NIS

摘要： 欧盟委员会在2020年12月提出了修订后的网络与信息安全指令(NIS2),并在2021年9月出台了该指令的总统折衷提案,旨在确保欧洲互联网基础设施的安全性和可信性。近日,国际互联网协会(Internet Society,ISOC)发布了《互联网影响简报》,针对该提案对互联网产生的影响进行了评估,同时对提案如何修订给出了相关建议。

摘要： 新在11月16日,伴随NVIDIA Game Ready Driver 496.70驱动的升级,NVIDIA DLSS也迎来了2.3的版本升级。很多玩家不知道的是,这次升级其实不止DLSS 2.3,还包含NVIDIA Image Scaling(以下简称NIS)和NVIDIA Image Scaling SDK,前者集成在NVIDIA GeForce Experience中供用户使用,后者则是会对该功能推出的SDK,供游戏开发商使用。

摘要： 欧盟网络安全局(ENISA)近日发布《网络安全威胁态势分析方法》(Cybersecurity Threat Landscape Methodology,以下简称《方法》)。ENISA通过建立网络安全威胁态势(CTL)分析方法,旨在为不同领域和行业网络安全威胁态势的透明和系统交付设定基线,促进整个欧盟范围内威胁信息的共享。通过建立欧盟范围内系统化、标准化、透明化的网络安全信息共享方案,促进欧盟成员国之间的安全合作,提升欧盟对网络安全威胁的应对能力。

摘要： 作为一种非金属聚合半导体,石墨相氮化碳(g-C3N4)具有特殊的能带结构、可见光响应能力以及优良的物理化学性质以及生产成本低等特点,因而已成为目前光催化领域的研究热点.然而,由于g-C3N4被光激发的电子与空穴极易复合,导致g-C3N4材料的光催化性能并不理想.而助剂修饰是实现光生载流子有效分离以提高光催化活性的有效途径.众所周知,贵金属Pt可以作为光催化产氢的反应位点,但高昂的成本限制了它的实际应用.所以,开发高效的非贵金属助剂很有必要.近年来,NiS作为优良的电子助剂在光催化领域受到广泛关注.大量研究表明,NiS可以作为g-C3N4的产氢活性位点用于提高其光催化产氢性能.NiS助剂主要是通过水热、煅烧和液相沉淀的方法修饰在g-C3N4的表面上.相较而言,助剂的光沉积方法具有一些独特的优势,例如节能、环保、简易并且能够实现其原位牢固地沉积在光催化剂的表面.然而g-C3N4光生电子和空穴强还原和氧化能力容易导致像Ni2+的还原和S2?的氧化等副反应发生,因此NiS助剂很难光沉积在g-C3N4材料表面.本文采用硫调控的光沉积法成功合成了NiS/g-C3N4光催化材料,该法利用g-C3N4在光照条件下产生的光生电子结合S以及Ni2+生成NiS,然后原位沉积在g-C3N4表面.由于E0(S/NiS)(0.096 V)比E0(Ni2+/Ni)(-0.23 V)更正,所以NiS优先原位沉积在g-C3N4表面.因此,硫调控的光沉积法促进了NiS的生成,并抑制了金属Ni等副反应的形成.通过X射线光电子能谱分析NiS/g-C3N4的表面化学态,表明该方法能成功地将NiS修饰在g-C3N4的表面,这也得到透射电镜和高分辨透射电镜结果的证实.光催化产氢的结果表明,NiS/g-C3N4光催化剂实现了良好的光催化性能,其最优产氢速率(244μmol h?1 g?1)接近于1 wt％Pt/g-C3N4(316μmol h?1 g?1).这是因为硫调控的光沉积法实现NiS助剂在g-C3N4表面的修饰,从而促进光生电子与空穴的有效分离,进而提高光催化制氢效率.此外,在该方法中,NiS的形成通常在g-C3N4光生电子的表面传输位点上,因此也能够使NiS提供更多的活性位点以提高界面产氢催化反应速率.电化学表征结果也进一步证明NiS/g-C3N4光催化剂加快了电子与空穴的分离和转移.更重要的是,这种简易且通用的方法还可以实现CoSx,CuSx,AgSx对g-C3N4的助剂修饰,并且都提高了g-C3N4的光催化产氢性能,表明该方法具有一定的普适性,为高效光催化材料的合成提供了新的思路.

