化学蚀刻

摘要： 应用实验测量结合数值模拟的方法研究了蚀刻后折角圆弧对折线微通道内流动换热特性的影响。实验测量结果表明,化学蚀刻过程中的侧蚀现象必然导致折线流道折角处产生圆弧过渡,且圆弧半径随流道倾角的增加呈幂函数衰减。数值模拟结果表明:扰流角处圆弧过渡将显著顺滑流动而不显著地降低换热,45°流道倾角时,折角处圆弧过渡可使单位长度压降减小约91.9%,Nu最大将减小12.5%;当流道倾角<45°时,导流角弧度半径影响较小,建立流道模型时可设定导流角弧度半径等于扰流角弧度半径以简化模型;折角处圆弧过渡的复合折线流道形式是折线微流道结构优化的重要方向,且流道倾角越大优化效果越明显。

摘要： 采用碱性蚀刻液与聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)发生水解反应的化学蚀刻方法对遮光片内孔壁进行消光处理,实验设置预实验和正交试验法,在高温条件下进行预实验对PET膜进行蚀刻,再对遮光片进行消光。通过分光光度计检测PET膜的透光率,扫描电子显微镜观察经过蚀刻后的遮光片是否呈现出凹凸雾面状态。结果表明,预实验中氢氧化钠溶液蚀刻后的PET膜较氢氧化钠与碳酸钠混合液蚀刻后PET膜透光率低,且氢氧化钠与碳酸钠混合液蚀刻的PET膜透光率较原PET膜的透光率相差不大,且经氢氧化钠蚀刻后的遮光片内孔壁呈现凹凸雾面状态。当蚀刻液为氢氧化钠溶液,反应温度为80°C,反应时间为15 min时,遮光片的内孔壁雾面程度越大,消光效果最佳。

摘要： 近代物理所在聚合物亚纳米孔道研制方面获进展 中国科学院近代物理研究所材料研究中心的科研人员采用重离子辐照技术,结合紫外光敏化和脉冲电场蚀刻,在PC膜中可控制备出平均孔径小于2.4~9.7埃的亚纳米孔道。研究表明,制备出的亚纳米孔道具有良好的阳离子选择性,并且表现出电压激活的离子非线性传输行为,该行为不同于传统化学蚀刻核孔膜的欧姆型离子输运形式。

摘要： 介绍了一种自动化的卷对卷化学蚀刻工艺,主要包含表面清洁、贴膜、模切、排废、蚀刻和撕膜六大工序,介绍了各工序的控制要点和质量管控事项.

摘要： 为探究斑马鱼胚胎接受α 粒子辐照剂量的计算方法,以模式生物斑马鱼为研究对象,使用能量为5.41 MeV的241 Am为α粒子辐照源对受精后5 h脱绒毛膜的胚胎进行辐照处理,以12μm厚的聚酯迈拉膜为固体核径迹探测器,利用正交实验筛选迈拉膜化学蚀刻的最优蚀刻条件,用显微镜观测迈拉膜上的粒子径迹数量,并通过计算胚胎相关参数,计算得到5 hpf斑马鱼胚胎受到的最大辐照剂量值.结果分析表明,12μm厚的聚酯迈拉膜化学蚀刻的最佳条件是蚀刻液KOH浓度6 mol/L,温度60°C,蚀刻时间3 h,此时粒子径迹轮廓清晰,大小适中.辐照5 min后,斑马鱼胚胎受到的最大剂量为约8.59 mGy,剂量率为约1.7 mGy/min.

摘要： 目的提出一种光学玻璃机械加工亚表面损伤深度的检测方法,给光学玻璃超精密抛光的加工深度提供参考依据。方法首先通过实验分析K9玻璃研磨试样在化学蚀刻过程中亚表面裂纹的结构变化,采用探针式粗糙度仪检测化学蚀刻表面的裂纹深度,并探讨探针半径和化学蚀刻时间对裂纹深度测量结果的影响,建立以蚀刻表面峰谷粗糙度(PV)表征亚表面裂纹深度的测量条件。然后利用激光共聚焦显微镜检测化学蚀刻表面PV粗糙度,确定光学玻璃的亚表面裂纹深度。最后采用截面抛光法直接检测光学玻璃的亚表面裂纹深度,验证上述两种检测方法的可靠性。结果以蚀刻表面PV粗糙度表征亚表面裂纹深度的测量条件为,测量介质须在蚀刻表面裂纹开始融合之前有效探测至裂纹底部。针对W18和W40磨粒研磨的K9玻璃试样,采用激光共聚焦显微镜检测蚀刻表面PV粗糙度方法测得的两种试样裂纹深度为12.82μm和20.45μm,直接测量方法的测量结果为12.50μm和19.34μm。两种方法测量结果的偏差分别为2.56%和5.74%,一致性较好。结论基于化学蚀刻和激光共聚焦显微镜检测光学玻璃亚表面损伤深度的方法不受表面裂纹宽度限制,满足以蚀刻表面PV粗糙度表征亚表面损伤深度的测量条件,且对试样损伤较小,提高了光学玻璃亚表面损伤深度的测量效率和结果可靠性。

