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化学气相渗透

化学气相渗透的相关文献在1991年到2022年内共计206篇,主要集中在一般工业技术、化学工业、航空 等领域,其中期刊论文126篇、会议论文20篇、专利文献415731篇;相关期刊45种,包括西北工业大学学报、材料导报、材料工程等; 相关会议14种,包括第十二届全国新型炭材料学术研讨会、2012年先进功能复合材料技术重点实验室暨中国航天第十三专业信息网2012年度学术交流会、第九届全国新型炭材料学术研讨会等;化学气相渗透的相关文献由419位作者贡献,包括李贺军、李克智、李爱军等。

化学气相渗透—发文量

期刊论文>

论文:126 占比:0.03%

会议论文>

论文:20 占比:0.00%

专利文献>

论文:415731 占比:99.96%

总计:415877篇

化学气相渗透—发文趋势图

化学气相渗透

-研究学者

  • 李贺军
  • 李克智
  • 李爱军
  • 张立同
  • 成来飞
  • 熊翔
  • 张守阳
  • 白瑞成
  • 侯向辉
  • 陈招科
  • 期刊论文
  • 会议论文
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排序:

年份

    • 王洋; 李国栋; 于士杰; 姜毅
    • 摘要: 以SiC粉末、醇溶性酚醛树脂粉末以及炭纤维毡、炭纤维无纬布为原料,采用料浆刷涂-针刺-温压固化-高温碳化工艺,在料浆中酚醛树脂的体积分数分别为10%和15%、温压固化压力分别为8 MPa和20 MPa条件下制备C_(f)/SiC多孔预制体,然后通过化学气相渗透法沉积SiC,快速制备C_(f)/SiC陶瓷基复合材料。观察和分析复合材料的形貌和组织结构,测定材料的密度、孔隙率、抗弯强度和断裂韧性等性能。结果表明:料浆中的酚醛树脂体积分数较低时,C_(f)/SiC复合材料的性能较好,并且随固化压力增加而提高。在酚醛树脂体积分数为10%、温压固化压力为20 MPa条件下得到开孔隙率为13.1%的高致密C_(f)/SiC复合材料,该材料的基体较致密,且纤维束和基体之间基本没有孔隙;当材料受到外加载荷时,通过纤维拔出、纤维脱粘和裂纹偏转来提高复合材料的强度和韧性,断裂方式为假塑性断裂,抗弯强度和断裂韧性都较高,分别为570 MPa和18.6 MPa·m^(1/2)。
    • 王徐辉; 陈招科; 李国旺; 苏康; 毛健; 熊翔
    • 摘要: 利用刷涂法将石墨烯/SiC浆料引入SiC纤维布层之间,经模具夹持再化学气相渗透SiC后,制备石墨烯改性SiC_(f)/SiC复合材料。利用扫描电镜、三点弯曲测试以及激光热导仪等深入研究浆料中石墨烯的质量分数对SiC_(f)/SiC复合材料微观结构、力学性能和导热性能的影响。结果表明,浆料中石墨烯质量分数为2%时,石墨烯分布最均匀,SiC_(f)/SiC复合材料的热导率最高,为13.14 W/(m·K);随浆料中石墨烯质量分数增加,石墨烯开始团聚,材料致密度下降,热导率随之下降。当石墨烯质量分数为4%时,石墨烯虽出现一定程度团聚,但石墨烯团聚体仍与基体有良好的结合,复合材料具有最高抗弯强度,为328.12 MPa。
    • 刘瑶瑶; 海维斌; 彭雨晴; 李爱军; 张方舟
