厚膜混合集成电路

摘要： 本文研究了固化温度、固化时间对厚膜混合集成电路电容导电粘接的影响。试验结果显示导电胶充分固化后,电容端头电阻值小于50mΩ、剪切力大于1.4kgf。设计不同电容加固结构,从性能、可靠性、生产效率三个方面综合分析,最终确定了导电胶固化后在电容本体两侧涂绝缘胶加固的设计结构。依据GJB548B-2005的要求对器件进行可靠性评价,并分析随着稳定性烘焙时间的延长,导致剪切力降低、电阻值增大的原因。

摘要： 借助Flotherm计算仿真和热红外成像技术,探究厚膜混合集成电路中厚膜基板上金属热沉辅助功率芯片焊接技术的可行性。研究表明,在厚膜基板上使用金属热沉辅助芯片焊接后可以将芯片和基板的结壳热阻降低20%以上,热阻降低的多少主要与热沉材料的材料类型、热沉尺寸有关。经过工艺可靠性验证,目前市面上MoCu热沉材料(Mo70Cu30和Mo80Cu20)可以满足厚膜混合集成电路厚膜基板上的焊接可靠性需求,而具体选用的热沉材料和尺寸需要综合考虑材料的兼容性和产品可靠性。

摘要： 厚膜混合集成电路因其高集成度和高速的特点被广泛应用在军用电子设备等领域,其可靠性也受到了广泛的关注.基于此,本文分析了厚膜混合集成电路的可靠性及问题,着重阐述了厚膜混合集成电路的热设计、降低内部水汽含量、进行材料检验、提升质量控制、加强失效检测这些策略的应用对于厚膜混合集成电路可靠性提高的意义.

摘要： 厚膜混合集成电路因其高集成度和高速的特点被广泛应用在军用电子设备等领域,其可靠性也受到了广泛的关注。基于此,本文分析了厚膜混合集成电路的可靠性及问题,着重阐述了厚膜混合集成电路的热设计、降低内部水汽含量、进行材料检验、提升质量控制、加强失效检测这些策略的应用对于厚膜混合集成电路可靠性提高的意义。

摘要： 在电子器件的生产过程中,水汽对于器件的可靠性影响一直是相关设计、生产非常关注的问题,本文就电子器件封装腔内水汽的主要来源进行了分析,并对加强厚膜HIC金属封装腔的相关工艺提出了相应的控制方法.

摘要： Thick film power hybrid integrated circuits need to be assembled in a metal shell, a film substrate and power chip refl ow soldering. If the soldering process is not appropriate, it will form a cavity, which will affect the power dissipation of the circuit. The reason of cavity is verifi ed by experiment, and the process parameters are optimized from the aspects of material, process method and so on.%厚膜功率型混合集成电路需要把金属外壳底座、成膜基片和功率芯片再流焊组装在一起，如果焊接工艺不当，便会形成空洞，影响电路功率散热。通过实际验证研究了产生空洞的原因，并从材料和工艺方法等方面优化工艺参数，获得了满意的焊接效果。

摘要： There is always existing dispute for the standards of pretinning and degolding before soldering on gold plated interface with Sn-base solder in electronic package industry. Using SEM and stereo microscope, etc. to study the gold plated pins’ soldering process (without pretinning and degolding) with Sn-base solder when assembling the high-reliable thick film hybrid integrated circuit (HIC). Results show that the pins soldering surfaces with typical gold plating thickness(1.3-2.5μm) could pass a series of environment tests and high temperature-long term storage tests. Samples with thin gold plating thickness(0.5-1μm) on inner pins could restrain the Ni-Au-Sn intermetallic compounds' synthesis more effectively, it should be given to this kind of packages for high reliable HIC.%电装行业中对镀金界面采用锡基焊料软钎焊之前进行搪锡去金的标准一直存在争议。采用SEM、体视显微镜等设备对厚膜混合集成电路（HIC）组装过程中镀金引线柱采用锡基焊料钎焊（不进行搪锡去金处理）工艺进行了研究。结果发现，典型金层厚度（1.3~2.5μm）引线柱钎焊后能够通过环境试验应力考核和高温-长期储存试验；内引线柱局部镀薄金（0.5~1μm）的样品在高温-长期储存试验过程中抑制Ni-Au-Sn化合物生长的效果更加明显，可以作为一种高可靠HIC镀金引线柱不去金焊接的优选封装结构。