摘要： 以汽车方向盘模具零件为例,分析模具零件表面皮纹采用化学蚀刻工艺加工的缺点与激光雕刻技术加工的优势及关键技术,使方向盘表面皮纹设计由被动模式变为主动模式,不再受限于加工工艺,可以进行3D立体化设计及加工,为方向盘表面皮纹加工进行创新设计提供可能,也为其他企业应用激光雕刻技术提供参考。

摘要： 设计了一种基于乙二胺四乙酸(EDTA)蚀刻的"关-开"模式的CdTe/CdS核壳量子点(QDs)的荧光传感器,具有高灵敏,高选择性,快速检测水环境中痕量Cd2+的优点.EDTA通过在CdTe/CdS QDs表面进行化学蚀刻,使CdTe/CdS QDs表面的Cd2+流失而和EDTA络合,在QDs表面形成空穴,得到特定的Cd2+识别位点,从而导致荧光猝灭.Cd2+的引入可以选择性的识别这些位点,使得EDTA-QDs体系的荧光恢复.在优化的工作条件下,该荧光传感器的线性响应范围为10μg/L～300μg/L和300μg/L～1000μg/L,实现了Cd2+在较大范围的测定要求,线性相关系数分别为0.997、0.985,检出限为0.22μg/L(0.002μmol/L).达到了国家二类水质标准(GB/T 14848-93)对Cd2+的检出限要求.此外,该荧光传感器对其他干扰离子的选择性优于1％,在实际水样检测中具有良好的实用性.

摘要： 微电子技术飞速发展,特别是集成电路的高集成化,以及高密度封装技术的快速进步,推动了高密度挠性印制电路板制造技术的高速发展.高密度互连结构的挠性印制电路的导线间距越来越窄、导线的宽度越来越精细,孔径日趋减小,结构越来越复杂,要求悬空引线、盲孔结构或双面连接的单面挠性印制电路,加工技术难度系数越来越高,采用传统的制作方法难以满足导线尺寸和精度的要求.本文介绍了化学蚀刻聚酰亚胺工艺方法,以及在挠性印制电路及刚挠结合板制作中的几个应用实例.

摘要： 微电子技术飞速发展,特别是集成电路的高集成化,以及高密度封装技术的快速进步,推动了高密度柔性印制电路板制造技术的高速发展。高密度互连结构的双面连接的单面挠性板的导线间距越来越窄、导线的宽度越来越精细,加工技术难度系数越来越高,采用传统的制作方法难以满足导线尺寸和精度的要求。本研究采用化学蚀刻聚酰亚胺的方法来制作双面连接的单面挠性板,以满足精细手指的尺寸和位置精度的要求。

摘要： 为避免高频电镀厚金印制电路板线条边缘等位置在高温、高湿度及海洋高盐分等环境下容易发生腐蚀,影响信号传输质量及印制板其它性能.公司采用引线镀金的方式,使印制线条侧面电镀厚金,隔绝氧气及其它氧化物的侵蚀.目前采用的手工去除工艺引线的方法.该方法生产效率及自动化程度均较低,已经逐渐不能满足公司日益增长的镀厚金高频印制板加工要求.为改进现有工艺,提高加工的自动化程度,开展了相关工艺研发及创新工作.通过实验，公司技术人员探索出了一条在现有设备及生产条件下，通过化学蚀刻的方式去除工艺引线。这一生产流程虽然增加了几个加工步骤，但是通过化学蚀刻批量处理后，批量印制板工艺引线的去除均可以从原来的数天缩短到一天内完成，反而能够大大缩短了处理时间，提高加工的自动化程度和生产效率，同时避免了手工去除可能造成的印制板基材损伤，满足了公司日益增长的产量要求。

摘要： 针对手机后盖表面微结构的特点,采用微细电解和微细蚀刻的方法对手机后盖压制模具的表面微结构加工进行工艺探索。设计了掩膜图形,研制了微细电解加工的纳秒脉冲电源,利用自行研制的多功能微细特种加工系统,采用阳极掩膜的方法进行微细电解加工。采用改进后的蚀刻机进行模具钢微细蚀刻加工。通过优化工艺,在模具钢材料上加工出尺寸为500 μm的阵列微结构,并注塑出手机后盖,达到项目要求。

摘要： 微细电火花加工具有无宏观作用力的显著特点,是一种颇具竞争力的微细加工方法.采用化学蚀刻方法,制作出截面尺寸为100 μm×100 μm和150 μm×150 μm的两种紫铜工具群电极.通过在500 μm厚的不锈钢板上开展斜孔加工工艺试验,掌握相应的确定孔深的加工规律.通过二次装夹,加工出微细相贯群孔.在此基础上,成功制作出叶片逆向涡流发生器,出、入口尺寸分别为150 μm×150μm、200 μm×200 μm,研究结果具有重要的工程应用前景.

