单圈图

摘要： 通过引入保持偏序关系的几种图变换,讨论单圈图的无符号拉普拉斯系数,刻画了具有完美匹配单圈图的集合中关于无符号拉普拉斯系数的偏序关系的极小元和达到最小关联能量的极值图。

摘要： 任给一个连通图,高芳等人首先引进了G的一个不变量ΔM(G)=Mo(G)−irr(G),并提出一个问题:怎样确定所有含n个顶点的连通图G的ΔM(G)的极值,其中Mo(G)和irr(G)分别表示G的Mostar指标和不规则度.本文针对这个问题,刻画所有直径为3的单圈图和双圈图G的ΔM(G)的上界,并给出它们的极图.

摘要： 研究了复杂网络中k-单圈图问题,给出了k-单圈图的充要条件,并进一步探索了k-单圈图的若干性质.

摘要： 设Sym(n)是{1,···,n}上的对称群,T是Sym(n)中的一些对换所成的集合.设G(T)是顶点集为{1,···,n}的一个图,使得ij是G(T)的边当且仅当对换[i,j]在T中.本文证明当n≥4,G(T)是单圈图时,Sym(n)上由T生成的凯莱图的广义3-连通度为n-1.

摘要： 设G是n阶简单图,G的零特征值的重数记作G的零度(记作η(G)).本文考虑n阶(n≥6)单圈图,刻画η(G)=n-6和η(G)=n-7的所有n阶单圈图.

摘要： 图G=(V(G),E(G))的Sombor指标定义为SO(G)=∑_(v_(k)v_(l)∈E(G)√d(v_(k))^(2)+d(v_(l))^(2),其中d(v_(k))和d(v_(l))分别是点v_(k)和v_(l)的度.本文中,我们分别给出n阶单圈图第二大和第二小的Sombor指标,并刻画Sombor指标达到第二大和第二小时对应的极图.

摘要： 对于任意的α∈[0,1],Nikiforov提出了矩阵A_(α)(G)=αD(G)+(1-α)A(G),记为图G的A_(α)-矩阵,其中A(G)是G的邻接矩阵,D(G)是G的度对角矩阵.矩阵A_(α)(G)的最大特征值称为图G的A_(α)-谱半径.本文考虑有k个悬挂点的所有单圈图,确定了具有最大A_(α)-谱半径的图.

摘要： 图的谱矩是代数图论中一个重要的代数不变量。通过研究图的结构与谱矩之间的关系,找出在单圈图中所有能生成长为9或10的闭途径的子图,编写一个基于深度优先的搜索算法。通过这个算法可以得到单圈图的第9、10阶谱矩计算公式。

摘要： 图的特征值是图的重要指标,目前研究比较多的有图的邻接矩阵特征值,图的拉普拉斯矩阵特征值和图的距离矩阵特征值等等.一般来讲,图的关联矩阵不是方阵因而不存在特征值.图的关联矩阵是方阵当且仅当图是单圈图.在本文中,我们着重于计算单圈图关联矩阵的特征值,证明了其特征值完全反映了圈上的顶点个数和圈外的顶点个数,体现出了特征值能够反应图指标的重要作用.

摘要： 图的增强型萨格勒布指数(augmented Zagreb index,AZI)是化学图论中一种新的拓扑指数,在化学中有很多应用.该指数由Furtula等提出,已被证实在辛烷和正庚烷的热形成研究中是一个有价值的预测性指数.本文将计算一些特定树和单圈图的AZI数值.

摘要： 论证了在小横动量区域内半深度非弹性散射量子色动力学因子化公式.为完成因子化,引进了依赖于横动量的部分子分布函数和碎裂函数,并扣除了软胶子辐射.在单圈图的情形下,证明了因子化的成立,同时论证了在微扰论的任意阶该因子化的正确性。

摘要： 本实用新型涉及一种单基岛埋入单圈单芯片正装静电释放圈封装结构，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛正面设置有芯片（4），所述芯片正面与引脚正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛和引脚周围区域以及芯片和金属线外均包封有塑封料（6），所述引脚下部的塑封料表面上开设有小孔（7），所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球（9），所述金属球与引脚背面相接触，所述引脚（2）与引脚（2）之间跨接有无源器件（10），所述基岛与引脚之间设置有静电释放圈（11），所述静电释放圈正面与芯片正面之间通过金属线相连接。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

