半导体设计

摘要： 国产EDA行业的领军企业芯和半导体,在近日举行的全球半导体设计大会Design Con 2022上正式发布了新品Hermes PSI。这是一个针对封装与板级信号及电源完整分析的EDA分析平台。本届Design Con 2022大会在美国加州的圣克拉拉会展中心举办,从4月5日到4月7日,为期三天。Hermes PSI是芯和半导体发布的首款电源完整性分析工具。

摘要： 翻开国民技术的发展历史,不经意间发现这家“小而美”的企业拥有不一样的特点。和其他Fabless轻资产半导体厂商不同,公司除了集成电路和关键元器件之外,在锂离子电池产业链中也有所斩获。在下游市场需求和国内政策的双驱动下,国内半导体设计企业能力突飞猛进,逐步向国际先进水平靠近。国民技术股份有限公司便是这样一位在低调中前行的信息安全守卫者。

摘要： 作为半导体设计工程师的你一定能深深体会到一款可信赖的Spice软件在设计过程中有多重要。以Spice模拟算法为核心的软件被各厂家纷纷推出,诸如Vspice、Hspice、Pspice等等。据了解,Cadence公司的PSpice被用户认为是最精确的基于Spice的模拟器之一,它之所以有如此高度评价,是因为首先此软件有应力测试,可以帮助客户提前了解到整个设计周期中最主要的应力需要提高的点在哪里?其次,它可以支持用户的定制版本,如此客户可以更好的了解对于输入输出等仿真特性的要求。另外,PSpice全功能版本有一个强大的仿真优势.

摘要： 盈利能力下滑、资金压力陡增,偿债承压。韦尔股份亟待破局。继汇顶科技之后,韦尔股份(603501.SH)市值曾一度突破千亿,成为A股第二家市值破千亿的半导体公司。然而三季报在高市值的衬托下更显差强人意。营收虽增长39.93%,但扣非净利润依旧延续下滑态势,同比下滑74.4%。虽然标榜芯片设计公司,但实际创收份额有限。主营结构中分销业务占比将近90%。其并购豪威科技和思立微,从而由半导体设计及分销杀入到CIS领域,因此名噪一时。

摘要： 9月5日,华为新一代手机芯片麒麟980正式在国内发布,麒麟980的发布堪称麒麟系列芯片的一次重大提升。据悉,麒麟980项目研发耗资超过3亿美元,2015年就已经立项开始,包括联合台积电进行7nm工艺研究、定制特殊基础单元和构建高可靠性IP、SoC工程化验证,2017年进行工程验证,2018年投入量产。除此之外,为了研发麒麟980,华为和台积电投入了1000多名半导体设计和工艺高级专家,前后使用了5000多块工程验证板。

摘要： 德州仪器（TI）是全球领先的半导体设计及制造厂商，以开发模拟集成电路及嵌入式处理器为主。日前，德州仪器（TI）携不同行业的合作伙伴在京举办创新应用交流会，集中展示TIDLP。技术在不同领域的解决方案，从3D机器视觉、3D打印、光谱分析以及数字曝光等不同角度，呈现光控技术的全新价值。

摘要： ANSYS近日宣布ANSYS RedHawk^TM和ANSYS Totem^TM成功通过台积电的最新版5nm Fin—FET工艺认证。通过工艺认证和一系列综合半导体设计解决方案，ANSYS和台积电能够支持双方共同的客户满足新一代移动和高性能计算（HPC）应用领域日益增长的要求。

摘要： 据CyberScoop网站2018年4月4日消息,DARPA近日向美国Tortuga Logic公司授予合同,旨在开发芯片硬件安全解决方案.该合同属于DARPA“硬件固件整合系统安全”（SSITH）计划的一部分.TortugaLogic公司是一家硬件安全公司,提供安全验证平台,以减少识别现代半导体设计中安全漏洞所需的工作量.在合同框架下,TortugaLogic将通过整合硬件安全模型与商业仿真平台,以在芯片制造或配置现场可编程门阵列（FPGA）之前检测、发现设计中存在的安全漏洞.

摘要： 德州仪器（TI）是全球领先的半导体设计及制造厂商，以开发模拟集成电路及嵌入式处理器为主。在3月举办的慕尼黑上海光博会上，德州仪器（TI）携不同行业的合作伙伴，展示TIDLP技术在不同领域的工业解决方案，从3D机器视觉、3D打印、光谱分析以及数字曝光等不同角度，呈现光控技术的全新价值。

摘要： 据外媒报道，三星电子将供应半导体给美国电动车制造商特斯拉汽车，后者还将准备与三星合作，共同开发生产特斯拉汽车的自驾功能芯片，三星也将负责芯片的代工制造、据之前报道消息，特斯拉曾经和以色列的计算机视觉识别公司Mobileye合作，获得了一部分半导体设计的技术。不过今年年中时候，

摘要： 提供了一种半导体器件、半导体器件设计方法、半导体器件设计装置以及程序。一种电势供应连接互连设置在多层互连层中。该电势供应连接互连在平面图中与外周界单元列中的I/O单元中的某些单元以及内周界单元列中的I/O单元中的某些单元重叠。该电势供应连接互连将位于外周界单元列之下的电源电势供应互连连接到位于内周界单元列之下的电源电势供应互连，并且还将位于外周界单元列之下的接地电势供应互连连接到位于内周界单元列之下的接地电势供应互连。