摘要： 采用一种在CoNi2S4上电沉积NiS的有效方法来改善钴/镍硫化物的性能.CoNi2S4@NiS电极材料在1A·g-1时比电容达到1433 F·g-1,并具有很好的倍率性能.CoNi2S4@NiS和还原氧化石墨烯组装成的柔性固态非对称超级电容器的能量密度在功率密度为800 W·kg-1时达到36.6 Wh·kg-1,并且在10 000次充放电后表现出良好的循环性能,循环保持率达87.8％.

摘要： 目的:探讨在高碘状态下胎盘细胞中绒毛膜促性腺激素(chorionic gonadotropin,HCG)对钠碘转运体(sodium iodide symporter,NIS)和pendrin的调节作用.方法:将人早孕胎盘绒毛滋养细胞株(HPT-8)于DMEM培养基中培养.分别设置高碘组(5000μg/L、500μg/L)和对照组,高碘(5000μg/L、500μg/L)+HCG(0.5 U/ml、5 U/ml)组.对照组和高碘组细胞培养48 h,高碘+HCG组在高碘培养24 h后加入HCG继续培养24 h,各组分别提取RNA,使用实时荧光定量PCR检测NIS mRNA和pendrin mRNA的表达量.结果:5000μg/L高碘组和500μg/L高碘组的NIS mRNA和pendrin mRNA表达量高于对照组(P<0.01);5000μg/L高碘状态下,0.5 U/ml与5 U/ml HCG组的NIS mRNA和pendrin mRNA表达量均显著低于未加入HCG组(P<0.05);高碘和HCG对NIS mRNA和pendrin mRNA的表达不产生交互作用(R2=0.836,F=0.087,P=0.776;R2=0.325,F=2.970,P=0.123).结论:高碘状态下HCG可降低胎盘细胞的摄碘能力.

摘要： 目的:探讨碘难治性分化型甲状腺癌患者甲状腺癌细胞中NIS的表达水平。方法:选取2017年6月—2020年6月就诊于我院普通外科,确诊为碘难治性分化型甲状腺癌患者共126例作为研究组,同时选取碘治疗有效分化型甲状腺癌患者126例作为对照组,免疫组化检测NIS的含量。比较研究组和对照组的NIS阳性率和阳性积分,所有值以百分数和平均值±标准差表示。使用SPSS 19.0软件进行统计分析,(P<0.05)认为差异有统计学意义。结果:两组患者的一般临床资料之间无统计学差异。研究组NIS阳性率为32.54%,对照组NIS阳性率为100%,显著高于研究组,对照组NIS阳性积分显著高于研究组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论:NIS发挥抗癌作用的机制很可能与NIS蛋白增加细胞对碘的摄取能力,从而提高I 131治疗的敏感性和疗效密切相关,提高NIS的表达可能是增敏碘难治性甲状腺癌I 131治疗的一个调控靶点。

摘要： 以泡沫镍为骨架,通过水热法制备了Mo掺杂的NiS多级纳米花状结构(Mo-NiS).在偏压为-0.7 V(vs RHE)下,2 h内,0.83 Mo-NiS(制备时钼、镍物质的量之比为0.83)的电催化固氮速率平均可达4.21μg·cm-2·h-1,法拉第效率平均为18％.XPS测试和DFT计算表明,Mo掺杂增加了Ni活性位点周围的电子云密度,提高了电荷传输速率,促使*NNH2到*N能垒大幅度降低,从而提升了电催化固氮效率.

