化学腐蚀

摘要： 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造。根据腐蚀机制不同,湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀。本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域,并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景。

摘要： 分析了火电厂高浓缩倍率循环水对冷却设备安全状态的影响、循环水节水与循环水设备安全的影响因素,指出了冷却设备的多发缺陷,提出了提高循环水设备安全性的改进建议。从循环水的再利用角度,提出全膜法技术在循环水清洁工程中的应用方案。

摘要： 通过将高性能混凝土(High Performance Concrete,HPC)、粉煤灰混凝土(Fly Ash Concrete,FAC)和高耐久性混凝土(High Durability Concrete,HDC)置于10%NaCl、5%MgSO_(4)和5%MgCl_(2)+5%Na_(2)SO_(4)腐蚀介质进行化学腐蚀试验,研究其不同暴露时间的相对动弹性模量(Erd)和质量变化(W)规律,总结出不同混凝土在氯盐、硫酸盐-镁盐和硫酸盐-镁盐-氯盐环境下的化学腐蚀性能。结果表明:氯盐对混凝土材料的化学腐蚀作用不明显;而硫酸盐-镁盐、硫酸盐-镁盐-氯盐对混凝土材料具有明显的化学腐蚀作用;不同混凝土的抗硫酸盐-镁盐、硫酸盐-镁盐-氯盐腐蚀性能规律均为:HDC2>FAC>HPC>HDC1;通过掺加聚丙烯+聚酯纤维+钢纤维的高耐久性混凝土(HDC2)能显著提升其抗硫酸盐-镁盐和硫酸盐-镁盐-氯盐腐蚀能力。

摘要： 为进一步研究冻融过程中醋酸钙镁除冰液对混凝土的冻融破坏机理,本文配置不同质量浓度的醋酸钙镁除冰液,进行其在低温下的结冰压力实验;制备硅酸盐水泥混凝土和抗硫酸盐水泥混凝土,进行其在水冻和醋酸钙镁除冰液盐冻环境下的冻融实验;同时对冻后的混凝土表层物相进行X射线衍射实验,使用扫描电子显微镜实验分析混凝土内部微观结构变化。实验结果表明:水的结冰压力稳定值最高,醋酸钙镁除冰液的I_(p)值随着除冰液浓度的升高而降低。混凝土在水中和醋酸钙镁除冰液中的冻融损伤主要是由内部的冻融微裂纹和外部剥落引起。20%粉煤灰掺量下,普通硅酸盐水泥混凝土的抗冻性明显优于抗硫酸盐水泥混凝土;醋酸钙镁除冰液对混凝土存在冻融破坏和化学腐蚀破坏作用,但短期的冻融循环过程中醋酸钙镁除冰液对混凝土的破坏现象依旧比水轻。

摘要： 针对回火之后的40CrNiMo钢,采用了不同的腐蚀制度。回火之后,为了得到良好清晰的微观组织,分别采用化学腐蚀和电解腐蚀的方法对磨抛好的件进行腐蚀。在化学腐蚀方面:用光学显微镜(OM)观察了4%、5%、6%的硝酸酒精溶液以及3%的三氯化铁加10%的盐酸水溶液腐蚀之后40CrNiMo的微观组织;在电解腐蚀方面:探究了10%、20%的铬酸溶液及10%草酸溶液的电解腐蚀效果。结果表明:在想要得到清晰,明显的显微组织条件的前提下,对40CrNiMo钢这种元素成分多的金属,采用3%的三氯化铁加10%的盐酸水溶液化学耐腐蚀性较好。采用10%的铬酸溶液及10%的草酸溶液电解腐蚀的方法更可控,但效率稍低。