摘要： 本发明提供了一种半导体器件、半导体器件设计方法、半导体器件设计装置以及程序。一种电势供应连接互连设置在多层互连层中。该电势供应连接互连在平面图中与外周界单元列中的I/O单元中的某些单元以及内周界单元列中的I/O单元中的某些单元重叠。该电势供应连接互连将位于外周界单元列之下的电源电势供应互连连接到位于内周界单元列之下的电源电势供应互连，并且还将位于外周界单元列之下的接地电势供应互连连接到位于内周界单元列之下的接地电势供应互连。

摘要： 碳化硅半导体装置包括:第一导电型碳化硅层32,第二导电型碳化硅层36,栅极沟槽20,被设置在栅极沟槽20内的栅极电极79,以及直到比栅极沟槽20更深的深度处被形成的保护沟槽10。在水平方向上，包含栅极沟槽20，以及将栅极沟槽20的仅一部分在水平方向上包围的保护沟槽10这两者的区域成为单元(cell)区域，在水平方向上，包含保护沟槽10，且设置有栅极衬垫89或者与该栅极衬垫89相连接的布置电极的区域成为栅极区域。在单元区域中的栅极沟槽20的上方以及栅极区域中设有第二导电构件81，该第二导电构件81被设置为经过单元区域中不设有保护沟槽10的地方的上方，从栅极沟槽20的上方起延展到栅极区域。

摘要： 碳化硅半导体装置包括:第一导电型碳化硅层32,第二导电型碳化硅层36,栅极沟槽20,被设置在栅极沟槽20内的栅极电极79,以及直到比栅极沟槽20更深的深度处被形成的保护沟槽10。在水平方向上，包含栅极沟槽20，以及以开口的状态将栅极沟槽20的至少一部分在水平方向上包围的保护沟槽10这两者的区域成为单元(cell)区域，在水平方向上，包含保护沟槽10，且设置有栅极衬垫89或者与该栅极衬垫89相连接的布置电极的区域成为栅极区域。被包含在单元区域中的保护沟槽10具有在水平方向上直线延伸的多个单元区域直线沟槽11。而且，单元区域直线沟槽11间的水平方向距离D

摘要： 在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R

摘要： 提供了一种半导体器件、半导体器件设计方法、半导体器件设计装置以及程序。一种电势供应连接互连设置在多层互连层中。该电势供应连接互连在平面图中与外周界单元列中的I/O单元中的某些单元以及内周界单元列中的I/O单元中的某些单元重叠。该电势供应连接互连将位于外周界单元列之下的电源电势供应互连连接到位于内周界单元列之下的电源电势供应互连，并且还将位于外周界单元列之下的接地电势供应互连连接到位于内周界单元列之下的接地电势供应互连。

摘要： 提供了一种半导体器件、半导体器件设计方法、半导体器件设计装置以及程序。一种电势供应连接互连设置在多层互连层中。该电势供应连接互连在平面图中与外周界单元列中的I/O单元中的某些单元以及内周界单元列中的I/O单元中的某些单元重叠。该电势供应连接互连将位于外周界单元列之下的电源电势供应互连连接到位于内周界单元列之下的电源电势供应互连，并且还将位于外周界单元列之下的接地电势供应互连连接到位于内周界单元列之下的接地电势供应互连。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 碳化硅半导体装置包括:第一导电型碳化硅层32,第二导电型碳化硅层36,栅极沟槽20,被设置在栅极沟槽20内的栅极电极79,以及直到比栅极沟槽20更深的深度处被形成的保护沟槽10。在水平方向上，包含栅极沟槽20，以及将栅极沟槽20的仅一部分在水平方向上包围的保护沟槽10这两者的区域成为单元(cell)区域，在水平方向上，包含保护沟槽10，且设置有栅极衬垫89或者与该栅极衬垫89相连接的布置电极的区域成为栅极区域。在单元区域中的栅极沟槽20的上方以及栅极区域中设有第二导电构件81，该第二导电构件81被设置为经过单元区域中不设有保护沟槽10的地方的上方，从栅极沟槽20的上方起延展到栅极区域。

摘要： 碳化硅半导体装置包括:第一导电型碳化硅层32,第二导电型碳化硅层36,栅极沟槽20,被设置在栅极沟槽20内的栅极电极79,以及直到比栅极沟槽20更深的深度处被形成的保护沟槽10。在水平方向上，包含栅极沟槽20，以及以开口的状态将栅极沟槽20的至少一部分在水平方向上包围的保护沟槽10这两者的区域成为单元(cell)区域，在水平方向上，包含保护沟槽10，且设置有栅极衬垫89或者与该栅极衬垫89相连接的布置电极的区域成为栅极区域。被包含在单元区域中的保护沟槽10具有在水平方向上直线延伸的多个单元区域直线沟槽11。而且，单元区域直线沟槽11间的水平方向距离D