摘要： 针对传统厚膜混合集成电路在厚膜电阻制造过程中存在厚膜电阻阻值离散性大、印刷效率低及产生大量试阻片浪费等问题,特对厚膜制造技术进行了研究.通过对厚膜电阻设计和制造原理进行分析,发现厚膜电阻印刷膜厚对其阻值至关重要,因此,决定采用厚膜电阻印刷膜厚监测以达到控制厚膜电阻阻值的方式,先对厚膜电阻印刷时膜厚控制范围进行确定,同时根据所使用的厚膜电阻浆料方阻的不同,对厚膜电阻印刷膜厚控制范围进行调整,然后依据调整后的膜厚控制范围直接进行厚膜电阻印刷.经过实际验证,采用这种加工方式使厚膜电阻加工效率和成品率得到了大大提高,同时厚膜电阻阻值一致性也得到了很大改善.

摘要： Aiming at the trimming functional demand of the thick film hybrid IC,a multi-function active laser trimming machine is designed.Through online measurement of different parameters including the output voltage,protection cur-rent and signal circuit (duty cycle,frequency and phase),the machine can realize multifunction laser trimming.The control system of multi-function active laser trimming machine was mainly introduced.By analyzing the influence of the measuring length and slow precision on trimming precision and efficiency,a method that can both improve the pre-cision and the efficiency is put forward to set the parameters.Multi-function active laser trimming machine can well satisfy the trimming function demand of the domestic thick film hybrid IC.%针对厚膜混合集成电路的功能微调需求，设计了一种多功能有源激光微调机。通过在线测量不同的产品参数，可实现多功能激光微调，其中包括输出电压修调，保护电流修调和信号电路调整（调测占空比、频率和相位）。本文重点介绍了多功能有源激光微调机的控制系统，通过分析测量步长和减速精度对修调精度和修调效率的影响，进而提出了自动修调方法中兼顾精度和效率的参数设置方法。多功能有源激光微调机很好地满足了国内厚膜混合集成电路功能微调需求。

摘要： 厚膜混合集成电路是工业领域当中一种十分重要的电路形式，在社会很多领域当中，都有着十分广泛的应用。本文结合厚膜混合集成电路的概念和特点，对厚膜电路半导体芯片贴装工艺进行研究。

摘要： 厚膜混合集成电路在批量生产过程中,如何进行质量控制、质量把关,提高产品合格率显得尤为重要.本文从质量体系建设、原材料采购、供方管理、过程质量控制、现场管理等方面结合厚膜混合集成电路的工艺特点,论述厚膜混合集成电路生产线的质量控制.

摘要： 本文论述SMT技术在厚膜混合集成电路(THIC)中的应用,阐述THIC中的SMT工艺流程和工艺规范,分析SMT的重点和难点——丝印技术,焊接规范以及常见问题的解决方案.

摘要： 以分立器件为核心,基于H桥PWM控制原理,采用厚膜混合集成电路工艺实现,设计一款大功率直流电机驱动电路,该电路可以较好满足直流电机的正反转控制和速度大小控制需要.经过实际应用表明,产品具有导热性能好、驱动能力强、效率高、环境适应性强等特点.