摘要： 为研究在化学腐蚀和冻融循环复合作用下岩石的能量演化规律,以大理岩为研究对象,分析冻融腐蚀岩样能量演化过程,建立与强度衰减参数、pH、冻融次数相关的能量耗散模型,以期为长期服役岩石力学工程安全稳定性评价提供理论支持。研究结果表明:化学腐蚀冻融复合作用下,腐蚀孔隙为水增加了入渗通道,冻胀裂隙同时也为腐蚀溶液提供了贯穿的通道,加剧了岩石内部结构的崩解与裂隙扩展贯通;相同冻融循环次数下,HNO_(3)溶液中的腐蚀岩石弹性模量降幅最高,NaCl溶液次之,NaOH溶液最低;腐蚀岩石弹性应变能的吸收和耗散能的释放,随着冻融循环次数的增大而减小;建立的能量耗散模型对于岩石峰后阶段耗散能具有较高的准确性,能较好地模拟岩石峰后能量转化特征。

摘要： 介绍了超声C扫描方法和化学腐蚀方法检测电触头焊接质量的基本原理,研究了两者的检测结果对应关系。分析超声C扫描方法中,不同频率和参数的超声探头在缺陷尺寸分辨能力上的差异;分析化学腐蚀方法,对使用不同含银量焊料焊接的样品具有不同的影响;使用超声C扫描方法和化学腐蚀方法验证电触头的焊接质量。对比试验证明:使用低银焊料的焊接触头在腐蚀过程中焊料易与腐蚀溶液发生反应,导致原有缺陷尺寸不断扩大;使用高银焊料的焊接触头受腐蚀过程的影响小,因此腐蚀结果与超声C扫描图像的一致性较好。

摘要： 乌东德水电站配套发电以及生产、生活等方面的水管均采用了304不锈钢材质,但经过半年通水运行,发现局部存在逐渐恶化的腐蚀漏水现象。因此,经各项检测和调研,采用类比分析法,最终确定水中高含量氯离子和管道高温焊接导致的材质特性破坏是加速腐蚀漏水的主要原因,并采取了将原304不锈钢管道逐步更换为钢塑复合管的优化方案。研究成果进一步增强了对管道腐蚀机理的认识,可为今后金沙江流域管道材质选用提供借鉴,也可为电站的持续可靠运行提供保障。

摘要： 利用光学显微镜对采用锥台托盘及传统平托盘生长的晶体进行位错腐蚀观察,发现锥台托盘生长的晶体上半部分位错分布与平托盘生长的晶体相似,部分区域位错密度低于平托盘生长的晶体。对于锥台托盘生长的晶体下半部分,其柱面位错缺陷很少,位错集中在与锥台直接接触的下锥面。下锥面的存在阻止了柱面底部新位错的形成,为柱面生长提供了更好的生长条件。硬度分析表明使用锥台托盘一定程度上提高了晶体结晶完整性。

摘要： 在海上平台生产过程中,油井产出气中二氧化碳、硫化氢会对钢材造成化学腐蚀,主要采用二氧化碳和硫化氢分压比值来确定腐蚀主控因素。本文以L区块为例,通过产出气特征分析,确定二氧化碳控制化学腐蚀过程,并对影响二氧化碳腐蚀主要因素进行分析,提出合理的安全对策,结合L区块实际情况,缓蚀剂法满足现场要求,并对注入方式及相关辅助措施进行分析,可为同行提供借鉴经验。

摘要： 本文通过对超临界机组水汽系统给水流动加速腐蚀(FAC)及机组停用腐蚀的分析研究，优化了精处理，除氧器等系统的化学运行工况，并研究实施了“氨水碱化烘干+真空干燥法”停炉保护，使机组正常运行时水汽铁明显降低，启动时的冲洗水质及蒸汽品质也较大幅改善，表明给水系统的FAC及机组停用腐蚀得以较好控制，为超临界机组水汽系统化学腐蚀的控制提供了新思路、新方法。