摘要： 阐述了热浸自爆产生的机理,探讨了浮法玻璃生产过程中影响热浸自爆的因素以及相应的处理措施,从源头上降低热浸自爆产生的概率.

摘要： 目的:探讨碘难治性分化型甲状腺癌患者甲状腺癌细胞中NIS的表达水平.方法:选取2017年6月—2020年6月就诊于我院普通外科,确诊为碘难治性分化型甲状腺癌患者共126例作为研究组,同时选取碘治疗有效分化型甲状腺癌患者126例作为对照组,免疫组化检测NIS的含量.比较研究组和对照组的NIS阳性率和阳性积分,所有值以百分数和平均值±标准差表示.使用SPSS 19.0软件进行统计分析,(P<0.05)认为差异有统计学意义.结果:两组患者的一般临床资料之间无统计学差异.研究组NIS阳性率为32.54％,对照组NIS阳性率为100％,显著高于研究组,对照组NIS阳性积分显著高于研究组,差异有统计学意义(P<0.05).结论:NIS发挥抗癌作用的机制很可能与NIS蛋白增加细胞对碘的摄取能力,从而提高I131治疗的敏感性和疗效密切相关,提高NIS的表达可能是增敏碘难治性甲状腺癌I131治疗的一个调控靶点.

摘要： 钠碘同向转运体(Na+/I-Symporter，NIS)蛋白是位于甲状腺滤泡上皮细胞基底部质膜或周边质膜上的功能蛋白，与滤泡上皮对碘的吸收及浓聚活动有关。与正常甲状腺组织相比，甲状腺癌组织的摄碘率降低，国内外相关研究认为，甲状腺癌的摄碘缺陷可能由两方面原因造成，一是NIS蛋白表达的减少或缺失，二是NIS蛋白定位障碍。本项研究采用免疫组织化学的方法，研究NIS蛋白在不同病理类型甲状腺癌原发灶和转移灶中的表达情况，及术前血清促甲状腺激素(TSH)水平与癌组织NIS蛋白表达的关系，从而探讨NIS蛋白表达在甲状腺癌诊断及术后131Ⅰ放射治疗效果预测等方面的临床应用价值。

摘要： 钠碘同向转运体(Na+/I-Symporter，NIS)蛋白是位于甲状腺滤泡上皮细胞基底部质膜或周边质膜上的功能蛋白，与滤泡上皮对碘的吸收及浓聚活动有关。与正常甲状腺组织相比，甲状腺癌组织的摄碘率降低，国内外相关研究认为，甲状腺癌的摄碘缺陷可能由两方面原因造成，一是NIS蛋白表达的减少或缺失，二是NIS蛋白定位障碍。本项研究采用免疫组织化学的方法，研究NIS蛋白在不同病理类型甲状腺癌原发灶和转移灶中的表达情况，及术前血清促甲状腺激素(TSH)水平与癌组织NIS蛋白表达的关系，从而探讨NIS蛋白表达在甲状腺癌诊断及术后131Ⅰ放射治疗效果预测等方面的临床应用价值。

摘要： 钠碘同向转运体(Na+/I-Symporter，NIS)蛋白是位于甲状腺滤泡上皮细胞基底部质膜或周边质膜上的功能蛋白，与滤泡上皮对碘的吸收及浓聚活动有关。与正常甲状腺组织相比，甲状腺癌组织的摄碘率降低，国内外相关研究认为，甲状腺癌的摄碘缺陷可能由两方面原因造成，一是NIS蛋白表达的减少或缺失，二是NIS蛋白定位障碍。本项研究采用免疫组织化学的方法，研究NIS蛋白在不同病理类型甲状腺癌原发灶和转移灶中的表达情况，及术前血清促甲状腺激素(TSH)水平与癌组织NIS蛋白表达的关系，从而探讨NIS蛋白表达在甲状腺癌诊断及术后131Ⅰ放射治疗效果预测等方面的临床应用价值。