    • 摘要: 在等温化学气相渗透条件下对二维叠层SiC纤维预制体的致密化过程进行模拟,根据传质过程和反应动力学计算得到双活性位竞争模型和孔隙演变过程。结果显示,预制体束内10μm以下的小孔优先被填充,随后束间孔隙逐渐被填充变为小孔,当孔隙率降至20%时,预制体内部存在约为50μm的等效孔隙。预制体比表面积的变化存在两个阶段,孔隙率为40%以上时,比表面积减小的速度较快。特定工艺条件下模拟结果显示复合材料密度在2.48 g·cm^(−3)~2.38 g·cm^(−3)范围内,与实际样品最大误差0.73%;孔隙率在13.94%~17.75%范围内,与实际样品最大误差为4.21%。气相组分浓度变化表明此工艺条件下更易生成富硅的复合材料。
    • 王铎; 陈招科; 何宗倍; 张瑞谦; 熊翔
    • 摘要: 利用化学气相渗透(chemical vapour infiltration,CVI)在SiC纤维束中引入PyC(pyrolytic carbon,热解碳)界面和(PyC/SiC)_(3)多层界面,并分别在1050°C和1250°C下对含PyC界面SiC纤维束、1050°C下对含(PyC/SiC)_(3)3多层界面纤维束进行Si C基体增密,制备出不同界面类型和基体结构的SiC_(f)/SiC(continuous SiC fiber reinforced SiC matrix)Mini复合材料。研究界面类型和基体致密化温度对SiC_(f)/SiCMini复合材料微观结构和拉伸断裂行为的影响。结果表明,SiC_(f)/SiC Mini复合材料内部纤维和基体间的界面清晰,界面厚度约300 nm。1050°C致密化的PyC界面SiC_(f)/SiCMini复合材料的抗拉强度为174MPa,脱黏主要发生在基体与界面之间。而(PyC/SiC)_(3)3多层界面SiC_(f)/SiC Mini复合材料抗拉强度达到540 MPa,脱黏主要发生在亚层与亚层之间。PyC界面SiC_(f)/SiC Mini复合材料随基体致密化温度升高,S C基体从细小多孔的针状转变为粗大致密的层片状,晶粒尺寸和结晶度显著提高。1250°C致密化的复合材料的抗拉强度为309 MPa,呈典型的脆性断裂特征。
    • 戴建伟; 刘德林; 牟仁德; 何利民; 王鑫; 许振华
    • 摘要: 采用化学气相渗透工艺在SiC纤维表面制备BN界面涂层,在比沉积温度更高的温度下分别对涂层进行热处理.采用扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱等技术,对BN界面涂层的微观结构和化学成分进行分析,并对涂层进行相稳定性能研究.结果表明:在850°C沉积的BN界面涂层分别在1050、1150、1250°C下进行热处理,BN均发生有序化转变,非晶态的BN转变为六方相;并且随着热处理温度的增加,BN结晶度增加.未经高温热处理的非晶态BN涂层易氧化,部分BN和空气反应生成B2O3;并且,在室温至1200°C时相稳定性差;经过热处理的涂层中几乎全部为BN,在室温至1200°C时无相变.
    • 戴建伟; 何利民; 申造宇; 刘冠熙; 甄真; 许振华; 牟仁德
    • 摘要: 目的 研究沉积温度对SiC界面涂层微观形貌、结构和成分的影响,探讨SiC界面涂层的沉积动力学和沉积机理.方法 采用Factsage软件计算MTS-H2反应物体系热力学平衡后产物组成,采用化学气相渗透法(CVI)在碳化硅纤维上制备SiC界面涂层,采用SEM、TEM、XRD等分析测试技术对SiC涂层形貌、结构和成分进行分析.结果 在860~1060°C温度范围内,MTS-H2体系平衡后的主要产物有SiC、C等,并在该温度范围采用CVI工艺制备出了SiC界面涂层.结论 在860~1060°C温度范围内,提高沉积温度有利于增加SiC的产率.温度低于960°C时,制备的SiC界面涂层表面光滑;高于1060°C时,得到了表面具有团簇结构的涂层,并且随着沉积温度的升高,涂层的结晶度提高.沉积动力学计算结果表明,温度低于1060°C时,SiC的沉积过程受表面反应控制;温度高于1060°C时,沉积过程受扩散控制.采用CVI工艺制备出了单一立方相的SiC界面涂层,并且(111)晶面为SiC颗粒的优先生长晶面.