摘要： 本文采用固体径迹探测技术测量了235U气溶胶的粒度分布，将特定条件下产生的235U气溶胶粒子收集在金属采样板上,将固体径迹探测片覆盖在235U气溶胶样品上辐照成像,采用化学蚀刻技术使其显影成像并放大,利用光学显微镜进行有关参量测量，在特定条件下,235U气溶胶的粒度分布在1.6～8.9 μm范围内。

摘要： 本文主要论述了超长大面积挠性镍铬印制电路在图形线路制作中遇到的工艺技术难题和生产操作困难,采用湿法贴膜技术、自制光源和化学蚀刻工艺技术,解决了长2700mm、宽[cl]350mm、厚0.1mm的挠性镍铬带的印制线路完整制作,均达到设计要求和批量生产要求.

摘要： 由于公司在对液晶而板减薄采用的是酸蚀刻工艺,产品在蚀刻完后残留的酸会对玻璃腐蚀产生酸印影响质量,故必须用电导率小于10Us/cm的DI水清洗,为了防止产品蚀刻厚度超标流入用户,清洗完后还要对产品厚度进行自动测量。为了实现上述功能该设备在电器硬件方面采用三菱Q系列PLC和伺服驱动作为控制,并完成电路的设计和接线要求。在软件设计中,给出了程序流程图,通过CC-LINK和以太网实现了PLC模块、变频器及量规机的通讯。最后将软硬件有机的结合,使控制系统运行可靠,达到了预期设计目的。

摘要： 由于公司在对液晶而板减薄采用的是酸蚀刻工艺,产品在蚀刻完后残留的酸会对玻璃腐蚀产生酸印影响质量,故必须用电导率小于10Us/cm的DI水清洗,为了防止产品蚀刻厚度超标流入用户,清洗完后还要对产品厚度进行自动测量。为了实现上述功能该设备在电器硬件方面采用三菱Q系列PLC和伺服驱动作为控制,并完成电路的设计和接线要求。在软件设计中,给出了程序流程图,通过CC-LINK和以太网实现了PLC模块、变频器及量规机的通讯。最后将软硬件有机的结合,使控制系统运行可靠,达到了预期设计目的。

摘要： 由于公司在对液晶而板减薄采用的是酸蚀刻工艺,产品在蚀刻完后残留的酸会对玻璃腐蚀产生酸印影响质量,故必须用电导率小于10Us/cm的DI水清洗,为了防止产品蚀刻厚度超标流入用户,清洗完后还要对产品厚度进行自动测量。为了实现上述功能该设备在电器硬件方面采用三菱Q系列PLC和伺服驱动作为控制,并完成电路的设计和接线要求。在软件设计中,给出了程序流程图,通过CC-LINK和以太网实现了PLC模块、变频器及量规机的通讯。最后将软硬件有机的结合,使控制系统运行可靠,达到了预期设计目的。

摘要： 本发明属于半导体制造技术领域，它提出一种利用化学干法蚀刻设备进行微蚀刻的方法，采用包括O

摘要： 本案揭露一种形成沟渠电容器，亦即DRAM装置的方法，其使用具有内建蚀刻停止的电化学蚀刻来制造瓶形电容器。所述方法包含在初始深沟渠形成之后，形成一牺牲硅层，其中所述牺牲层是以掺杂而形成，且在其移除后乃形成一瓶沟。在所述牺牲层下掺杂硅的一第二区域可对抗用来移除所述牺牲层的化学蚀刻，且因而使得瓶沟的形成程序受到自身限制。

摘要： 本发明公开了一种基于湿法化学蚀刻仿真的柔性PCB板蚀刻工艺在线调控方法，该方法利用多物理场有限元仿真软件构建柔性PCB板等效二维几何模型，并建立多物理场仿真模型，完成对材料属性、边界条件和初始条件的设置并进行仿真。通过以各种产线可能出现的工艺参数数据为仿真边界条件，将各种可能排列组合的工艺参数数据作为仿真参数数据输入到仿真系统并进行仿真计算，得到仿真参数数据与仿真结果一一对应的数据库。然后将实时采集到的产线数据与数据库中仿真参数数据相匹配，调取相应的仿真结果，如果仿真结果超出产品指标，则停止生产，调控工艺数据，从而对较早期生产线工艺问题进行监控，完成工艺参数在线调整。

