单晶体

摘要： 首次提出了稀土掺杂的单晶体发光材料在电梯应急照明上的应用,稀土掺杂的单晶体发光材料发光性能出色、使用寿命长、适应多种恶劣环境等,可逐步替代目前的白炽灯或商用LED节能灯作为电梯的应急照明灯,有助于节能减排和稀土元素的有效利用,有着巨大的潜力和研究价值。

摘要： 氮化硼可以应用在制备半导体元器件方面,这是日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(C-BN)的最新技术成果,他们成功地制造了世界上第一个能在650°C温度下稳定工作的P-N结型二极管。在此之前,硅半导体广泛用作电子器件材料,但在200°C以上时失效。因此试图研究一种可用于极高温度环境,如外层空间和核反应堆的新型高温半导体材料。

摘要： 通过对实验室收到的三件浅紫色样品进行常规宝石学测试,记录下它们的颜色、透明度、光泽、密度和折射率等信息,然后在正交偏光镜下观察其结构特点,确定这三件样品分别为集合体、单晶体与集合体混合体和单晶体.最后使用大型仪器电子探针和红外光谱仪对这些样品进行了测试分析,确定三者的主要成分均为硬玉,因此这三件集合体硬玉、单晶体与集合体混合体硬玉和单晶体硬玉的命名分别为翡翠、硬玉和硬玉.

摘要： 2018年12月,位于圣彼得堡的New Diamond Technology LLC (NDT)公司取得了世界钻石培育史上的重大突破:培育出一颗重达103.50克拉的Ib型单晶体钻石,整体尺寸超过一英寸。NDT公司的CEO Alexander Koliadin表示,公司用短短14天就通过六面顶压机和高温高压法(HPHT)合成了这颗钻石。

摘要： 从古至今,宝石一直被人们视作珍宝,它代表着财富、地位,甚至是历史和文化,在很多神话故事中,宝石更被赋予了品格和精神.由此可见,无论时代如何变迁,人类对于宝石有着天生的迷恋.不过,随着科学技术的不断发展,"伪造"成了任何珍贵品面临的共同敌人,其中,宝石更是重灾区.由于鉴别难度大,造假成本低,伪造宝石逐渐泛滥,无数人上当受骗.今天,我就从宝石结构特性出发,讲述如何提高宝石的鉴定效率.

摘要： 使用数控焰熔法晶体生长炉生长钛酸锶单晶体,研究了气体参数、生长速度和退火工艺参数对晶体生长的影响。在氢氧比为2.5,等径生长速度保持在10mm·h^-1,生长出了直径26mm、等径长度20mm、总长40mm的钛酸锶单晶体,然后经过1550°C×72h+1000°C×20h+600°C×24h的退火,消除钛酸锶单晶体的热应力和氧空位,得到完整的高品质的单晶体。偏光显微镜测试表明,晶体具有很好的完整性。

摘要： 介绍了近期基于特定物理变形机理相继发展的一些应变突变理论模型,重点讲述了微米尺度金属单晶柱体应变突变现象的晶体塑性理论模型.该模型考虑了应变突变幅值的随机性,提出了间歇性塑性流动的边界条件,建立了应变突变发生的判定准则,引入了应变突变持续时间参数,获得了间歇性变形行为的应力-应变关系.有限元计算表明,模型预测结果能够较为合理、准确地描述特征尺寸处于数微米以上的微柱体间歇性塑性流动现象.

摘要： 制造IC 的硅片,不仅要求具有极高的平面度和极小的表面粗糙度,而且要求表面无变质层、无划伤.随着大直径硅片的应用,硅片的超精密磨削得到广泛的应用.IC 行业下游单晶硅利用率逐年提高,而依赖硅的电子工业也逐年加深,单晶硅生产要求,因此热工设计要求更加严格.

