压敏电阻器

摘要： 介绍TC108 HBSDT工作组2022年春季虚拟会议情况,包括IEC 62368-1第4版CDV稿和IEC/TR 62368-2第4版DC稿的意见讨论、专项小组的项目讨论和解释组文件讨论等。

摘要： 采用4种不同规格的银粉,并优选其中2种银粉按不同比例混合,制备得到不同氧化锌压敏电阻器用导电银浆;对烧结后的银浆样品进行表面形貌分析和附着力测试,并比较烧结温度对附着力的影响.结果 表明,将2种单一银粉混合制备所得浆料烧结所得电极膜层表面更致密平整,附着力增加;调整合适的混合质量比,可以得到具有最大附着力的导电银浆;其机制可能是浆料在烧结过程中不同粒径的银粉相互填充间隙,产生协同作用,提高了膜层致密度.所得银浆最佳烧结温度为550～650°C.

摘要： 压敏电阻器广泛使用在普通环境中,一般的压敏电阻基本能够满足使用的要求,但是随着压敏电阻使用范围的不断扩展,如LED灯、节能灯的发展,对压敏电阻的上限温度提出了更高的要求,于是要想提高压敏电阻器的使用温度上限,必须要提高压敏电阻包装材料的温度.一种高温压敏电阻器,具有压敏电阻芯片,所述压敏电阻芯片两侧均设有电极,硫化层将压敏电阻芯片和电极包裹在其内部,所述硫化层外包裹有硅树脂,所述电极与引线一端固定连接且引线另一端穿过硫化层和硅树脂后从硅树脂下端伸出并置于其外部.本文主要通过对包装材料进行研究分析,从高温压敏电阻器的组成机构、材料、实验等不同方面对高温压敏电阻器的研究提供参考性意见.

摘要： 主从遥操作控制系统的控制策略是实现灵巧手稳定抓持物体的关键.该文提出了一种将关节角度映射和压力控制相结合的多关节灵巧手主从遥操作控制系统混合控制策略.当灵巧手与物体的接触力小于或等于0.28N时,利用数据手套测量人手的关节角度,进行关节映射实现人手到灵巧手的运动映射;当灵巧手与物体的接触力大于0.28N时,利用压敏电阻器FSR400进行压力跟随控制,从而实现多关节灵巧手精确遥操作控制.实验验证了该混合控制方法具有控制精度高、实时性好等优点.

摘要： 在介绍浪涌的危害和以压敏电阻器（MOV）构成的浪涌保护器特性的基础上,较详细地介绍了它在保护电子仪器仪表和三相交流电气设备中的应用;给出了被保护调节仪和被保护稳压器中安装浪涌保护器的输入电路,并为一实际工程提供了一种有效的解决方案。

摘要： 研究烧结温度对含Mn-Nb-Tb的Zn-V-O基陶瓷显微组织和压敏性能的影响.结果表明,随着烧结温度由875°C升高到950°C,烧结陶瓷样品的密度由5.55 g/cm3降低到5.45 g/cm3,其平均晶粒尺寸由4.1μm增大至8.8 μm,击穿场强由7443 V/cm显著降低至1064 V/cm.经900°C烧结的压敏陶瓷样品具有明显的非线性特性,其非线性系数为49.4,漏电流密度为0.21 mA/cm2.当烧结温度由875°C升高到950°C时,Zn-V-O基陶瓷样品的介电常数由440.1增大到2197.2,其损耗因数的变化范围为0.237～0.5.因此,本研究中Zn-V-O基陶瓷组分和烧结条件有利于以银为内电极的先进多层芯片压敏电阻的开发.

摘要： 研究烧结温度的细微变化对V-Mn-Nb-Gd共掺杂氧化锌陶瓷显微组织、电性能、介电性能和衰减行为的影响.随着烧结温度的升高,烧结球团密度由5.54 g/cm3降低到5.42 g/cm3,平均晶粒尺寸由4.1μm增大至11.7μm,击穿场强由7138 V/cm急剧降低至920 V/cm.在900°C烧结的压敏陶瓷呈现极佳的非线性(非欧姆)特性,其非线性系数和漏电流密度分别为66和77 μA/cm2.在性能稳定性方面,在85°C、24h和0.85E1 mA的直流加速应力下,经900°C烧结的压敏陶瓷呈现最强的加速衰减特性,且其△E1mA=-9.2％.