摘要： 钠碘同向转运体(Na+/I-Symporter，NIS)蛋白是位于甲状腺滤泡上皮细胞基底部质膜或周边质膜上的功能蛋白，与滤泡上皮对碘的吸收及浓聚活动有关。与正常甲状腺组织相比，甲状腺癌组织的摄碘率降低，国内外相关研究认为，甲状腺癌的摄碘缺陷可能由两方面原因造成，一是NIS蛋白表达的减少或缺失，二是NIS蛋白定位障碍。本项研究采用免疫组织化学的方法，研究NIS蛋白在不同病理类型甲状腺癌原发灶和转移灶中的表达情况，及术前血清促甲状腺激素(TSH)水平与癌组织NIS蛋白表达的关系，从而探讨NIS蛋白表达在甲状腺癌诊断及术后131Ⅰ放射治疗效果预测等方面的临床应用价值。

摘要： 钠碘同向转运体(Na+/I-Symporter，NIS)蛋白是位于甲状腺滤泡上皮细胞基底部质膜或周边质膜上的功能蛋白，与滤泡上皮对碘的吸收及浓聚活动有关。与正常甲状腺组织相比，甲状腺癌组织的摄碘率降低，国内外相关研究认为，甲状腺癌的摄碘缺陷可能由两方面原因造成，一是NIS蛋白表达的减少或缺失，二是NIS蛋白定位障碍。本项研究采用免疫组织化学的方法，研究NIS蛋白在不同病理类型甲状腺癌原发灶和转移灶中的表达情况，及术前血清促甲状腺激素(TSH)水平与癌组织NIS蛋白表达的关系，从而探讨NIS蛋白表达在甲状腺癌诊断及术后131Ⅰ放射治疗效果预测等方面的临床应用价值。

摘要： 钠碘同向转运体(Na+/I-Symporter，NIS)蛋白是位于甲状腺滤泡上皮细胞基底部质膜或周边质膜上的功能蛋白，与滤泡上皮对碘的吸收及浓聚活动有关。与正常甲状腺组织相比，甲状腺癌组织的摄碘率降低，国内外相关研究认为，甲状腺癌的摄碘缺陷可能由两方面原因造成，一是NIS蛋白表达的减少或缺失，二是NIS蛋白定位障碍。本项研究采用免疫组织化学的方法，研究NIS蛋白在不同病理类型甲状腺癌原发灶和转移灶中的表达情况，及术前血清促甲状腺激素(TSH)水平与癌组织NIS蛋白表达的关系，从而探讨NIS蛋白表达在甲状腺癌诊断及术后131Ⅰ放射治疗效果预测等方面的临床应用价值。

摘要： 钠碘同向转运体(Na+/I-Symporter，NIS)蛋白是位于甲状腺滤泡上皮细胞基底部质膜或周边质膜上的功能蛋白，与滤泡上皮对碘的吸收及浓聚活动有关。与正常甲状腺组织相比，甲状腺癌组织的摄碘率降低，国内外相关研究认为，甲状腺癌的摄碘缺陷可能由两方面原因造成，一是NIS蛋白表达的减少或缺失，二是NIS蛋白定位障碍。本项研究采用免疫组织化学的方法，研究NIS蛋白在不同病理类型甲状腺癌原发灶和转移灶中的表达情况，及术前血清促甲状腺激素(TSH)水平与癌组织NIS蛋白表达的关系，从而探讨NIS蛋白表达在甲状腺癌诊断及术后131Ⅰ放射治疗效果预测等方面的临床应用价值。

