单片集成电路

摘要： 本文介绍了一种基于砷化镓材料的高功率490~530 GHz单片集成三倍频器。基于提出的对称平衡结构,该三倍频器不仅可以实现良好的振幅和相位平衡,用来实现高效的功率合成,还可以在没有任何旁路电容的情况下提供直流偏置路径以保证高效倍频效率。同时,开展容差性仿真分析二极管关键电气参数与结构参数对倍频性能的影响研究,以便最大化提升倍频性能。最终,在大约80~200 mW的输入功率驱动下,研制的510 GHz三倍频,在490~530 GHz频率范围内,输出功率为4~16 mW,其中峰值倍频效率11%。在522 GHz频点处,该三倍频在218 mW的输入功率驱动下,产生16 mW的最大输出功率。该三倍频器后期将用于1 THz的固态外超外差混频器的本振源。

摘要： 基于军方应用电子产品的极端环境,介绍了采用热流罩测试的摸底价值.基于热流罩完全罩住被测器件,并持久保持在设定极限温度点,器件在极端环境温度下进行通电测试,可更准确地反映产品在极端环境下的真实特性.通过用热流罩和现行的烘箱测试方法对运算放大器进行对比测试来进一步论证其准确性.该测试方法为军用电子产品在高低温测试摸底提供了参考.

摘要： 针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2～4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA).该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放大器利用微带线作为源极负反馈元件,第二级采用局部并联负反馈拓宽带宽,并且通过共享双电源供电,减小面积并降低噪声系数.仿真结果表明,在工作频带内,噪声系数低于1 dB,增益高于30.6 dB,输入回波损耗低于-8 dB,输出回波损耗低于-10 dB,芯片面积为2 mm*1.5 mm,与其它文献相比,该放大器在S波段具有更加优异的性能.

摘要： 为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31～38 GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片.测试结果表明,该功率放大器芯片在31～38 GHz宽带范围内,线性增益为26～29 dB,饱和输出功率为21.5 dBm,动态电流低于100 mA,饱和效率≥37％,在32～35 GHz内最高效率达45％.

摘要： 针对当前太赫兹科学与技术发展的状态和瓶颈问题,重点讨论太赫兹电路中的核心部件——片上集成放大器的研究进展情况.根据太赫兹芯片设计和加工不同基底材料,比较了磷化铟和砷化镓制成化合物太赫兹放大单片与体硅和锗化硅制成的硅基片上集成放大器两大类,并对不同材料体系下的电路拓扑和指标进行了分析和总结.

摘要： 为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAspHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31~38GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片。测试结果表明,该功率放大器芯片在31~38GHz宽带范围内,线性增益为26~29dB,饱和输出功率为21.5dBm,动态电流低于100mA,饱和效率≥37%,在32~35GHz内最高效率达45%。

摘要： 研制了一款K波段(23～25 GHz)收发一体化多功能芯片.该芯片集成了单刀双掷开关(SPDT)、 接收支路低噪声放大器和发射支路高效率功率放大器.为兼顾低噪声和高效率功率特性,对电路的拓扑结构进行了优化选择和设计.在器件特征工作频点,采用开关模型、 噪声模型和非线性大信号模型进行联合仿真设计.测试结果表明,该收发一体多功能芯片在23～25 GHz范围内,接收支路增益23 dB、 噪声系数2.5 dB,工作电流仅为12 mA;发射支路增益为30 dB,1 dB压缩点输出功率为18.7 dBm,功率附加效率达到30％,动态电流仅为70 mA.芯片尺寸小,仅为3.5 mm×2.5 mm.