摘要： 天然金红石-微生物体系中，光子能量与光子数量影响着体系中微生物的生长，并且微生物的生长情况随光子能量与光子数量的变化呈现出规律性的变化;然而，由于闪锌矿的稳定性较金红石低，在低pH的条件下能够在体系中出现一定的电化学腐蚀过程，因此天然闪锌矿-微生物体系中，光子数量与光子能量对微生物生长的影响并没有出现如天然金红石那样规律性的变化。天然闪锌矿-微生物体系中，只有光波长对微生物生长的影响出现了较为规律的变化。对天然半导体矿物光催化促进微生物生长过程中各影响因素的研究，可以帮助我们更好的理解非光合微生物利用太阳光能的过程，从而进一步揭示自然界中矿物微生物之间纷繁复杂的作用机制。

摘要： 本文模拟了太阳电池在单二极管模型下并联电阻对其电学特性的影响,并联电阻是表征太阳电池漏电性能的重要参数,并通过结合太阳电池的电学特性,红外热成像性能及电致发光性能对太阳电池的缺陷进行识别,通过配制合理的化学腐蚀液成分和工艺条件,采用化学修复的方式对单晶硅和多晶硅太阳电池缺陷进行了修复处理,并对比了修复前后的太阳电池性能.

摘要： 研制了超声空蚀在线观测装置对45#钢表面蚀坑的形成过程进行研究.观测结果显示,45#钢表面的蚀坑是机械冲击和化学腐蚀交替作用下形成的,这种机械冲击-化学腐蚀交替作用在蚀坑周围形成"彩虹环"结构.累计空蚀过程的在线观测结构发现,固体表面空蚀损伤主要是由于蚀坑破坏面积的不断增大而并非蚀坑数目的不断增加.本次研究为了解蚀坑的形成发展过程提供了可靠的依据.

摘要： 研究了粉煤灰混凝土(FAC)、高性能混凝土(HPC)和高性能混杂纤维增强膨胀混凝土(HPHFREC)在5％MgSO4溶液的化学腐蚀和弯曲应力腐蚀作用下的物理力学性能变化。实验结果表明，混凝土在腐蚀初期存在一个起因于腐蚀产物结晶与填充作用的结构强化阶段，HPC具有较高的抗化学腐蚀能力，HPHFREC则具有最佳的抗应力腐蚀能力和抗表面剥蚀能力。

摘要： 通过不同溶液对玻璃表面进行清洗腐蚀,并用片状玻璃在马弗炉中模拟拉丝情况实验,研究了掺铥锗酸盐玻璃光纤纤芯和包层界面在不同的溶液清洗腐蚀条件下的界面缺陷.研究表明,用pH=2.5的HCl溶液,能够有效溶解残留在玻璃表面的杂质,最大限度的降低芯包界面的缺陷,避免了芯包界面微晶.在此研究基础上,将同组分的锗酸盐玻璃制成预制棒,在拉丝炉上进行拉丝实验,获得了芯包界面良好的掺铥锗酸盐玻璃光纤.

摘要： 虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga极性GaN基发光二极管,N极性GaN基发光二极管在大电流下有更好的发光表现.然而,在N极性GaN薄膜的制备过程中表面会形成大量的六方缺陷,其引入的施主型杂质会使N极性GaN薄膜具有较高的背景电子浓度,这使得N极性GaN的p型掺杂面临着巨大的挑战.为此,首先采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上制备了高质量的N极性GaN薄膜.通过优化生长条件，有效地抑制了N极性GaN表面六方缺陷的形成。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。制备的N极性GaN薄膜(0002)摇摆曲线半峰宽达到了～30arcsec，这证明制备的N极性GaN具有较高的晶体质量。

摘要： 虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga极性GaN基发光二极管,N极性GaN基发光二极管在大电流下有更好的发光表现.然而,在N极性GaN薄膜的制备过程中表面会形成大量的六方缺陷,其引入的施主型杂质会使N极性GaN薄膜具有较高的背景电子浓度,这使得N极性GaN的p型掺杂面临着巨大的挑战.为此,首先采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上制备了高质量的N极性GaN薄膜.通过优化生长条件，有效地抑制了N极性GaN表面六方缺陷的形成。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。制备的N极性GaN薄膜(0002)摇摆曲线半峰宽达到了～30arcsec，这证明制备的N极性GaN具有较高的晶体质量。