摘要： 钠碘同向转运体(Na+/I-Symporter，NIS)蛋白是位于甲状腺滤泡上皮细胞基底部质膜或周边质膜上的功能蛋白，与滤泡上皮对碘的吸收及浓聚活动有关。与正常甲状腺组织相比，甲状腺癌组织的摄碘率降低，国内外相关研究认为，甲状腺癌的摄碘缺陷可能由两方面原因造成，一是NIS蛋白表达的减少或缺失，二是NIS蛋白定位障碍。本项研究采用免疫组织化学的方法，研究NIS蛋白在不同病理类型甲状腺癌原发灶和转移灶中的表达情况，及术前血清促甲状腺激素(TSH)水平与癌组织NIS蛋白表达的关系，从而探讨NIS蛋白表达在甲状腺癌诊断及术后131Ⅰ放射治疗效果预测等方面的临床应用价值。

摘要： 测量了两种纳米粒子BiS和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了它们的非线性吸收系数分别为BiS非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.

摘要： 测量了两种纳米粒子BiS和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了它们的非线性吸收系数分别为BiS非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.

摘要： 提供一种能够熔融凝固，且耐腐蚀性和耐磨耗性优异的Ni基合金、Ni基合金粉末、Ni基合金构件和具备Ni基合金构件的制造物。一种耐腐蚀性·耐磨耗性优异的Ni基合金，其中，以质量％计，含有Cr：8.5％～23.0％、Mo：8.5％～27.0％、Ta：0.5％～2.5％、W：15.0～51.0％和C：1.0％～3.5％，余量由Ni和不可避免的杂质构成，Ni、Cr和Mo的质量比Ni:Cr:Mo为2.5～3.5:1:1.0～1.5。

摘要： 本发明提供了一种Ni3C@Ni核壳助催化剂和Ni3C@Ni/光催化剂复合材料及其制备方法与应用。所述Ni3C@Ni核壳助催化剂能够为应用于光催化产氢，其能够提高光催化剂的催化活性。进一步地，本发明还提供一种Ni3C@Ni/光催化剂复合材料，在所述Ni3C@Ni/光催化剂复合材料中，Ni3C@Ni的Ni3C核与Ni壳在g‑C3N4表面上的协同效应可以同时促进电荷稳定的转移和降低析氢和TEOA氧化的超电势，从而有利于提高光催化氢气的催化活性。本发明的制备方法操作简单，适用性广，重复性好，为降低光催化成本和在光催化制氢方面提供了一种可靠的方案。

摘要： 本发明的目的在于提供容易进行结晶控制的Co-Ni基合金、Co-Ni基合金的结晶控制方法以及结晶控制Co-Ni基合金。本发明的Co-Ni基合金的特征在于，其含有Co、Ni、Cr和Mo，织构以高斯取向为主取向。本发明的C-Ni基合金的组成以质量比计优选含有28～42％Co、10～27％Cr、3～12％Mo、15～40％Ni、0.1～1％Ti、1.5％以下Mn、0.1～26％Fe、0.1％以下C、以及不可避免的杂质，同时含有选自由3％以下的Nb、5％以下的W、0.5％以下的Al、0.1％以下的Zr、0.01％以下的B组成的组中的至少一种。

摘要： 一种高纯度Ni-V合金或由该Ni-V合金形成的靶或该Ni-V合金薄膜，其特征在于，除去Ni、V以及气体成分的Ni-V合金的纯度为99重量%以上，并且V含量的、铸块之间或靶之间或薄膜之间的偏差在0.4%以内。提供一种具有99.9重量%以上纯度的高纯度Ni-V合金、由该Ni-V合金形成的靶以及该Ni-V合金薄膜和能够有效地减少下述杂质的高纯度Ni-V合金的制造方法，所述Ni-V合金，使铸块之间或靶之间或薄膜之间的偏差少，提高蚀刻性，并且使放射对半导体装置中的微型电路产生不良影响的α粒子的U、Th等同位素元素严格地减少。