摘要： 澳大利亚的科学家报道称，人们通常认为易碎的单晶体其实具有足够的柔韧性来进行反复的弯曲，甚至可以连结在一起。昆士兰科技大学（QUT）和昆士兰大学（UQ）的研究人员测量了原子级的晶体弹性的结构机制。

摘要： 金红石单晶体拥有较高的双折射率,在可见-红外波段透过性良好,因此,作为特殊介电材料、红外窗口材料、制作光隔离器的材料等,被广泛地应用于现代光学通讯领域.然而,高品质金红石单晶体的生长技术仍然是国际上的难题,相关基础研究理论匮乏.人们尝试过多种方法生长金红石单晶体,但目前比较成功的只有光浮区法和焰熔法.分析了光浮区法和焰熔法的优势和不足.由于焰熔法可制备较大尺寸的晶体,且焰熔法生长设备的技术进步,使其晶体质量得到提高,因此,作为商品应用的金红石晶体主要还是焰熔法制备.指出了使用数字精密控制技术、基于传热学和流体力学设计的焰熔法晶体生长技术是金红石单晶体制备的重要发展方向.

摘要： @@人们在单相纯金属和合金单晶体的循环形变行为的研究上已取得了具有结论性的系列结果。这些结果往往有助于阐明沉淀硬化两相合金单晶体（尤其是面心立方FCC结构）的疲劳机制。

摘要： 文章利用Li3N-Mn复合助熔剂生长GaN单晶体，并对得到的GaN单晶体进行了表征，对表征的结果进行了讨论。研究结果表明：与Li3N助熔剂相比，Li3N-Mn复合助熔剂有利于GaN单晶体生长，在一定程度上抑制了GaN均匀形核的现象，有利于得到尺寸更均匀分布得GaN单晶体，得到GaN单晶体质量有所提高，而且GaN单晶体生长机制得到了加强。

摘要： 本文采用Hiroshi SUZUKI等人提出的多步回归分析方法,结合不对称布拉格衍射,对CdZnTe单晶片的残余应力进行了测量.与传统的单晶体应力测量方法比较,这种新方法可以准确测定平面应力状态下的单晶体应力而不受d0值不可靠所带来的影响.

摘要： 本文在高温高压极端条件下,利用三氧化钼和氧化镧在Ag坩锅中进行反应获得了LaAg(MoO)单晶体.并利用SEM和单晶X射线衍射方法对合成的单晶体进行了表征.结果表明晶体具有四方结构对称性,晶格常数为a=5.349(9)A,c=11.778(2)A.晶胞体积为337.(1)A.空间群为14/a(88),Mo原子位于4a(0,0,0),O原子位于16f(0.252(8),0.142(5),0.085(7),而La和Ag原子的位置占据一个位置4b(0,0,1/2).

摘要： 将配体4,6-二甲基嘧啶-2-硫代乙酸(Hdpmta)(L1)分别与锌(Ⅱ)、银(Ⅰ)和铜(Ⅱ)离子通过在室温下挥发溶剂,培养了3个相应的配合物单晶体[Zn(dpmta)2(1,2-DAP)]·2H20(1)，[Ag(dpmta)]2(2)和[Cu2(μ2-dpmta)4(CH30H)2]·3CH30H(3)。分析了配合物的晶体结构、电化学性质、配合物3在水溶液中的电极过程动力学参数。

摘要： 本文采用碲作溶剂的温度梯度溶液生长法(Temperature-gradientsolution-growth(TGSG))在SZY712多工位空间晶体生长炉内的835°C和50°C/cm温度梯度下自生籽晶生长了Cd0.955Zn0.045Te晶体.生长试验获得同试料组成相一致量的CdZnTe单晶体.对获得的晶体进行了扫描电镜、X射线结构分析.

摘要： REO1.5-BaO-CuOx系统的氧化物超导体从材料成分的角度,可分为REBa2Cu3O7-δ化合物(如YBa2Cu3O7-δ,简称YBCO或Y123)和RE1+xBa2-xCu3O7-δ固溶体(如Nd1+xBa2-xCu3O7-δ和Sm1+xBa2-xCu3O7-δ,简称NdBCOss和SmBCOss).YBCO超导材料非常容易获得精确化学计量比的123成分.而后者,作为固溶体材料的NdBCOss和SmBCOss,成分、结构和性能完全取决于晶体生长的热力学参数.本研究通过提拉法研制REBa2Cu3O7-δ单晶体,并结合REO1.5-BaO-CuOx系统的三元相图特征,讨论REBa2Cu3O7-δ单晶体生长中的成分、结构和性能的控制.

摘要： 通过对原材料、触媒及高压合成系统工艺的研究,采用Φ32-40mm腔体在新型复合触媒体系下合成出棕色立方氮化硼单晶.对所得立方氮化硼单晶体的性能考察表明:这种立方氮化硼晶体具有比较高的冲击韧性.