摘要： 虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga极性GaN基发光二极管,N极性GaN基发光二极管在大电流下有更好的发光表现.然而,在N极性GaN薄膜的制备过程中表面会形成大量的六方缺陷,其引入的施主型杂质会使N极性GaN薄膜具有较高的背景电子浓度,这使得N极性GaN的p型掺杂面临着巨大的挑战.为此,首先采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上制备了高质量的N极性GaN薄膜.通过优化生长条件，有效地抑制了N极性GaN表面六方缺陷的形成。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。制备的N极性GaN薄膜(0002)摇摆曲线半峰宽达到了～30arcsec，这证明制备的N极性GaN具有较高的晶体质量。

摘要： 虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga极性GaN基发光二极管,N极性GaN基发光二极管在大电流下有更好的发光表现.然而,在N极性GaN薄膜的制备过程中表面会形成大量的六方缺陷,其引入的施主型杂质会使N极性GaN薄膜具有较高的背景电子浓度,这使得N极性GaN的p型掺杂面临着巨大的挑战.为此,首先采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上制备了高质量的N极性GaN薄膜.通过优化生长条件，有效地抑制了N极性GaN表面六方缺陷的形成。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。制备的N极性GaN薄膜(0002)摇摆曲线半峰宽达到了～30arcsec，这证明制备的N极性GaN具有较高的晶体质量。

摘要： 本发明提供了一种腐蚀电化学测试装置及腐蚀电化学测试方法。腐蚀电化学测试装置包括：探测导体、导线以及测试系统。探测导体用于置于介质中，其两端与测试系统通过导线连接。腐蚀电化学测试方法采用上述腐蚀电化学测试装置，通过将探测导体作为唯一的探测电极置于介质中进行测试，无需参比电极和辅助电极置于介质中，测试简单快捷，适用范围广泛。通过对测得的电化学阻抗结果的简单分析，同时获得探测导体被腐蚀的程度与速度，信息丰富可靠。

摘要： 本发明提供了一种腐蚀电化学测试装置及腐蚀电化学测试方法。腐蚀电化学测试装置包括：探测导体、导线以及测试系统。探测导体用于置于介质中，其两端与测试系统通过导线连接。腐蚀电化学测试方法采用上述腐蚀电化学测试装置，通过将探测导体作为唯一的探测电极置于介质中进行测试，无需参比电极和辅助电极置于介质中，测试简单快捷，适用范围广泛。通过对测得的电化学阻抗结果的简单分析，同时获得探测导体被腐蚀的程度与速度，信息丰富可靠。

摘要： 本发明涉及半导体晶圆制造的晶圆清洗技术领域，尤其是涉及一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺，以缓解现有的湿法化学腐蚀装置存在晶圆二次污染的技术问题。该装置包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂；第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂围设形成用于盛放晶圆的工作空间；第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂分别用于向晶圆顶面喷淋药液、兆声水和氮气。本发明将喷淋药液的第一摆臂、喷淋兆声水的第二摆臂以及喷淋氮气的第三摆臂集成于同一装置内部，晶圆在装置内部即可完成化学腐蚀、兆声水清洗、氮气干燥这三个工艺，省去了晶圆在三个工艺之间的运输过程，避免了晶圆在运输过程中的二次污染，提高了工作效率。

摘要： 本发明提供了一种对砷化镓晶片进行化学腐蚀的方法，包括：将砷化镓晶片使用金属清洗剂浸洗；在氨水中浸洗；将砷化镓晶片放入化学腐蚀液中，在10～40°C的温度下腐蚀晶片表面；以去离子水冲洗晶片表面；干燥晶片。本发明还提供了一种砷化镓晶片进行化学腐蚀的化学腐蚀液，由质量比3.2～20％的氨水、8.3～33.0％的双氧水和水组成。本发明通过有效的化学药液腐蚀工艺，去除机械加工工序所造成的晶片损伤层，消除晶片内部应力，制作满足外延生长背面粗糙度要求的晶片，得到背面均匀一致，无背侵，无背花的晶片。