    • 张洋; 李国栋; 韩前武; 姜毅; 王洋
    • 摘要: 以天然鳞片石墨粉、中间相沥青粉以及短炭纤维为原料,采用温压固化结合化学气相渗透(chemical vapor infiltration,CVI)的方法制备石墨基复合材料.通过X射线衍射分析、扫描电镜和偏光显微镜以及力学性能与导热性能测试等手段,研究CVI沉积热解炭(pyrolytic carbon,PyC)对石墨基复合材料微观结构与性能的影响.结果表明:与单纯掺杂短炭纤维的石墨基复合材料相比,通过CVI增密在复合材料内部引入PyC,材料的抗弯强度从22.5 MPa显著提高到55.9 MPa,同时复合材料的微晶尺寸增大,石墨化度提高,从而使材料的导热性能提高,热导率由213.24 W/(m·K)提高到242.80 W/(m·K).
    • 史琦; 李国栋; 王洋; 姜毅
    • 摘要: 以天然石墨粉、ZrB2粉末、醇溶性酚醛树脂粉末及炭纤维毡、炭纤维无纬布为原料,采用料浆刷涂、针刺、温压固化、高温碳化工艺,结合化学气相沉积工艺,制备Cf/C-ZrB2复合材料.通过阿基米德排水法测试密度及孔隙率,采用扫描电镜分析及力学性能测试等手段,研究料浆固含量对Cf/C-ZrB2多孔坯体中基体粉末分布的影响,以及对Cf/C-ZrB2复合材料力学性能的影响.结果表明:料浆固含量增加,坯体中基体粉末分布的均匀性提高,材料力学性能随浆料固含量的增加呈现先升后降的趋势,当料浆固相体积分数为15%时,材料抗弯强度达到121.86 MPa.
    • 刘桂良; 何宗倍; 蔺浩然; 张瑞谦; 陈招科; 王继平
    • 摘要: 以国产第三代碳化硅纤维(SiCf)为增强体,通过化学气相渗透(CVI)工艺在SiCf表面同时沉积热解碳(PyC)和SiC形成共沉积界面层,沉积时间为20~70 min,然后继续沉积SiC制备出致密的Mini SiCf/SiC复合材料,研究复合材料的界面结构和拉伸行为.结果表明:20,40,70 min沉积时间下得到共沉积界面层的平均厚度分别为500,1100,2100 nm,界面层厚度均匀,为单层界面;当共沉积界面层厚度为1100 nm时,Mini复合材料的界面结合强度适中,拉伸强度最大,达到626.0 MPa,对应的断裂应变为0.45%.
    • 戴建伟; 何利民; 申造宇; 刘冠熙; 甄真; 许振华; 牟仁德
    • 摘要: 目的研究沉积温度对SiC界面涂层微观形貌、结构和成分的影响,探讨SiC界面涂层的沉积动力学和沉积机理。方法采用Factsage软件计算MTS-H2反应物体系热力学平衡后产物组成,采用化学气相渗透法(CVI)在碳化硅纤维上制备SiC界面涂层,采用SEM、TEM、XRD等分析测试技术对SiC涂层形貌、结构和成分进行分析。结果在860~1060°C温度范围内,MTS-H2体系平衡后的主要产物有SiC、C等,并在该温度范围采用CVI工艺制备出了SiC界面涂层。结论在860~1060°C温度范围内,提高沉积温度有利于增加SiC的产率。温度低于960°C时,制备的SiC界面涂层表面光滑;高于1060°C时,得到了表面具有团簇结构的涂层,并且随着沉积温度的升高,涂层的结晶度提高。沉积动力学计算结果表明,温度低于1060°C时,SiC的沉积过程受表面反应控制;温度高于1060°C时,沉积过程受扩散控制。采用CVI工艺制备出了单一立方相的SiC界面涂层,并且(111)晶面为SiC颗粒的优先生长晶面。
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