MP2

摘要： 随着5G的日益普及,越来越多的行业客户开始关注基于5G的MEC,运营商也一直希望通过MEC为行业客户带来差异化的网络能力和服务.在分析边缘云网络及平台架构的基础上,结合5G网络能力以及行业客户的重点业务需求,提出了基于MP2等接口的网络能力开放及网业协同方案,为运营商5G边缘云网业协同部署提供了借鉴和参考.

摘要： 新加坡教育信息化规划是新加坡政府为提升自身竞争力而进行的总体设计, 从1997年至今已经成功实施了MP1 (1997-2002年) 、MP2 (2003-2008年) 、MP3 (2009-2014年) 三次规划.文章通过解读三期规划的实施目标、策略、取得的成就, 分析其实施特点, 希望能为我国教育信息化提供可资借鉴的经验.

摘要： 通过量子化学计算方法MP2对H3XF (X = Ge, Si)和五种芳香环化合物(苯、吡啶、吡咯、呋喃、噻吩)形成的硅键复合物进行了研究。复合物的结合模式可分为两类,模式I复合物中X主要与芳香环碳原子发生硅键相互作用,模式II则主要与芳香环杂原子发生硅键相互作用。H3XF与所有芳香环化合物都能形成模式I复合物,稳定性顺序为:吡咯 >噻吩 >苯 >呋喃 >吡啶。H3XF则只能与三种芳香环化合物形成模式II复合物,稳定性顺序为:吡啶 >噻吩 >呋喃。分析表明模式I复合物均为π型硅键,而模式II复合物则各不同:吡啶模式II复合物为n型硅键,呋喃模式II复合物为n/π型硅键,噻吩模式II复合物为π型硅键。

摘要： Non covalent interactions are quite common in all kinds of π-systems, such as π-π interactions, long range/short range van der waal force of interactions, ion-π interactions etc. Ab initio calculations are well established and account well for the experimental long range interaction energies for small clusters of aromatic molecules and most of the calculations were carried out using the MPn methods. If a reasonably large basis set is used to calculate the stacking interaction energies for a cluster (dimer, trimer etc.) of aromatic molecules then the electron-electron correlation energy may be properly calculated. Moreover, ab initio calculations for aromatic π-systems show that the calculated stacking interaction energies highly depend on the basis set used and the electron correlation energy. In this investigation, the electron correlation of the stacked hydrated phenol systems has been accounted at MP2 level of calculations. We have calculated the π-π stacking interaction energies of the hydrated phenolic systems with different conformations.

摘要： This paper aims at studing the cooperativity between hydrogen bond and halogen bond in XH…HOCl…Y(X=F,Cl,Br, OH;Y=F,Cl,Br,OH,NH2 )complexes by using the MP2 method and 6-311++G(d,p)basis set. During the study,the bond lengths,intermolecular interaction energies and vibration frequencies were calculated in XH…HOCl,HOCl…YH and XH…HOCl…YH complexes. The result shows that when compared with XH…HOCl,HOCl…YH systems,the XH…HOCl…YH complexs has shorter bond lengths but greater intermolecular interaction energies and higher vibration frequencys. Through AIM analysis and a comparison of the change of the electron density at the bond critical points between the two complexes,the results show that the electron density have obvious increase in the XH…HOCl…YH complexes. Besides,the results also show that all the bonds belong to the weak interactions and they have stronger electrostatic interaction compared with XH…HOC1 and HOCl…YH complexes. All these above analysis indicate that cooperativity exists between hydrogen bond and halogen bond inXH…HOCl…YH complexes.%采用MP2方法在6-311＋＋G（d，p）基组水平上对三分子体系XH…HOCl…YH（X＝F，Cl，Br，OH；Y＝F， Cl，Br，OH，NH2）中氢键和卤键之间的协同效应进行了研究。研究过程中计算了二体XH…HOCl中氢键，二体HOCl…YH中卤键和三体XH…HOCl…YH中氢键和卤键的键长、分子间的相互作用能以及它们的振动频率。发现和二体相比，三体中氢键和卤键的键长缩短，分子间的相互作用能增大，振动频率增大。再通过AIM分析，比较了二体、三体中氢键和卤键键鞍点处电子密度强弱的变化，结果电子密度在三体中明显增大，分析结果还显示氢键和卤键属于分子间弱相互作用的范畴，它们的静电作用和二体相比也有所增强。这些现象都表明三体中氢键和卤键之间存在正的协同效应。

摘要： 目前,广播电台传统的节目制作流程相对繁琐,消耗了编辑制作人员大量的时间和精力.针对这一现状,本文详细阐述了如何科学合理借鉴运用Audition编辑软件,从而实现广播节目制作流程中的高效高质批量化,最终达到节目编辑制作流程的事半功倍效果.