摘要： 采用激光激发荧光光谱法,在高纯激光晶体Er:YAG中检测出痕量Nd3+离子的特征荧光峰,在Pr:GdV04单晶中检测到痕量Nd3+和Yb3+的荧光发射,为研究发光机理和能量传输过程提供了依据.

摘要： 采用激光激发荧光光谱法,在高纯激光晶体Er:YAG中检测出痕量Nd3+离子的特征荧光峰,在Pr:GdV04单晶中检测到痕量Nd3+和Yb3+的荧光发射,为研究发光机理和能量传输过程提供了依据.

摘要： 本文公开了一种单晶体锭块生产设备，其包括：坩埚，熔体容置在其中；加热器，构造成加热坩埚；热屏蔽构件，构造成屏蔽来自加热器和熔体的辐射热量；和颈盖，构造成在坩埚上方包围晶种单元，该颈盖被引入热屏蔽构件的开口中，辐射热量在开口中不被屏蔽，该颈盖在预定范围内随着晶种单元的竖直运动而竖直地运动。

摘要： 通过从浮区结晶单晶体来生长单晶体的方法，所述浮区经感应加热以及所述结晶单晶体在旋转方向旋转，且所述旋转方向根据交替方案间隔性地反转，其特征在于：所述单晶体由于旋转方向的反转而处于静止状态期间的停留时间被限制到不超过60ms。

摘要： SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。

摘要： 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。

摘要： 本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。

摘要： 本发明公开了一种CuInS2单晶体的制备方法，把高纯原料粉末Cu、In、S均匀混合，真空封装入反应器，并用单一温区摇摆炉混晶的方法制备了CuInS2多晶锭，作后续籽晶和单晶生长的原料，然后用布里奇曼法制备小的CuInS2单晶块作籽晶，最后用磁场和籽晶辅助的移动加热法生长大的CuInS2单晶，本发明还公开了一种CuInS2单晶体制备装置，由反应容器、垂直炉和外加磁场系统组成。本发明改善了常规移动加热法制备CuInS2晶体时，生长速度较慢的问题，同时提高了晶体的生长速度和晶体的利用率，有效解决大直径单晶CuInS2的制备工艺问题，并为制备性能优越的CuInS2薄膜太阳电池提供理论和实践的基础。

摘要： 提供了一种用于使诸如有机半导体单晶体薄膜的有机单晶体薄膜成长的方法，所述方法允许控制有机单晶体薄膜的位置、尺寸、晶体方位等。包括有机化合物的有机半导体单晶体薄膜通过以下方式成长：将通过在溶剂中溶解有机化合物所制备的不饱和的有机溶液供应给基板(11)的成长控制区域(P

摘要： 本发明提供了一种五镓化镍铀单晶体的制备方法，包括以下步骤：在一保护气氛下，将原料装入一坩埚中并将带有所述原料的所述坩埚放置于一第一石英管内；将带有所述坩埚的所述第一石英管抽真空并密封；将带有所述坩埚的所述第一石英管装入一第二石英管内；将带有所述第一石英管的所述第二石英管抽真空并密封，得到一双层石英管；加热所述双层石英管；以及对所述双层石英管进行降温，从而得到所述五镓化镍铀单晶体。本发明提供的所述制备方法制备的五镓化镍铀单晶体的纯度高。本发明还提供一种由所述制备方法制备的五镓化镍铀单晶体及其应用。

摘要： 本发明提供了一种制备二氧化钒基单晶体的方法，所述方法包括：在流动惰性气体气氛中，将包含钒源的原料加热至950°C至1150°C之间的温度，并保持24小时至72小时，随后以不高于20°C/分钟的速度降温至室温，以得到二氧化钒基单晶体，其中，所述钒源是除钒之外不包含其他金属元素的含氧化合物，并且其中的钒为+4或+5价，氧与钒的摩尔比为2∶1以上。本发明制备的二氧化钒基单晶体是长度在1毫米以上且直径在100微米以上的棒状单晶。

摘要： 通过从浮区结晶单晶体来生长单晶体的方法，所述浮区经感应加热以及所述结晶单晶体在旋转方向旋转，且所述旋转方向根据交替方案间隔性地反转，其特征在于：所述单晶体由于旋转方向的反转而处于静止状态期间的停留时间被限制到不超过60ms。