摘要： 采用工频试验研究的方法对不同最大持续工作电压Uc、不同压敏电压下的MOV施加工频电压.通过改变施加工频电压的幅值和预期短路电流,测量流过MOV的电流值和电压值,判断MOV是否短路失效.通过试验,可以获知不同Uc、不同压敏电压下的MOV击穿时间及击穿短路电流大小.试验结果可以为在电涌保护器中合理配置MOV的设计提供参考.

摘要： 压敏电阻器常用的电极材料有导电浆料、无机盐和金属材料。基于各种电极材料的特性,出现了许多制备压敏电阻器电极的方法。本文综述了浆料法、化学镀,热喷涂和冷喷涂的制备工艺。

摘要： 从金属与半导体陶瓷接触机理出发,选择功函数比半导体陶瓷功函数小的金属作为电极.文章综述了压敏电阻器常用的电极材料有导电浆料、无机盐和金属材料.导电浆料有贵金属浆料和贱金属浆料;无机盐有氧化物和硫酸盐;金属材料有线材和粉末.压敏电阻器电极材料发展方向是贱金属化.

摘要： ZnO压敏电阻器具有优良的非线性伏安特性,利用这一特征可制造各种电子器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、负载开关的浪涌吸收等电子保护装置.本文从基本理论出发研究了氧化锌压敏电阻器的晶界特性,导电模型及蜕变机理.提出了在晶界区存在两个高电阻的势垒区中间还存在低电阻的高半导化区的模型,在此模型的基础上解释了压敏电阻器的高非线性的物理原因.在深入分析了ZnO纤维锌矿结构的特点后,着重讨论了影响压敏电阻器通流能力和老化蜕变特性的原因,并由此提出了可能的改进途径.

摘要： 压敏电阻器常用的电极材料有导电浆料、无机盐和金属材料.基于各种电极材料的特性,出现了许多制备压敏电阻器电极的方法.文章综述了料浆法、化学镀,热喷涂和冷喷涂的制备工艺.提出电极材料的贱金属化不仅有利于降低器件的生产成本，而且能够促进压敏电阻器的规模化生产。压敏电阻器电极制备方法，将根据器件性能要求来选择哪一种制备方法。压敏电阻器的规模化生产又始终离小开生产工艺的自动化。采用自动化生产工艺流程以提高产品的质量和生产效率。

摘要： 压敏电阻器主要应用于电源供应器,手机、PC机、电话机、数码相机和机顶盒等电子产品.文章调查分析了电源供应器、手机、PC机、电话机、数码相机和机顶盒等电子产品的全球市场和中国市场,以及这些电子产品的发展趋势.

摘要： 从批量生产的产品中,抽取05D,07D,10D,20D和34×34等尺寸规格,从200V到820V的各种电压规格的样品,测量了电流范围2个数量级内的限制电压,求导出数据组的二次多项式拟合方程,结果表明,方程式的计算值与测量值的偏差不大于3％.用方程式分析产品特性的结果,显示了多项以往没有认识的技术课题,为压敏电阻器研制、质量控制和过电压保护应用的定量化,提供了新而实用的技术途径.

摘要： 对于电子设备用压敏电阻器，生产厂家对产品自愿申请进行相关的安全认证，这是增强产品市场安全形象、清除国际贸易技术壁垒、促进国际贸易发展的有效手段。文章介绍了认证、安规认证和安全认证的概念，分别详细介绍了美国UL认证、德国VDE认证、加拿大CSA认证和我国CQC认证。重点介绍了认证标志、认证步骤、跟踪检验服务。

摘要： 现有的压敏电阻器技术标准或应用技术资料,在谈到失效判定电参数时,几乎都是"压敏电压(UN)较初始值下降10％"这个判据.这个判据无疑是正确的,但在实际应用中至少有两个问题:第一,压敏电压表现为"突降特性(硬特性)"时,不能用来判定压敏电阻是否已接近失效.第二,在有些试验中,压敏电阻上有其他电压,不允许切断这个电压来测量UN.因而有必要寻找其他替代电参数,但这种替代电参数往往与具体产品的配方和工艺技术有关,需要由生产方查明各项参数的劣化规律,然后选用适用参数.