摘要： 本文介绍了厚膜混合集成电路(Hybrid IntegratedCircuits,HIC)内部水汽的产生机理、负面影响以及G型吸收剂材料的吸收原理和使用过程;通过聚合物评价试验对G型吸收剂材料的可靠性进行验证,并对该材料的实用效果进行分析,最终得出结论——G型吸收剂能够用于H级HIC内部水汽含量的控制.

摘要： 混合集成技术是微电子集成技术的一个分支，与微电子一次集成技术互为补充。HIC技术发展迅速，出现了多芯片组件(MCM)，实现了系统集成。该文结合国内现实条件，提出了厚膜混合集成电路利用多层布线，通过提高组装密度缩小体积，替代VLSI芯片在多层基板上组装MCM-C的设想。此法比制备VLSI芯片（特别是功率ASIC）更容易实现。可用此法实现系统集成，以满足市场需求。

摘要： 分析了Ag-Pd厚膜电阻的烧成过程及其形成的微观结构,建立Ag-Pd厚膜电阻的导电模型;用数学式表述了接触压力和接触电阻的关系,并分析了影响接触压力的因素,包括各组分的膨胀系数、粒度、体积分数和烧成温度.

摘要： 分析了Ag-Pd厚膜电阻的烧成过程及其形成的微观结构,建立Ag-Pd厚膜电阻的导电模型;用数学式表述了接触压力和接触电阻的关系,并分析了影响接触压力的因素,包括各组分的膨胀系数、粒度、体积分数和烧成温度.

摘要： 分析了Ag-Pd厚膜电阻的烧成过程及其形成的微观结构,建立Ag-Pd厚膜电阻的导电模型;用数学式表述了接触压力和接触电阻的关系,并分析了影响接触压力的因素,包括各组分的膨胀系数、粒度、体积分数和烧成温度.

摘要： 分析了Ag-Pd厚膜电阻的烧成过程及其形成的微观结构,建立Ag-Pd厚膜电阻的导电模型;用数学式表述了接触压力和接触电阻的关系,并分析了影响接触压力的因素,包括各组分的膨胀系数、粒度、体积分数和烧成温度.

摘要： 本发明涉及一种利用陶瓷厚膜电阻器单元修复厚膜混合集成电路的方法，包括以下步骤：（1）、制作标准阻值的陶瓷厚膜电阻器单元，（2）、修复厚膜混合集成电路，a.隔离不合格厚膜电阻；b.将陶瓷厚膜电阻器单元粘接于不合格的厚膜电阻上；c.将陶瓷厚膜电阻器单元与厚膜电路键合；d.激光有源微调陶瓷厚膜电阻器单元的阻值。本发明显著优点是：利用陶瓷厚膜电阻器单元能够替代直接淀积在基板上的厚膜电阻器，易于更换，能够修复激光功能微调不合格的电路，一旦微调失败，只需要更换新的陶瓷厚膜电阻器单元对电路进行修复即可，而不需要报废整只电路。能有效提高激光功能微调后的电路成品率。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用底座有垂直凸起金属薄片的凸形管基代替传统的平面型管基，在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体与底座绝缘的通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用丝网印刷方式，印刷所需的导体浆料或电阻浆料，经高温烧结和激光调阻后，得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上；最后用厚膜混合集成方式，在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了三维集成功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用凸型陶瓷基片代替传统的平面型陶瓷基片，在凸型陶瓷基片底表面及凸起部分两侧面同时进行芯片或片式元器件的集成；采用丝网印刷或描绘的方式，将导带或阻带浆料按产品设计的图形印刷或描绘在凸型陶瓷基片上，经高温烧结和激光调阻后，得到所需基片，两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在管基底座上；最后用厚膜混合集成方式，在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法提升了功率混合集成电路最大使用功率，生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了无引线平面表贴式厚膜混合集成电路集成方法，该方法是采用在陶瓷基片上，直接将厚膜混合集成电路对外连接端制作在陶瓷基片的底面，对外连接端为平面型，在陶瓷基片的正面和底面进行混合集成，对厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感采用绝缘介质厚膜进行密封、绝缘保护，对半导体裸芯片采用绝缘介质浆料进行涂封和固化保护。本方法特点有：①无封装外壳，体积缩小；②无引脚及相应的内引线，减小高频干扰；③实现表贴式安装，缩小装备体积，提升装备的高频性能；④提高装备系统可靠性。本方法生产的集成电路广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了无引线球脚表贴式厚膜混合集成电路集成方法，该方法是采用在陶瓷基片上，直接将厚膜混合集成电路对外连接端制作在陶瓷基片的底面，对外连接端为金属球面形；在陶瓷基片的正面进行混合集成，对厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感采用绝缘介质厚膜进行密封、绝缘保护，对半导体裸芯片采用绝缘介质浆料进行涂封和固化保护。本方法特点有：①体积大幅缩小；②减小高频干扰；③减小正面导带长度，提升频率特性和集成度；④缩小装备体积，提升装备的高频性能；⑤提高装备系统的可靠性。本方法生产的集成电路广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了无引线球脚表贴式高密度厚膜混合集成电路集成方法，该方法是采用在陶瓷基片上，直接将厚膜混合集成电路对外连接端制作在陶瓷基片的底面，对外连接端为金属球面型；在陶瓷基片的正面进行混合集成，对厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感等采用绝缘介质厚膜进行密封、绝缘保护；对半导体裸芯片采用绝缘介质浆料进行涂封和固化保护；采用三维（3D）垂直叠层方式进行集成，提升集成密度。本方法特点有：①体积大幅缩小；②减小高频干扰；③减小导带长度，提升频率特性和集成度；④提升集成密度；⑤缩小装备体积，提升高频性能；⑥提高装备系统可靠性。本方法生产的集成电路应用广泛，适用于装备小型化、高频、高可靠的领域。

