热固化性树脂的树脂集电体(60)接合而制作将密封组件和树脂集电体的接触部密封了的集电体组件(90)的工序。

摘要： 一种双极型电极，由作为第1活性物质层的例如正极活性物质层和作为第2活性物质层的例如负极活性物质层构成，第1活性物质层以包含第1活性物质的方式形成在集电体的一面上，第2活性物质层以包含抗压强度比第1活性物质小的第2活性物质的方式形成在集电体的另一面上。而且，在第2活性物质层中包含抗压强度大于第2活性物质的抗压强度的作为添加材料的密度调节用添加剂。

摘要： 本发明公开了一种CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管，双极型晶体管发射区不做金属硅化反应，通过屏蔽发射区的金属硅化反应，接触孔同发射区直接接触，通过调节发射区上的接触孔的密度即可调节发射区平均少数载流子浓度，调节基区扩散电流，最终调节双极型晶体管的电流增益。

摘要： 本发明的双极型锂离子二次电池用集电体，其电解液的溶剂阻断性优异，使用它可得到可靠性高的双极型锂离子二次电池，该双极型锂离子二次电池用集电体具有将导电赋予剂分散于聚酰亚胺树脂而成的导电性聚酰亚胺层，该聚酰亚胺树脂是将使联苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’‑二苯甲酮四羧酸二酐、均苯四甲酸二酐、[亚异丙基双(对亚苯氧基)]二邻苯二甲酸二酐中至少一种四羧酸二酐成分与二氨基二苯醚、苯二胺、2,2‑双[4‑(4‑氨基苯氧基)苯基]丙烷中至少一种二胺成分反应而得到的聚酰胺酸酰亚胺化而成。

摘要： 本发明提供使含有固化反应后的热固化性树脂的树脂集电体和密封件的接合牢固而提高密封性的双极型电池的密封构造的制造方法、双极型电池的制造方法以及利用这些方法分别制造的双极型电池的密封构造、双极型电池。双极型电池的密封构造的制造方法包含以下工序：使由固化反应前的热固化性树脂形成的第1密封件(81)和由热塑性树脂形成的第2密封件(82)接合而制作密封组件(80)的工序；使密封组件与含有固化反应后的热固化性树脂的树脂集电体(60)接合而制作将密封组件和树脂集电体之间密封了的集电体组件(90)的工序。

摘要： 一种双极型电极，由作为第1活性物质层的例如正极活性物质层和作为第2活性物质层的例如负极活性物质层构成，第1活性物质层以包含第1活性物质的方式形成在集电体的一面上，第2活性物质层以包含抗压强度比第1活性物质小的第2活性物质的方式形成在集电体的另一面上。而且，在第2活性物质层中包含抗压强度大于第2活性物质的抗压强度的作为添加材料的密度调节用添加剂。

摘要： 本发明实施例公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管。外延结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、集电极层、基极层、发射极层和发射极盖层；其中，衬底包括GaAs衬底，缓冲层的材料包括AlxGa1‑xAs1‑yPy，集电极层的材料包括GaAs。本申请中，利用AlxGa1‑xAs1‑yPy材料形成缓冲层，AlxGa1‑xAs1‑yPy中的P的引入使AlxGa1‑xAs1‑yPy与GaAs的晶格常数更加接近，利用AlxGa1‑xAs1‑yPy材料形成缓冲层，可以降低缓冲层和衬底之间的晶格失配，提高晶体生长的质量；同时，P的引入也可以增加AlxGa1‑xAs1‑yPy材料的禁带宽度，使AlxGa1‑xAs1‑yPy中需要的Al含量降低，进而降低Al引入的缺陷中心密度，提升异质结双极型晶体管的器件性能。

摘要： 本发明提供一种双极型晶体管的制备方法及双极型晶体管。该制备方法包括：在获取的衬底的上表面制备第一氧化层和保护层，并通过刻蚀保护层后得到的预设窗口在衬底中的对应位置制备分压环，在对制备分压环后的衬底进行高温退火的同时在预设窗口的位置制备第二氧化层，并去除保护层；确定基区、发射区和浓硼区，并对基区、发射区和浓硼区进行相应的离子注入；之后制备第一层金属引线和第二层金属引线，并在两层金属引线之间制备互连引线层，最后在衬底的下表面制备第一金属层并烧结，得到双极型晶体管。本发明有效避免了在进行基区掺杂时光刻工艺无法准确限制基区按照设计尺寸进行分布的问题，还有效降低了基区电阻，提升了器件性能。

摘要： 本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管，包括：提供第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底的顶面两侧分别制作第二导电类型的基区，在两个基区分别制作第一导电类型的源区，在半导体衬底的顶面制作第一金属层和第二金属层，在第一金属层和第二金属层的表面制作保护层，其中，保护层包括对应于第一金属层的第一镂空区，第一金属层暴露于第一镂空区的部分构成发射极，在发射极的表面制作支撑层，支撑层与保护层的厚度相等，并且支撑层与保护层之间设有间隙；对半导体衬底的底面进行减薄，并依次制作第一导电类型的缓冲区、第二导电类型的集电区和集电极；去除支撑层。本申请可以提高IGBT的制作良率。

摘要： 本发明的目的在于提供一种高性能且量产性高的绝缘栅双极型晶体管器件等。在绝缘栅双极型晶体管器件中，作为多个沟槽构造，至少具有沟槽栅极、第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽，第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽是相邻的沟槽构造，沟槽栅极连接于栅极，第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽连接于发射极，而没有连接于栅极，第一导电型源极层也形成于第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽之间。