摘要： 压敏电阻器(MOV)和电涌保护器(SPD)的小型化是当前的技术趋势之一,本文从保护系统,过热脱离器,压敏电阻体,以及其他辅助措施等四个方面,讨论了小型化的技术措施.

摘要： 本文比较了压敏电阻铜、银两种电极的静态参数、冲击性能、热脱离性能,并指出铜作为电极材料，尽管没有银材料优秀，但成本低，电极层厚等特点，仍受到企业欢迎。同时工艺上的成熟已达到量产化要求。

摘要： 本文比较了压敏电阻铜、银两种电极的静态参数、冲击性能、热脱离性能,并指出铜作为电极材料，尽管没有银材料优秀，但成本低，电极层厚等特点，仍受到企业欢迎。同时工艺上的成熟已达到量产化要求。

摘要： 本发明涉及一种环形压敏电阻器瓷料、制备方法与环形压敏电阻器及其制备方法。该环形压敏电阻器瓷料按摩尔百分数计包括：钛酸锶50～70mol%、钛酸钙15～35mol%、钛酸铋钠7～12mol%、五氧化二铌1～3mol%、氧化镧0.1～1mol%、三氧化二钴0.1～1.5mol%及二氧化钛1～4mol%。通过对主晶材料、半导化材料及助烧材料的成分和配比进行优化得到该环形压敏电阻器瓷料，使用该环形压敏电阻器瓷料制备的环形压敏电阻器，其电压在0～125°C的升温环境中变化不超过10%，可应用于较高的环境温度下工作的马达中，从而拓宽了环形压敏电阻的使用温度范围。

摘要： 本发明涉及一种环形压敏电阻器瓷料、制备方法与环形压敏电阻器及其制备方法。该环形压敏电阻器瓷料按摩尔百分数计包括：钛酸锶20～40mol%、钛酸钙5～20mol%、钛酸钡30～50mol%、氧化锆5～10mol%、五氧化二铌1～3%mol%、氧化镧0.1～1mol%、三氧化二钴0.1～1.5mol%及二氧化钛1～4mol%。通过对主晶材料、半导化材料及助烧材料的成分和配比进行优化得到该环形压敏电阻器瓷料，由该环形压敏电阻器瓷料制备的环形压敏电阻器，其电压在0～125°C的升温环境中，下降不超过10%，甚至在50°C以上时随温度的上升而上升，因而工作环境温度的范围较宽。

摘要： 本发明涉及一种环形压敏电阻器瓷料、制备方法与环形压敏电阻器及其制备方法。该环形压敏电阻器瓷料按摩尔百分数计包括：钛酸锶30～50mol%、钛酸钙15～35mol%、钛酸铅20～40mol%、五氧化二铌1～3mol%、氧化镧0.1～1mol%、三氧化二钴0.1～1.5mol%及二氧化钛1～4mol%。通过对主晶材料、半导化材料及助烧材料的成分和配比进行优化得到该环形压敏电阻器瓷料，使用该环形压敏电阻器瓷料制备的环形压敏电阻器，其电压在0～125°C的升温环境中不仅没有下降，反而有所上升，因而可以在100°C以上的工作环境温度下工作，工作环境温度的范围较宽。

摘要： 当通过向用于ZnO-Pr体系的压敏电阻器材料中添加Co或K来制备陶瓷材料粉末时，碱金属K是以KClO

摘要： 一种低压压敏电阻陶瓷片，低压压敏电阻陶瓷片由混合粉末烧结形成，混合粉末包括质量百分数为94％～96％的ZnO、0.2％～4％的Bi2O3、0.1％～0.6％的MnCO3、0.1％～2％的Co3O4、0.1％～0.6％的NiO、0.002％～0.02％的Al(NO3)3、0.1％～0.5％的TiO2、0.01％～0.5％的Nb2O5以及0.01％～2％的Sb2O3。上述低压压敏电阻器，能够很好的提高低压压敏电阻器的8/20μs波形的通流性能，提高低压压敏电阻器的能量承受能力，该高能型的低压压敏电阻器防雷击能力较好。此外，还提供上述低压压敏电阻陶瓷片的制备方法以及低压压敏电阻器的制备方法。