摘要： 研制了一种 T 型栅长为90 nm 的 InP 基 In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25 μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 mA/mm和1640 mS/mm.采用LRM+(Line-Reflect-Reflect -Match)校准方法实现系统在1~110 GHz全频段内一次性校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的误差,且测试数据的连续性较好.在国内完成了器件的1~110 GHz全频段在片测试,基于1~110 GHz在片测试的S参数外推获得的截止频率ft和最大振荡频率fmax分别为252 GHz和394 GHz.与传统的测试到40 GHz外推相比,本文外推获得的fmax更加准确.这些结果的获得是由于栅长的缩短,寄生效应的减小以及1~110 GHz全频段在片测试的实现.器件的欧姆接触电阻率减小为0.035 Ω· mm.%In this paper,90-nm T-shaped gate InP-based In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As pseudomorphic high electron mobility transistors(PHEMTs)with well-balanced cut-off frequency ftand maximum oscillation frequency fmaxare reported.This device with a gate-width of 2×25 μm shows excellent DC characteristics, including a maximum saturation current density Idssof 894 mA/mm,and a maximum extrinsic transconductance gm,maxof 1 640 mS/mm. The off-state breakdown voltage(BVoff-state)defined at a gate current of 1mA/mm is 3.3 V.The RF measurement is carried out covering the full frequency range from 1 to 110 GHz,an extrapolated ftof 252 GHz and fmaxof 394 GHz are obtained,respectively.These results are obtained by the combination of gate size scaling, parasitics re-duction and the on-wafer measurement in the full frequency band from 1 to 110 GHz.

摘要： 近年来，计算机技术、现代通信技术和自动控制技术高速发展，智能化家居系统也随着新技术的发展进入了千家万户，家居系统中如空调、电视、照明系统等，都使用遥控器进行控制。本文分析了单片集成电路在空调遥控器中的应用。

摘要： 日前，中国电科13所石墨烯射频领域取得里程碑式的成果，研制出国际首只石墨烯低噪声放大器单片集成电路。．石墨烯是最典型的二维材料，由曼彻斯特大学的Geim教授和Novoselov教授发现，并因此获得2010年诺贝尔物理学奖，引发全世界研究热潮。石墨烯因其超高载流子迁移率、超高热导率、超薄等优异特性，是制作高频电子器件的理想候选材料。

摘要： 概述AutoNet广域网分布数据库同步船岸空岸一体实时监控信息平台的每个节点,具有专用单片集成电路DRP2000,芯片内具有平台分布数据库,每个节点用户除了输出输入控制计算需编程外,系统平台数据整合及传送到平台数据库全部自动化,不需要编程,所有节点的芯片数据库通过广域网自动高速同步,每个节点的分布数据库就是全平台的总数据库,船上飞机上的实时数据高速同步到岸上节点分布数据库,自动形成了船岸空岸一体化,数据动态响应小于l毫秒,每个芯片具有平台一个区2048个库,平台允许512个区,即平台容量为51.2万实时数据库,51.2万个实时库自动嵌入到SQL等大型关系数据库中,能满足一个航运单位建立船舶动态大数据池的要求,由于芯片对平台流量带宽压缩了数万倍,占用的卫星或移动网络的资源很少,不但低成本运行,而且使全球船舶全部建立动态大数据池变为可行,应用本芯片能大大简化自动化系统,提高可靠性,大大减少工程量,促使自动化系统技术进步.本文介绍DRP2000芯片的结构与应用.，船舶与飞机的监控系统采用DRP2000芯片后，可以实现低成本实用的广域网分布数据库同步船岸空岸一体实时监控信息平台，以此岸上建立动态大数据池，实现指挥管理现代化，实现安全预警防止发生大事故，使世界不再打捞"黑匣子"，是一项世界级的科技大成果，科技改变世界，DRP2000芯片也是工业控制平台的先进芯片:能大大简化工业控制系统;并把局域网升级为广域网，实现全球制造;同时也能大大简化工控软件编制与调试工程;还能提高工业控制系统的安全。用途广泛，芯片应大规模生产推广。

摘要： 针对某单片集成电路检验试验过程中发现的内部金属多余物现象,通过分析验证,判定为银锡焊料环上的毛刺在烧结过程中发生软化,导致毛刺一端与盖板连接、另一端与管壳外焊点镀金层熔融形成致密连接,致使盖板与引脚导通,形成焊料锡合键合区的现象.经过技术改进,彻底解决了焊料锡合键合区的现象,取得了显著效果.

摘要： 同频信号之间的幅度和相位差测量是电子测量和信号检测处理的重要内容,在许多领域有着广泛的应用.本文介绍了一种基于单片集成电路AD8302的X波段幅相差测控系统的设计,可测量7GHz～10GHz范围内的信号,具有体积小、结构简单、测量频率范围宽、通用性好等优点.

