压电陶瓷材料

摘要： 加速度压电传感器是反应堆内常用的振动测量器件,其核心部件是压电陶瓷材料。由于在强核辐射环境下,中子和γ线分别于压电陶瓷内的原子核和核外电子发生相互作用,发生微观损伤,此损伤经由分子尺度、介观尺度直至会表现为宏观性能(包括材料的压电性能及表观形貌信息等)的变化,将影响器件的性能。长时间、高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能变化已有研究,然而短时间、高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能变化的研究较少。该文在辐射装置上进行压电陶瓷材料的高剂量率γ线辐照,随后对材料辐照前、后的压电性能、表观形貌等信息进行实验测试,通过测试结果分析了高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能的影响。

摘要： 随着科学技术进步与发展,压电陶瓷材料质量不断提升,并在实际中得到广泛应用.压电陶瓷材料的应用,对促进行业发展发挥着重要作用.基于此,本文中以压电陶瓷材料为切入点,详细分析其应用与发展趋势,为相关研究提供借鉴,推动行业发展.

摘要： Aiming at the requirements for high-precision of attitude and orbit control mechanism and undamped ad-justment of spacecraft in orbit,proportional flow control valve must be used in the propellant feed unit of electric thruster. It is possible to regulate propellant flow in a high-precision,low-noise and wide way. Strain properties for materials and throttling effort of micro-flow channels are employed to achieve rapid,stable and continuously adjustment of propellant by adjusting and controlling the material strain to change the size of the flow channel structure. Based on the domestic space mission application requirements in the future,this thesis introduces the development of proportional flow control valve and analysis its trend to provide guidance on its development.%针对航天器在轨期间的高精度姿轨控机动和无阻尼调节需求,电推力器贮供单元必须采用比例流量控制阀以实现推进剂流量的高精度、宽范围、低噪声调控.目前正在发展的比例流量控制阀主要利用材料的应变特性和微小流量通道的节流作用,通过调节和控制材料的应变量进而改变流道的结构尺寸,实现推进剂的快速、稳定、连续可调.文章系统介绍了国内外比例流量控制阀的发展概括,并在分析国内未来航天使命应用需求的基础上,对该技术的发展趋势进行了分析和展望,以期对比例流量控制阀的研制提供指导.

摘要： 压电陶瓷作为一种重要的功能型材料，因此优良的电学特性被广泛应用于各种高技术领域。本文主要介绍了压电陶瓷材料的发展概况，及未来的发展趋势和前景，指出了压电陶瓷材料向复合型、纳米化、高温型及无铅化的研究方向。旨在使相关研究人员能了解目前压电陶瓷材料领域的热门研究趋势。%Piezoelectric ceramics as a kind of important functional material, its excellent electrical properties are widely used in all kinds of high technology. This article mainly introduced the development of piezoelectric ceramic materials, and the future development trend and prospects. Pointed out that the piezoelectric ceramic materials to compound, nano, high temperature and utilizing research direction. To make relevant researchers understand the research trends in the field of piezoelectric ceramic materials.

摘要： 电介质陶瓷材料是电子工业中制备基础元件的关键材料,其市场需求量大,产业化前景广阔.本文从产业化的角度分析了中国电介质陶瓷材料的发展现状,探讨了影响其技术发展的关键因素,同时介绍了目前市场用量较大、产业化水平较高的钛酸钡粉体材料、电容器介质陶瓷材料、微波介质陶瓷材料、压电陶瓷材料的最新产业化技术动态,很大程度上代表了中国先进电介质陶瓷材料的发展水平.

摘要： 日前，合肥工业大学材料科学与工程学院左如忠教授课题组成功制备了具有钙钛矿结构的新型NaNbO3基三元系无铅陶瓷材料，该材料体系不仅具有环境友好特征，还具有优异的电致应变特性和温度不敏感的压电和机电性能，有望在高性能陶瓷驱动器、传感器和换能器等领域获得应用。

摘要： 压电陶瓷是一种能够将机械能和电能互相转换的信息功能陶瓷材料,在驱动器、传感器、换能器等领域均得到了广泛的应用。例如,Pb（Zr,Ti）O3（简称PZT）压电陶瓷是自适应光学的重要部件——变形镜的核心材料,其性能直接影响系统的矫正范围、迟滞等参数。Pb（Zr,Ti）O3压电陶瓷常常采用掺杂的方式提高其性能。