摘要： 在Lanl2dz和6-311++G(3df,2pd)不同的基组水平上,采用量子化学方法分别对Zn2+和AlCl2+改性后的NaAlCl4催化制备(CH3)2SiCl2的反应机理进行了研究.计算结果表明:Zn2+改性NaAlCl4后速控步骤为催化剂吸附(CH3)3SiCl的过程;而AlCl2+改性NaAlCl4后机理中速控步骤为CH3SiCl3与催化剂一并吸附(CH3)3 SiCl所形成的中间体(CH3AlCl2/X-ZSM-5)的过程.综合分析得知:两通道的速控步骤活化能相差79.11 kJ·mol-1,AlCl2+有利于反应进行,而Zn2+对反应有负面影响.这与前线轨道分析结果一致.

摘要： The two transition states have been investigated using the MP2 theory between cis-HOOOH and trans-HOOOH. The results shows that:(1) trans-isomers is more stable than cis-isomers;(2) there are two pathways of the conversion between the trans-HOOOH and cis-HOOOH.%采用MP2/6-31G(D,P)方法对HOOOH的反式和顺式转化机理进行了详细计算研究。计算结果表明：(1) HOOOH的反式比顺式结构稳定；(2)两种稳定构型的异构化反应机理存在两种路径。

摘要： 本文采用DFT-B3LYP和MP2(full)方法对三聚体Cl–…苯氰…H2O中O/C–H…Cl–阴离子氢键与传统氢键O–H…N和C–H…O之间的协同效应、热力学性质以及芳香性进行了研究.结果表明阴离子氢键O/C–H…Cl–对O–H…N或 C–H…O相互作用的影响更显著.在线性结构中发生正协同效应，熵变是促进热力学协同效应的主要因素，而在环状结构中发生反协同效应，焓变成为主要因素.在三聚体形成过程中，苯氰环的芳香性是减弱的，而苯氰中π→π∗共轭效应是增强的.结果表明，协同效应能Ecoop.分别与 Rc ( NICS (1) ternary/NICS (1) binary )，ΔΔδ(Δδternary -Δδbinary )， Rc′(( NICS (1) ternary - NICS (1)binary)/NICS (1)binary)和RBDE(C–CN)(BDE(C–CN)ternary/BDE(C–CN)binary)均具有良好的线性关系.同时， AIM的分析也佐证了协同效应的存在.%The cooperativity effects between the O/C–H…Cl–anionic H-bonding and O–H…N and C–H…O H-bonding interactions, thermodynamic properties and aromaticities in Cl–…benzonitrile…H2 O comple-xes are investigated using the B3LYP and MP2(full) methods. The result shows that the influence of the O/C–H…Cl–anionic H-bonding interaction on the C–H…O is more pronounced than that on the O–H…N in-teraction. The cooperativity effect appears in the linear conformation while the anti-cooperativity effect is found in the cyclic structure. The enthalpy change is the major factor driving the cooperativity in forming the linear ter-nary complex while entropy change turns into the favorable factor in forming the cyclic system. The aromaticity of the benzonitrile ring is weakened and theπ→π∗conjugative effect between the ring and C≡N bond is strength-ened upon the ternary-complex formation. To our interest, the cooperativity effect correlates well with Rc(NICS (1)ternary/NICS (1)binary),ΔΔδ (Δδternary– Δδbinary), Rc′((NICS (1)ternary– NICS (1)binary)/NICS (1)binary) and RBDE(C–CN)(BDE(C–CN)ternary/BDE(C–CN)binary), respectively. AIM (atoms in molecules) analysis confirms the existence of cooperativity.

摘要： 本发明属于半导体领域，提供了一种MPS二极管的制备方法及MPS二极管，包括以下步骤：在第一外延层的上表面形成出第二外延层；在第二外延层的上表面形成第三外延层，其中，第三外延层的掺杂浓度小于第二外延层的掺杂浓度，第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度；在第三外延层中形成漂移掺杂区，其中，漂移掺杂区的深度大于第三外延层的厚度；在第三外延层和漂移掺杂区上表面形成阳极金属层，在第一外延层的下表面形成阴极金属层。在MPS二极管正向开启时，MPS二极管电阻率低，当反向开启时，第二外延层和第三外延层呈现高电阻状态，可降低阳极金属层下方的表面电场强度分布，解决了MPS的漏电流较大的问题。

摘要： 本发明属于半导体领域，提供了一种应用于MPS二极管的外延片结构及MPS二极管，外延片结构包括依序层叠设置的第一外延层、第二外延层以及第三外延层；其中第一外延层的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度，第二外延层的掺杂浓度大于第三外延层的掺杂浓度；且第三外延层与MPS二极管的阳极金属层接触，第一外延层与MPS二极管的阴极金属层接触；MPS二极管的漂移掺杂区设于第三外延层中，且与第二外延层和阳极金属层接触，在MPS二极管正向开启时，MPS二极管电阻率低，当反向开启时，第二外延层和第三外延层呈现高电阻状态，可降低阳极金属层下方的表面电场强度分布，解决了MPS的漏电流较大的问题。