摘要： 简要回顾微波集成电路的研究发展概况,介绍了国内外MMIC技术的发展现状,最后结合市场需求及相关技术的发展,探讨了MMIC研究的主要发展趋向.

摘要： 介绍了带驱动接收功能的抗辐射加固接口电路的基本功能，详细说明了自动测试系统的建立和及辐照试验方案，充分验证了该款电路的辐射指标——抗总剂量:100k rad(Si)，抗中子：3×1013n/cm2,抗剂量率:1×1011rad(Si)/s。

摘要： 介绍了带驱动接收功能的抗辐射加固接口电路的基本功能，详细说明了自动测试系统的建立和及辐照试验方案，充分验证了该款电路的辐射指标——抗总剂量:100k rad(Si)，抗中子：3×1013n/cm2,抗剂量率:1×1011rad(Si)/s。

摘要： 介绍了带驱动接收功能的抗辐射加固接口电路的基本功能，详细说明了自动测试系统的建立和及辐照试验方案，充分验证了该款电路的辐射指标——抗总剂量:100k rad(Si)，抗中子：3×1013n/cm2,抗剂量率:1×1011rad(Si)/s。

摘要： 介绍了带驱动接收功能的抗辐射加固接口电路的基本功能，详细说明了自动测试系统的建立和及辐照试验方案，充分验证了该款电路的辐射指标——抗总剂量:100k rad(Si)，抗中子：3×1013n/cm2,抗剂量率:1×1011rad(Si)/s。

摘要： 系统芯片(SoC)开发的核心是微处理器IP核，介绍了LEON微处理器软核的体系架构及IU, FPU等单元，论述了LEON微处理器自身的特点以及在SoC芯片开发中的优势;说明了片上总线对SoC芯片的重要性，具体说明了LEON微处理器所应用的AMBA总线结构及各自的工作方式、特点。

摘要： 系统芯片(SoC)开发的核心是微处理器IP核，介绍了LEON微处理器软核的体系架构及IU, FPU等单元，论述了LEON微处理器自身的特点以及在SoC芯片开发中的优势;说明了片上总线对SoC芯片的重要性，具体说明了LEON微处理器所应用的AMBA总线结构及各自的工作方式、特点。

摘要： 为了采用硅栅工艺实现高质量MIS集成电容器，硅电极是以条纹形状形成的，其边长与边宽比大于100∶1。该MIS集成电容器尤其适用于降低频率范围约为50到100MHZ的VLSI电路中的干扰。

摘要： 在一衬底上制造包括PIN二极管器件、HBT器件、HEMT器件和MESFET器件的组合的单片集成电路器件的方法，包括在衬底上淀积上述各器件之一的断面层，然后在该断面层上淀积第一介质层，刻蚀该断面层和介质层以限定第一器件断面，在露出的衬底上淀积第二断面层，选择性刻蚀第二断面以确定第二器件断面。该工艺可推广到在一公共衬底上单片集成两个以上的不同器件，只要先制作的器件稳定得足以承受制作后部器件所用的温度循环。

摘要： 本发明涉及一种石英晶体振荡驱动电路及其单片集成电路，其中，所述石英晶体振荡驱动电路由石英晶体、跨阻放大器、可变增益放大器和幅度检测单元构成。本发明中，跨阻放大器检测石英晶体一端的压电感应电流信号并转换为电压信号，再将该信号通过幅度检测单元来控制可变增益放大器的增益，最终使回路工作在稳幅正弦振荡状态；此外，前述石英晶体振荡驱动电路还可以适于进行单片集成，本发明的优点在于整体电路具有结构简单、体积小、功耗低以及适合标准CMOS工艺单片集成的优势。

摘要： 本发明公开了一种集成探针的毫米波单片集成电路模块及其制备方法，涉及毫米波集成电路技术领域。所述方法包括如下步骤：在衬底上制作毫米波单片集成电路；在衬底上制作探针，使探针直接与所述毫米波单片集成电路的输入端和输出端连接；采用背面分片的方式去掉探针与毫米波单片集成电路外侧的衬底，形成所述毫米波单片集成电路。