摘要： 本实用新型涉及一种单基岛露出单圈单芯片正装无源器件静电释放圈封装结构，它包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）与引脚（2）之间设置有静电释放圈（10），所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（2）周围区域以及芯片（4）和金属线（5）外均包封有塑封料（6），所述基岛（1）和引脚（2）下部的塑封料（6）表面上开设有小孔（7），所述小孔（7）内设置有金属球（9），所述引脚（2）与引脚（2）之间跨接无源器件（11）。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

摘要： 本实用新型涉及一种单基岛露出型单圈单芯片正装静电释放圈封装结构，它包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）与引脚（2）之间设置有静电释放圈（10），所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间以及芯片（4）正面与静电释放圈（10）之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）外围的区域、基岛（1）和引脚（2）之间的区域、引脚（2）与引脚（2）之间的区域均包封有塑封料（6），所述基岛（1）和引脚（2）下部的塑封料（6）表面上开设有小孔（7），所述小孔（7）内设置有金属球（9）。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

摘要： 本实用新型涉及一种单基岛埋入型单圈单芯片正装静电释放圈封装结构，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛正面设置有芯片（4），所述芯片正面与引脚正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛和引脚周围区域以及芯片和金属线外均包封有塑封料（6），所述引脚下部的塑封料表面上开设有小孔（7），所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球（9），所述金属球与引脚背面相接触，所述基岛与引脚之间设置有静电释放圈（10），所述静电释放圈正面与芯片正面之间通过金属线相连接。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

摘要： 本实用新型涉及一种单基岛埋入型单圈多芯片正装无源器件静电释放圈封装结构，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述芯片正面与引脚正面之间及芯片之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（2）周围区域以及芯片和金属线外均包封有塑封料（6），所述引脚下部的塑封料表面上开设有小孔（7），所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔（7）内设置有金属球（9），所述基岛与引脚之间设置有静电释放圈（10），所述引脚与引脚之间跨接有无源器件（11）。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

摘要： 本实用新型涉及一种多基岛埋入型单圈单芯片正装静电释放圈封装结构，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛有多个，所述多个基岛正面设置有芯片（4），所述芯片正面与引脚正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛和引脚周围区域以及芯片和金属线外均包封有塑封料（6），所述引脚下部的塑封料表面上开设有小孔（7），所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球（9），所述金属球与引脚背面相接触，所述基岛与引脚之间设置有静电释放圈（10），所述静电释放圈正面与芯片正面之间通过金属线相连接。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

摘要： 本实用新型涉及一种单基岛露出型单圈多芯片正装静电释放圈封装结构，它包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）与引脚（2）之间设置有静电释放圈（10），所述基岛（1）正面设置有多个芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间以及芯片（4）正面与静电释放圈（10）之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（2）外围的区域包封有塑封料（6），所述基岛（1）和引脚（2）下部的塑封料（6）表面上开设有小孔（7），所述小孔（7）内设置有金属球（9）。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

摘要： 本实用新型涉及一种单基岛埋入型单圈多芯片正装静电释放圈封装结构，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（2）周围区域以及芯片（4）和金属线（5）外均包封有塑封料（6），所述引脚（2）下部的塑封料（6）表面上开设有小孔（7），所述小孔（7）与引脚（2）背面相连通，所述小孔（7）内设置有金属球（9），所述基岛与引脚之间设置有静电释放圈（10）。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

摘要： 本实用新型涉及一种多基岛埋入单圈单芯片正装无源器件静电释放圈封装结构，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛有多个，所述多个基岛正面设置有芯片（4），所述芯片正面与引脚正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛和引脚周围区域以及芯片和金属线外均包封有塑封料（6），所述引脚下部的塑封料表面上开设有小孔（7），所述小孔内设置有金属球（9），所述引脚与引脚之间跨接有无源器件（10），所述基岛与引脚之间设置有静电释放圈（11），所述静电释放圈正面与芯片正面之间通过金属线相连接。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

摘要： 本实用新型涉及一种多基岛露出单圈单芯片正装无源器件静电释放圈封装结构，它包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）有多个，所述基岛（1）与引脚（2）之间设置有静电释放圈（10），所述多个基岛（1）正面设置有芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（2）周围区域以及芯片（4）和金属线（5）外均包封有塑封料（6），所述基岛（1）和引脚（2）下部的塑封料（6）表面上开设有小孔（7），所述小孔（7）内设置有金属球（9），所述引脚（2）与引脚（2）之间跨接无源器件（11）。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。