摘要： 采用传统固相法制备了xPb(Zr0.52Ti0.48)O3-(1-x){Pb(Zn1/3NB2/3)O3-Pb(Ni1/3NB2/3)O3}(简称PZT-PZN-PNN)四元系压电陶瓷,研究了不同PZT含量对PZT-PZN-PNN陶瓷的相结构、显微结构、压电性能和介电性能的影响。结果表明：材料的压电常数(d3)、机电耦合系数(Kp)和介电常数(εr)随着PZT含量的增加先增大,后减小,当PZT含量为0.83时,其值达到最大值；随着PZT含量的增加,材料的机械品质因数(Qm)逐渐增大,谐振电阻(Rf)和介电损耗(tan δ)逐渐减小。当PZT含量为0.83时,四元系PZT-PZN-PNN压电陶瓷在较低的烧结温度(1000°C)下烧结,其主要的电性能参数如下:d33=477pC/N,Kp=0.71,Qm=98,εr=2228,tanδ=0.0070,Tc=325°C,根据双晶片对压电陶瓷材料的性能要求,该组份可作为纺织机械中选针器用压电双晶片的侯选材料。

摘要： 压电陶瓷是一种可实现机械能和电能相互转换的功能材料，具有正、逆压电效应，可制作超声换能器、压电变压器、滤波器、微位移器、驱动器和传感器等。与压电单晶体材料相比，压电陶瓷材料具有制备工艺简单、成本较低等优点，因此压电陶瓷被广泛应用于通信、探测、雷达、医疗、家电、航空等领域。利用传统的固相反应法制备了超高温压电陶瓷,研究了Ti对陶瓷的介电、铁电性能的影响.研究结果表明:掺Ti可以抑制陶瓷晶粒的长大,细化晶粒,提高其致密度,但会降低陶瓷的铁电性能;当Ti掺量为0.15时,陶瓷的晶粒最细小，密度最大;随掺Ti离子浓度的增大，陶瓷的介电损耗减小，介电常数增大.

摘要： 研究表明填充率，晶格结构和板厚与晶格常数比是调控兰姆波声禁带的重要参数。而对于压电复合板，不同的电学模型和材料的压电性同样也是调控兰姆波声禁带宽度和起始频率的重要手段。本文将研究不同电边界条件和压电陶瓷材料构成的压电复合板中兰姆波带隙的特性。

摘要： 弛豫铁电单晶铌镁酸铅—钛酸铅（PMNT）材料以其优异的压电性能引起了国际上的极大关注，其压电系数d33高达2000pC/N（PZT～700 pC/N）、机电耦合系数k33可达0.92（PZT～0.75），电致伸缩应变量达到1.7%，机电转换效率和应变量大大超过了现有PZT压电陶瓷材料，同时介电损耗也小于PZT材料，特别适合于宽带、高效率、高灵敏度收发换能器的研制。本文主要应用纵弯耦合技术进行设计，实现频带展宽，应用ANSYS有限元软件分析设计了一种带宽为12.5kHz—33 kHz，最大发送电压响应151dB的tonpilz换能器。并与相同结构尺寸的PZT-4 tonpilz换能器进行了性能比较。

摘要： 介绍了制作滤波器所用的压电晶体材料及压电陶瓷材料的研究进展情况。分析了各种压电晶体的性能及特点，铅基及非铅基压电陶瓷材料的掺杂改性成果，以及其存在的问题。展望了压电晶体及压电陶瓷材料的发展前景，并对其今后的研究方向提出了建议。

摘要： 介绍了在计算机上编辑产生超声波信号，利用电声、声电换能器(transducers)采用横波无损检测方法进行裂纹无损检测;简要介绍了利用压电陶瓷材料进行裂纹检测的工作。

摘要： Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3化合物在准同型相边界(MPB)处具有BiScO3-PbTiO3相近的居里温度(478°C)，而且其原料价格低廉，具有潜在的应用价值。本文通过加入BaZrO3将降低A位离子与O2离子的杂化作用，降低轴比，使化合物的铁电畴更易翻转，进而降低矫顽场。

摘要： Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3化合物在准同型相边界(MPB)处具有BiScO3-PbTiO3相近的居里温度(478°C)，而且其原料价格低廉，具有潜在的应用价值。本文通过加入BaZrO3将降低A位离子与O2离子的杂化作用，降低轴比，使化合物的铁电畴更易翻转，进而降低矫顽场。

摘要： Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3化合物在准同型相边界(MPB)处具有BiScO3-PbTiO3相近的居里温度(478°C)，而且其原料价格低廉，具有潜在的应用价值。本文通过加入BaZrO3将降低A位离子与O2离子的杂化作用，降低轴比，使化合物的铁电畴更易翻转，进而降低矫顽场。

摘要： Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3化合物在准同型相边界(MPB)处具有BiScO3-PbTiO3相近的居里温度(478°C)，而且其原料价格低廉，具有潜在的应用价值。本文通过加入BaZrO3将降低A位离子与O2离子的杂化作用，降低轴比，使化合物的铁电畴更易翻转，进而降低矫顽场。