摘要： 本发明涉及一种环形压敏电阻器瓷料、制备方法与环形压敏电阻器及其制备方法。该环形压敏电阻器瓷料按摩尔百分数计包括：钛酸锶20～40mol%、钛酸钙5～20mol%、钛酸钡30～50mol%、氧化锆5～10mol%、五氧化二铌1～3%mol%、氧化镧0.1～1mol%、三氧化二钴0.1～1.5mol%及二氧化钛1～4mol%。通过对主晶材料、半导化材料及助烧材料的成分和配比进行优化得到该环形压敏电阻器瓷料，由该环形压敏电阻器瓷料制备的环形压敏电阻器，其电压在0～125°C的升温环境中，下降不超过10%，甚至在50°C以上时随温度的上升而上升，因而工作环境温度的范围较宽。

摘要： 本发明涉及一种环形压敏电阻器瓷料、制备方法与环形压敏电阻器及其制备方法。该环形压敏电阻器瓷料按摩尔百分数计包括：钛酸锶50～70mol%、钛酸钙15～35mol%、钛酸铋钠7～12mol%、五氧化二铌1～3mol%、氧化镧0.1～1mol%、三氧化二钴0.1～1.5mol%及二氧化钛1～4mol%。通过对主晶材料、半导化材料及助烧材料的成分和配比进行优化得到该环形压敏电阻器瓷料，使用该环形压敏电阻器瓷料制备的环形压敏电阻器，其电压在0～125°C的升温环境中变化不超过10%，可应用于较高的环境温度下工作的马达中，从而拓宽了环形压敏电阻的使用温度范围。

摘要： 本发明涉及一种环形压敏电阻器瓷料、制备方法与环形压敏电阻器及其制备方法。该环形压敏电阻器瓷料按摩尔百分数计包括：钛酸锶30～50mol%、钛酸钙15～35mol%、钛酸铅20～40mol%、五氧化二铌1～3mol%、氧化镧0.1～1mol%、三氧化二钴0.1～1.5mol%及二氧化钛1～4mol%。通过对主晶材料、半导化材料及助烧材料的成分和配比进行优化得到该环形压敏电阻器瓷料，使用该环形压敏电阻器瓷料制备的环形压敏电阻器，其电压在0～125°C的升温环境中不仅没有下降，反而有所上升，因而可以在100°C以上的工作环境温度下工作，工作环境温度的范围较宽。

摘要： 本发明公开了一种片式压敏电阻陶瓷粉料、片式压敏电阻器制备方法及产品。所述片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法通过将Bi2O3、Sb2O3、Ni2O3及部分ZnO进行预烧，初步生成焦绿石晶相，以在向混合物中加入预合粉料后，利用焦绿石晶相有效抑制晶粒的过度生长，改善ZnO陶瓷结构的均匀性，实现改善压敏电阻特性，同时提高陶瓷粉料的电压梯度。本发明能够提供一种高电压梯度、高性能的陶瓷粉料，使得可依靠陶瓷粉料生产出兼得小尺寸与高性能的片式压敏电阻器，以适用高压范围的小型电子产品。

摘要： 本发明公开了一种TiO2基高压压敏电阻材料，其由主原料、掺杂剂、烧结助剂和粘合剂组成；主原料采用化学纯TiO2，掺杂剂包括Nb、Ba、Sr、Ta、W的氧化物，烧结助剂包括Bi、Si、Sb、Mn、La的氧化物。所述粘合剂为聚乙烯醇。本发明还公开了一种TiO2基高压环形压敏电阻器的制备方法，以TiO2为主原料，通过调节掺杂剂用量及烧成工艺，可以获得不同电压范围的高压环形压敏电阻器，压敏电阻E1mA100～600V之间，最佳条件下可稳定在200～300V，非线性系数ɑ达到3.5以上，制备工艺简单，能耗较低，安全可靠。