摘要： 本发明公开了一种对硅片表面的硅浆进行腐蚀的化学腐蚀液，含以下体积百分含量的组分：NH4F水溶液40-43% ，HF水溶液8-10%，H2O248-52%。该腐蚀液具有很强的腐蚀效果，且腐蚀速率稳定，能够实现对硅片表面的硅浆进行腐蚀的目的，且腐蚀液配制方便，重复性强；同时还公开了利用上述腐蚀液对硅浆进行腐蚀的方法，该方法工艺简单，反应过程容易控制，成本低。

摘要： 本发明涉及半导体晶圆制造的晶圆清洗技术领域，尤其是涉及一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺，以缓解现有的湿法化学腐蚀装置存在晶圆二次污染的技术问题。该装置包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂；第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂围设形成用于盛放晶圆的工作空间；第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂分别用于向晶圆顶面喷淋药液、兆声水和氮气。本发明将喷淋药液的第一摆臂、喷淋兆声水的第二摆臂以及喷淋氮气的第三摆臂集成于同一装置内部，晶圆在装置内部即可完成化学腐蚀、兆声水清洗、氮气干燥这三个工艺，省去了晶圆在三个工艺之间的运输过程，避免了晶圆在运输过程中的二次污染，提高了工作效率。

摘要： 电化学腐蚀与化学腐蚀相结合的中高压电极箔制造方法，主要步骤为前处理-一次水洗-发孔-二次水洗-一次扩孔-化学腐蚀-二次扩孔-三次水洗-化学清洗-四次水洗-纯水清洗-干燥，该方法在电化学腐蚀过程中，增加化学腐蚀过程，有利于腐蚀孔末端得到充分腐蚀，达到调整腐蚀孔结构的目的，增大腐蚀孔径的要求，提高高电压段产品比容，达到使用要求。

摘要： 本发明涉及一种电化学腐蚀与化学腐蚀相结合的中高压电极箔制造方法，通过前处理→一次水洗→发孔→二次水洗→特殊电流扩孔→三次水洗→化学清洗→四次水洗→纯水清洗→干燥等步骤制备出具有大孔径、高压高比容储能阳极箔，通过在电腐蚀步骤采用特殊波形直流电腐蚀，符合孔的生长过程，孔径明显扩大，且表面腐蚀小，达到增大腐蚀孔径的要求，提高高电压段产品比容，达到使用要求。

摘要： 本发明提供了一种对砷化镓晶片进行化学腐蚀的方法，包括：将砷化镓晶片使用金属清洗剂浸洗；在氨水中浸洗；将砷化镓晶片放入化学腐蚀液中，在10～40°C的温度下腐蚀晶片表面；以去离子水冲洗晶片表面；干燥晶片。本发明还提供了一种砷化镓晶片进行化学腐蚀的化学腐蚀液，由质量比3.2～20％的氨水、8.3～33.0％的双氧水和水组成。本发明通过有效的化学药液腐蚀工艺，去除机械加工工序所造成的晶片损伤层，消除晶片内部应力，制作满足外延生长背面粗糙度要求的晶片，得到背面均匀一致，无背侵，无背花的晶片。

摘要： 本实用新型公开了一种光电化学腐蚀样品的电化学腐蚀装置，它包括电解槽（2），电解槽（2）内上端设置有阳极导电电极（1），样品固定在阳极导电电极（1）下端；电解槽（2）内底部设置有阴极电极柱（4），在阴极电极柱（4）两侧等距离设置有光源（3）；解决了现有技术的电化学腐蚀反应装置没有提供专门的光照条件，导致需要光照提供能量才可以促使反应进行的试验无法顺利进行等技术问题。