摘要： 本发明提出一种陶瓷材料，所述陶瓷材料具有通式(Bi

摘要： 本发明首先制备出以MgO作为掺杂改性剂，以CdO/SiO

摘要： 本发明非金属材料领域，提供了一种高性能压电陶瓷材料，包括物质的量之比为：(1‑x‑y‑z‑w):z:y:x:w:(1‑x):x:3的钠元素、钾元素、锂元素、钙元素、稀土元素、铌元素、锡元素以及氧元素组成,其中x＝0.02～0.06,y＝0.02～0.08,z＝0.35～0.50,w＝0.001～0.004。该高性能压电陶瓷材料压电性好、可见光透过率高以及发光性能好。本发明还提供了一种高性能压电陶瓷材料的制备方法，包括根据上述高性能压电陶瓷材料各元素比计算所用原料质量分数并进行备料，然后将原料混合煅烧。该方法能够制得上述高性能压电陶瓷材料。本发明还提供了一种压电陶瓷材料制品，具有上述优点。

摘要： 本发明提供了一种压电陶瓷材料，所述压电陶瓷材料含有用化学通式:Pb

摘要： 一种可用于形成具有低机电耦合系数、低谐振电阻和低谐振频率温度相关性的烧结压电陶瓷压块的压电陶瓷材料，它是含PbTiO3、PbZrO3和Pb(MaxMdy)O3组成的主要组分的固溶体，Ma是至少一种二价或三价元素，Md是至少一种五价或六价元素，Ma的含量x与Md的含量y之比x/y高于化学计量比。较好Ma为Mn，Md是至少一种选自Nb、Sb、Ta和W的元素。当用A、B、C、D和E分别表示Mn、Nb、Sb、Ta和W的含量时，0.525≤A/(B+C+D+2E)≤1。约20摩尔%或更少的Pb被至少一种选自Ca、Ba、Sr和La的元素所取代。宜使这种压电陶瓷材料在氧浓度约为80体积%或更高的氧气氛中烧制成的烧结压块处于不饱和极化状态，其机电耦合系数相当于烧结的压块在饱和极化状态下的机电耦合系数的约80%或更小。

摘要： 本申请公开一种压电陶瓷材料、压电陶瓷材料的应用及其制备方法。本申请的压电陶瓷材料，由式I表示，zBiScO3‑yPb(Zn1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3 式I其中，x，y和z分别表示PbTiO3、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3和BiScO3的摩尔分数，0.58≤x≤0.64，0＜y≤0.05，z＝1‑x‑y；在300°C时，所述压电陶瓷材料的压电电荷常数为d33为426‑655pC/N。本申请中的压电陶瓷材料可应用于高温领域压电能量收集器件中，经测试，本申请中的压电陶瓷材料可以满足300°C超高温领域中自供电微电子器件对电能的要求。

摘要： 本发明非金属材料领域，提供了一种高性能压电陶瓷材料，包括物质的量之比为：(1‑x‑y‑z‑w):z:y:x:w:(1‑x):x:3的钠元素、钾元素、锂元素、钙元素、稀土元素、铌元素、锡元素以及氧元素组成,其中x＝0.02～0.06,y＝0.02～0.08,z＝0.35～0.50,w＝0.001～0.004。该高性能压电陶瓷材料压电性好、可见光透过率高以及发光性能好。本发明还提供了一种高性能压电陶瓷材料的制备方法，包括根据上述高性能压电陶瓷材料各元素比计算所用原料质量分数并进行备料，然后将原料混合煅烧。该方法能够制得上述高性能压电陶瓷材料。本发明还提供了一种压电陶瓷材料制品，具有上述优点。

摘要： 本发明提供了一种压电陶瓷材料，所述压电陶瓷材料含有用化学通式:Pb(Zn

摘要： 本发明提供了一种压电陶瓷材料，所述压电陶瓷材料含有用化学通式:Pb

摘要： 一种可用于形成具有低机电耦合系数、低谐振电阻和低谐振频率温度相关性的烧结压电陶瓷压块的压电陶瓷材料,它是含PbTiO3、PbZrO3和Pb(MaxMdy)O3组成的主要组分的固溶体,Ma是至少一种二价或三价元素,Md是至少一种五价或六价元素,Ma的含量x与Md的含量y之比x/y高于化学计量比。较好Ma为Mn,Md是至少一种选自Nb、Sb、Ta和W的元素。当用A、B、C、D和E分别表示Mn、Nb、Sb、Ta和W的含量时,0.525≤A/(B+C+D+2E)≤1。约20摩尔%或更少的Pb被至少一种选自Ca、Ba、Sr和La的元素所取代。宜使这种压电陶瓷材料在氧浓度约为80体积%或更高的氧气氛中烧制成的烧结压块处于不饱和极化状态,其机电耦合系数相当于烧结的压块在饱和极化状态下的机电耦合系数的约80%或更小。