摘要： 提供了一种具有字幕显示功能的字幕MP3播放器、一种字幕MP3数据格式和一种再现字幕MP3数据的方法,当音频数据从立体声系统中输出时,上述字幕MP3播放器与对应的音频信息同步显示字幕信息。上述字幕MP3播放器包括:存储部,用于存储输入其中的音频信息和对应的字幕信息;信号分离部,用于分离从存储部提供的音频信息和字幕信息;控制部,用于控制存储部所进行的信息的存储和输出,和控制信号分离部所分离的音频信号和字幕信号的互相同步;和字幕输出部,用于输出与音频信息同步的字幕信息,所述音频信息对应于字幕信号并从音频输出部输出。

摘要： 本发明公开的碳化硅MPS二极管，包括：从下至上叠层设置的阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底及碳化硅N‑外延层；在碳化硅N‑外延层的顶部形成有两个P+注入区，两个P+注入区分别通过两个P+埋层Ⅱ与两个P+埋层Ⅰ的顶部接触，P+注入区、P+埋层Ⅰ的宽度大于P+埋层Ⅱ；在两个P+注入区的顶部设置有两个欧姆接触电极，在两个欧姆接触电极之间设置肖特基接触电极。利用窄的P+埋层Ⅱ连接P+注入区和P+埋层Ⅰ，在外延层内部增加了PN结比例，消除了MPS二极管正向导通时的snapback现象；同时降低MPS二极管从单极性工作状态到双极性工作状态的转折电压，从而使二极管在较低的正向电流下进入双极性工作状态，使二极管的大电流工作温度降低，拥有更高的抗浪涌电流能力。

摘要： 本发明揭示了一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管，依次由阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底、碳化硅N‑外延层层叠构成，所述碳化硅N‑外延层上间隔设置有多个P+注入区，所述P+注入区上设有欧姆接触电极，所述欧姆接触电极之间的间隙由肖特基接触电极填充，所述碳化硅N‑外延层两侧均设有双极性传输层。本发明MPS二极管由于变掺杂的双极性传输层存在，降低了MPS二极管的PN结导通电压，使二极管可以在更低的电流下提前进入双极性工作状态，发生电导调制效应，使二极管的导通电阻降低，降低二极管在大电流下的芯片温度，从而提高二极管的抗浪涌电流能力，也能提高MPS二极管的反向击穿电压。

摘要： 本发明涉及一种集成了MPS二极管的碳化硅MOSFET，所述半导体主体包括源极沟槽、栅极沟槽、N‑漂移区、N+衬底，所述N+衬底的下方覆盖了金属化漏极，N+衬底的上表面与N‑漂移区的下表面接触；在源极沟槽中围绕设置了P+型区，且P+型区设置在N‑漂移区上；在栅极沟槽中填充多晶硅并刻蚀形成分离栅极；在P+型区的上表面覆盖了金属化源极，所述金属化源极具有延展结构，所述延展结构穿过栅极与N‑漂移区接触，所述栅极与延展结构之间通过场氧化物隔离。本方案将快恢复混合型PIN肖特基二极管集成在碳化硅MOSFET结构中，对比传统的沟槽型碳化硅MOSFET外接二极管的形式，在不损失碳化硅MOSFET功耗的情况下减少其外围器件的使用数量，并且实现了减少开关损耗的目的。

摘要： 本发明提供的一种n型氧化镓‑p型金刚石的MPS二极管及其制备方法，采用更容易制备的p型金刚石代替难以实现的p型氧化镓形成异质PN结，阳极与外延层材料接触位置采用阵列式二阶倾斜凹槽结构，相比于常规的凹槽结构减小了材料接触处的曲率，从而极大的抑制了接触位置的电场集中效应。另一方面增大了阳极金属与p型材料的接触面积，改善欧姆接触特性，降低欧姆接触电阻，从而降低二极管的导通电阻；且p型金刚石具有更高的热导率、更宽的禁带宽度，能够提升二极管散热以及耐压性能。

摘要： 本实用新型属于半导体领域，提供了一种应用于MPS二极管的外延片结构及MPS二极管，外延片结构包括依序层叠设置的第一外延层、第二外延层以及第三外延层；其中第一外延层的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度，第二外延层的掺杂浓度大于第三外延层的掺杂浓度；且第三外延层与MPS二极管的阳极金属层接触，第一外延层与MPS二极管的阴极金属层接触；MPS二极管的漂移掺杂区设于第三外延层中，且与第二外延层和阳极金属层接触，在MPS二极管正向开启时，MPS二极管电阻率低，当反向开启时，第二外延层和第三外延层呈现高电阻状态，可降低阳极金属层下方的表面电场强度分布，解决了MPS的漏电流较大的问题。

摘要： 本实用新型公开了一种mp3、mp4、mp5保护盒，包括盒体和设置在盒体上的盒盖，盒体包括用于放置mp3、mp4或mp5的主盒体和与主盒体相邻的用来放置耳机的副盒体，主盒体和副盒体之间的挡板上设有耳机连接孔。本实用新型能够对mp3、mp4或mp5及其耳机起到很好的保护作用。

摘要： 本实用新型涉及一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上形成沟槽，并在沟槽内设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于多晶体SiC层的设置，改善了阳极金属和P网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。