摘要： 提供一种能够熔融凝固，且耐腐蚀性和耐磨耗性优异的Ni基合金、Ni基合金粉末、Ni基合金构件和具备Ni基合金构件的制造物。一种耐腐蚀性·耐磨耗性优异的Ni基合金，其中，以质量％计，含有Cr：8.5％～23.0％、Mo：8.5％～27.0％、Ta：0.5％～2.5％、W：15.0～51.0％和C：1.0％～3.5％，余量由Ni和不可避免的杂质构成，Ni、Cr和Mo的质量比Ni:Cr:Mo为2.5～3.5:1:1.0～1.5。

摘要： 本发明提供了一种Ni3C@Ni核壳助催化剂和Ni3C@Ni/光催化剂复合材料及其制备方法与应用。所述Ni3C@Ni核壳助催化剂能够为应用于光催化产氢，其能够提高光催化剂的催化活性。进一步地，本发明还提供一种Ni3C@Ni/光催化剂复合材料，在所述Ni3C@Ni/光催化剂复合材料中，Ni3C@Ni的Ni3C核与Ni壳在g‑C3N4表面上的协同效应可以同时促进电荷稳定的转移和降低析氢和TEOA氧化的超电势，从而有利于提高光催化氢气的催化活性。本发明的制备方法操作简单，适用性广，重复性好，为降低光催化成本和在光催化制氢方面提供了一种可靠的方案。

摘要： 一种对层叠成形的由Ni基合金构成的层叠造形体实施的热处理方法，该方法包括：碳化物析出最佳化热处理工序，在该工序中，在根据各成分元素量而通过(1)式求出的温度T1以上且1350°C以下的温度下将层叠造形体加热1小时以上且100小时以下的时间；以及碳化物析出最佳化热处理工序之后的时效处理工序，在该工序中，在800～950°C的范围内的温度下将层叠造形体加热1～30小时。T1(°C)＝177×Ni(％)+176×Co(％)+172×Cr(％)+178×Mo(％)+174×W(％)+171×Al(％)+170×Ti(％)+168×Ta(％)+163×Nb(％)+307×C(％)‑16259…(1)。

摘要： 本发明的目的在于提供容易进行结晶控制的Co-Ni基合金、Co-Ni基合金的结晶控制方法以及结晶控制Co-Ni基合金。本发明的Co-Ni基合金的特征在于，其含有Co、Ni、Cr和Mo，织构以高斯取向为主取向。本发明的C-Ni基合金的组成以质量比计优选含有28～42％Co、10～27％Cr、3～12％Mo、15～40％Ni、0.1～1％Ti、1.5％以下Mn、0.1～26％Fe、0.1％以下C、以及不可避免的杂质，同时含有选自由3％以下的Nb、5％以下的W、0.5％以下的Al、0.1％以下的Zr、0.01％以下的B组成的组中的至少一种。

摘要： 一种高纯度Ni－V合金或由该Ni－V合金形成的靶或该Ni－V合金薄膜，其特征在于，除去Ni、V以及气体成分的Ni－V合金的纯度为99重量％以上，并且V含量的、铸块之间或靶之间或薄膜之间的偏差在0.4％以内。提供一种具有99.9重量％以上纯度的高纯度Ni－V合金、由该Ni－V合金形成的靶以及该Ni－V合金薄膜和能够有效地减少下述杂质的高纯度Ni－V合金的制造方法，所述Ni－V合金，使铸块之间或靶之间或薄膜之间的偏差少，提高蚀刻性，并且使放射对半导体装置中的微型电路产生不良影响的α粒子的U、Th等同位素元素严格地减少。

摘要： 本发明提供一种机械特性优异的由Ni‑Cr‑Mo系合金构成的层叠成型体。本发明的层叠成型体是由以质量比计Ni的含量最多、其次为Cr及Mo的含量多的Ni基合金构成的构件，在晶粒的至少一部分具有Mo的偏析。所述晶粒具有柱状单元组织(CL)，优选为在相邻的单元组织之间存在Mo的偏析。根据本发明的层叠成型体，可获得850MPa以上的拉伸强度、50％以上的伸长率。