摘要： 本发明提供一种金属化学蚀刻液，该蚀刻液包括氯化铁、盐酸、磷酸、硝酸、缓蚀剂和表面活性剂，所述缓蚀剂为六次甲基四胺、乙二胺、三乙醇胺和十七酰胺中的至少一种，所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠和十二烷基醇酰胺中的一种或两种。本发明还提供了一种金属化学蚀刻方法，该方法为将金属基材进行喷淋蚀刻，所述蚀刻液为本发明所述的蚀刻液。本发明得到的蚀刻液可以应用于各种金属表面的时刻，尤其是不锈钢、铜和铝合金，由于可以用同一种蚀刻液对不同的金属进行蚀刻，可以节省设备。

摘要： 本发明公开了一种用于电化学蚀刻高精细线路的无机盐蚀刻液，它由下列物质制成：氯化钾、亚硝酸钾、磷酸钾、配位剂、添加剂和水。该无机盐蚀刻液各组分浓度精确，通过电化学蚀刻法可将印制电路板铜箔的精度控制在10μm以下，蚀刻精度高，蚀刻速度稳定、蚀刻均匀、蚀刻液易再生、污染少，且配制方法简单，生产成本低，适用范围广泛，具有很好的经济效益和社会效益。

摘要： 一种自动精密电化学蚀刻方法，主要通过参数设置、工件自动定位、初始值采集、计算蚀刻电流做功量以及对初始值调整等步骤实现精密蚀刻的过程控制，从而对待处理工件进行精密蚀刻。本发明通过比较预先计算出来的电流做功量和实际蚀刻过程中电流实际做功量来进行精密蚀刻的闭环控制过程，从而实现电化学蚀刻的精确控制；其中，通过采用VCO转换法来精确地获取蚀刻过程中蚀刻电流实际做功量，以对工件的减薄量进行精确地控制；此外，本发明还涉及实施该自动精密电化学蚀刻方法的自动精密电化学蚀刻设备。本发明极大提高了电化学蚀刻的精度和电化学蚀刻过程控制的稳定性以及蚀刻效率，并大大降低了蚀刻成本。

摘要： 本案揭露一种形成沟渠电容器，亦即DRAM装置的方法，其使用具有内建蚀刻停止的电化学蚀刻来制造瓶形电容器。所述方法包含在初始深沟渠形成之后，形成一牺牲硅层，其中所述牺牲层是以掺杂而形成，且在其移除后乃形成一瓶沟。在所述牺牲层下掺杂硅的一第二区域可对抗用来移除所述牺牲层的化学蚀刻，且因而使得瓶沟的形成程序受到自身限制。

摘要： 本发明提供一种有效达成高温化学蚀刻反应的晶圆清洗蚀刻系统，包括：清洗蚀刻装置，用于对未处理晶圆进行清洗蚀刻；控制模块，包括：第一控制单元，用于控制第一传送带将未处理晶圆输送至指定位置，并控制第一机器人本体带动第一吸附组件移动至未处理晶圆的上表面并吸附；第二控制单元，用于控制第一机器人本体将未处理晶圆放置到放置台中进行清洗及高温化学蚀刻；第三控制单元，用于控制第二机器人本体带动第二吸附组件移动至已处理晶圆的上表面并吸附；第四控制单元，用于控制第二机器人本体将已处理晶圆放置到第二传送带上。有益效果是本系统能够实现运输流程和清洗流程自动化，且对晶圆进行稳定的高温化学蚀刻以提高晶圆的品质参数。

摘要： 本发明公开了一种基于湿法化学蚀刻仿真的柔性PCB板蚀刻工艺在线调控方法，该方法利用多物理场有限元仿真软件构建柔性PCB板等效二维几何模型，并建立多物理场仿真模型，完成对材料属性、边界条件和初始条件的设置并进行仿真。通过以各种产线可能出现的工艺参数数据为仿真边界条件，将各种可能排列组合的工艺参数数据作为仿真参数数据输入到仿真系统并进行仿真计算，得到仿真参数数据与仿真结果一一对应的数据库。然后将实时采集到的产线数据与数据库中仿真参数数据相匹配，调取相应的仿真结果，如果仿真结果超出产品指标，则停止生产，调控工艺数据，从而对较早期生产线工艺问题进行监控，完成工艺参数在线调整。

摘要： 本发明公开了一种用于电化学蚀刻高精细线路的无机盐蚀刻液，它由下列物质制成：氯化钾、亚硝酸钾、磷酸钾、配位剂、添加剂和水。该无机盐蚀刻液各组分浓度精确，通过电化学蚀刻法可将印制电路板铜箔的精度控制在10μm以下，蚀刻精度高，蚀刻速度稳定、蚀刻均匀、蚀刻液易再生、污染少，且配制方法简单，生产成本低，适用范围广泛，具有很好的经济效益和社会效益。