摘要： 本发明涉及一种利用陶瓷厚膜电阻器单元修复厚膜混合集成电路的方法，包括以下步骤：（1）制作标准阻值的陶瓷厚膜电阻器单元，（2）修复厚膜混合集成电路，a.隔离不合格厚膜电阻；b.将陶瓷厚膜电阻器单元粘接于不合格的厚膜电阻上；c.将陶瓷厚膜电阻器单元与厚膜电路键合；d.激光有源微调陶瓷厚膜电阻器单元的阻值。本发明显著优点是：利用陶瓷厚膜电阻器单元能够替代直接淀积在基板上的厚膜电阻器，易于更换，能够修复激光功能微调不合格的电路，一旦微调失败，只需要更换新的陶瓷厚膜电阻器单元对电路进行修复即可，而不需要报废整只电路。能有效提高激光功能微调后的电路成品率。

摘要： 本发明公开了三维集成功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用凸型陶瓷基片代替传统的平面型陶瓷基片，在凸型陶瓷基片水平面及凸起部分两侧面同时进行芯片和片式元器件的集成；采用丝网印刷或描绘的方式，将导带或阻带浆料按产品设计的图形印刷或描绘在凸型陶瓷基片上，经高温烧结和激光调阻后，得到所需基片，两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在管基底座上；最后用厚膜混合集成方式，在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或其他片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法提升了功率混合集成电路最大使用功率，生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用底座有垂直凸起金属薄片的凸形管基代替传统的平面型管基，在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体与底座绝缘的通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用丝网印刷方式，印刷所需的导体浆料或电阻浆料，经高温烧结和激光调阻后，得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上；最后用厚膜混合集成方式，在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路及其集成方法，该电路由器件管壳基座(1)、管脚(9)、氮化铝陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)组成，陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端引有连接线，之间填充绝缘介质(10)；陶瓷基片(2)置于器件管壳基座(1)之上。集成方法是高真空溅射并进行刻蚀形成金属电极、N型半导体、P型半导体。本集成电路可以解决外界温度在125°C以上或-55°C以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。