摘要： 本发明公开了一种包括多个晶体管的单片集成电路(IC)芯片，包括：衬底；第一晶体管，所述第一晶体管在衬底上；和第二晶体管，所述第二晶体管与第一晶体管集成地形成在衬底上，第二晶体管与第一晶体管具有不同的结构，其中，第一晶体管包括第一材料系统，第二晶体管包括与第一材料系统不同的第二材料系统。该单片IC芯片还包括与第一、第二晶体管集成地形成在衬底上的第三晶体管。第一晶体管可以包括氮化镓(GaN),第二和第三晶体管可以包括碳化硅(SiC)。

摘要： 本发明涉及一种石英晶体振荡驱动电路及其单片集成电路，其中，所述石英晶体振荡驱动电路由石英晶体、跨阻放大器、可变增益放大器和幅度检测单元构成。本发明中，跨阻放大器检测石英晶体一端的压电感应电流信号并转换为电压信号，再将该信号通过幅度检测单元来控制可变增益放大器的增益，最终使回路工作在稳幅正弦振荡状态；此外，前述石英晶体振荡驱动电路还可以适于进行单片集成，本发明的优点在于整体电路具有结构简单、体积小、功耗低以及适合标准CMOS工艺单片集成的优势。

摘要： 本发明设计的弱电流单片集成电路可恢复式保护电路，它的PNP三极管的发射极与保险丝一端连接，PNP三极管的基级连接限流电阻的一端，限流电阻的另一端连接保险丝另一端，PNP三极管的集电极连接NPN三极管的基极，NPN三极管的发射极用于连接直流稳压电源的接地端，PNP三极管的集电极连接负载电阻的一端，保险丝的另一端与负载电阻另一端连接，NPN三极管的集电极与发射极之间连接滤波电容，保险丝的另一端用于连接微控制器的第一电源接口，NPN三极管的发射极还用于连接微控制器的第二电源接口，保险丝的一端用于连接直流稳压电源的正极电源接口。本发明能起到对微处理器的隔离保护作用，可多次重复使用。

摘要： 本发明公开了一种直接驱动的LED灯装置电路和用于其的单片集成电路，其直接驱动的LED灯装置电路包括：一LED电流控制电路，其具有一电源开关单元；一电流传感单元，以及一误差信号放大器。一LED链电路由串联的数个LED灯与一电容并联后形成，其一侧电流为正极端，电流流出一侧设置为负极端。所述LED链电路和所述LED电流控制电路串联连接并且整个电路连接在一交流整流电源的正极端和负极端之间。

摘要： 本实用新型公开了一种集成电路芯片和毫米波单片集成电路多层混合展示台，包括展示板，展示板的顶部设置有展示卡槽，展示板的上表面连接有防护罩，展示板下表面的四端连接有伸缩杆，展示板的下表面连接有伸缩柱，伸缩柱的顶部设置有卡珠，伸缩柱的两侧设置有凹槽，伸缩柱的外壁连接有支撑柱，支撑柱外壁的两侧设置有拉柄，拉柄内壁的两侧连接有压缩簧，压缩簧与拉柄的一端连接有推板，推板的一侧连接有凸块，支撑柱的底部连接有基座，基座的中心处设置有存储箱，本实用新型中，通过与展示板相连结构的共同作用，可对其展示板的层数进行增加，便于对多组集成电路芯片和毫米波单片集成电路进行充分混合展示，使得其展示效果更佳。

摘要： 本实用新型公开了一种集成有电平转换、低压差线性稳压电源的单片集成电路，包括：集成在同一芯片上的电平转换电路、LDO和高压电源模块；LDO的输入端与外部电源相连，LDO的输出端与电平转换电路的低电压端相连，为电平转换电路提供信号处理的低压电源；高压电源模块的输入端与外部电源相连，高压电源模块的输出端与电平转换电路的高电压端相连，为电平转换电路提供信号处理的高压电源；电平转换电路的低电平端与芯片外部的系统控制电路相连，电平转换电路的高电平端与芯片外部被驱动的电子元件相连。本实用新型针对现有的应用需求，将电平转换电路、LDO集成在一块集成电路上，简化了系统应用，降低了成本。