化学气相沉积(CVD)

摘要： 有机保温材料广泛应用于建筑节能,但有机保温材料极易燃烧。传统阻燃方法在提高阻燃性能的同时会牺牲有机保温材料的保温性能或力学性能。因此,提高其防火安全性能的同时保留其优异的隔热性能是亟需解决的问题。报道了一种高效、温和的脉冲化学气相沉积(Pulsed CVD)方法,在硬质聚氨酯泡沫表面沉积SiO_(2)纳米层实现阻燃。改性后的阻燃聚氨酯复合材料保留了闭孔结构,导热系数测试结果为30.3 mW/(m·K)。阻燃性能测试结果表明,极限氧指数大幅提高至29.7%,通过了垂直燃烧V-0等级测试。阻燃机理分析结果表明,SiO_(2)促进了表面成炭阻燃过程,形成了更稳定有效的阻燃炭层结构。

摘要： 石墨烯自发现以来因其杰出的理化性能广受关注,制备石墨烯的方法层出不穷.目前,采用化学气相沉积(CVD)技术实现了规模化制备高质量石墨烯.但石墨烯在制备过程中依然遇到了一些的瓶颈,如石墨烯产品污染、破损、皱褶,尤其是在高温条件下制备石墨烯成本较高等.根据近年来石墨烯制备技术和方案进行分析,总结整理近年来关于CVD制备高质量石墨烯的研究成果,并重点对当前基于非金属材料衬底生长石墨烯的方法进行讨论和前景预测.

摘要： 以三氯甲基硅烷(MTS)和H2为前驱体,在沉积温度900～1 050°C,H2和MTS摩尔比为4～20和滞留时间0.4～1 s下,采用化学气相沉积(CVD)工艺研究沉积反应器长径比分别为7∶6和7∶2时的碳化硅(SiC)沉积动力学.结果 发现,不同尺寸反应器中SiC沉积速率随工艺参数变化的规律性差异明显.长径比7∶6的反应器中SiC平均沉积速率随着温度的增加而增加,而长径比7∶2的反应器中SiC平均沉积速率随着温度先增加后降低,且长径比7∶6的沉积反应器中沿程SiC沉积存在多重稳态的特征.不同H2/MTS摩尔比下SiC沉积速率变化规律在两种反应器中基本一致,尽管长径比7∶6的反应器中出现了SiC沿程的多重择优沉积位置,但整体来说H2对SiC沉积的抑制作用远大于反应器尺寸效应所带来的影响.长径比7∶6反应器中SiC平均沉积速率随滞留时间的增加而降低,但沿程沉积速率受反应器尺寸效应并没有出现单调降低的规律;长径比7∶2反应器中SiC平均沉积速率和沿程沉积速率均随滞留时间增加而降低后趋于稳定.利用COMSOL软件对两种长径比反应器的流场和温度场进行了数值模拟分析发现,长径比7∶6的反应器产生明显的径向流速差,而且轴向和径向流速差和温差较大,而长径比7∶2的沉积反应器流场和温度场较为均匀,这种反应器尺寸效应引起的实际工艺参数和理论工艺参数之间的偏差,正是实验中不同长径比反应器中SiC沉积动力学规律差异的原因.

摘要： 二维材料又称二维原子晶体材料,其结构特性使载流子迁移和热量扩散都被限制在二维平面内,因此令这种材料拥有许多优异的性质,如高载流子迁移率、导电性、生物相容性以及带隙可调谐性.在相关的制备手法上,也从单一的机械剥落法发展至液相剥落、化学剥落、超临界流体剥落、化学气相沉积(CVD)和外延生长等.本文归纳了近些年来一些二维材料新成员的制备手段与应用前景,并对当前存在的问题和未来发展的方向做了展望,为基于二维材料的设计和应用提供了参考.

摘要： 金刚石是世界上物理和化学性能最优异的材料之一,它的全方位的优良特性显示它具有广阔的应用前景和很大的潜力市场,它被材料学家誉为21世纪材料.面对今天新材料高速发展的挑战,在金刚石薄膜研究和应用领域,需要不断开发和完善CVD金刚石生长技术,开拓CVD金刚石膜在更高层次的声学、热学、光学、电学应用.

摘要： The Ta/W composites with 10%W,13%W and 18%W were prepared by chemical vapor deposition (CVD).The properties of Ta/W composites were investigated by optical microscopy (OM),scanning electron microscopy (SEM) and tensile test.The results show that it is possible to prepare Ta/W composites with different W volume fractions by CVD,and the actual densities of the composites are more than 99.4% of the theoretical density.Both Ta and W layers have columnar grain structures,and the more close to the interface,the more fine the grains are.The mechanical properties of CVD Ta/W are better than those of CVD Ta or CVD W.After hot treatment(1600 °C×2 h),the diffused layers of the composites have become more wider and the mechanical properties are increased remarkably,and the tensile strength of the CVD Ta/W composite with 18%W is 660 MPa.%运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析.结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600 °C×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa.

摘要： 化学气相沉积(CVD)碳化硅(SiC)具有细晶粒、高纯度和高致密性等优点,因此常用于空间反射镜光学致密表面层的制备.在本案,笔者选取CH3SiCl3(一甲基三氯硅烷)和H2,并在制备SiC膜层时运用CVD工艺,然后实验分析膜层的生长特性,以期为控制膜层在生长过程中产生的缺陷提供可靠依据.

摘要： 本申请涉及一种用于操作化学气相沉积CVD系统的方法和结合所述CVD系统使用的反应器。两个遮板从喷射块径向向外的配置和晶片载体以可拆卸方式安装于其上的晶座经配置可提供通过反应室的流动路径，所述流动路径不展现涡流，由此减少或排除所述反应室内侧上的积聚且促成了所述喷射块与所述晶片载体之间的大温度梯度。这可以通过在上遮板的径向内壁引入净化气流来实现，且在一些实施例中，净化气体可以具有与用于使所期望的外延结构在晶片载体上生长的前驱物气体不同的化学组成。

摘要： 本发明涉及用于通过化学气相沉积法制造铱薄膜或者铱化合物薄膜的化学气相沉积用原料，该化学气相沉积用原料由在铱上配位有环丙烯基或其衍生物以及羰基配体的铱配合物构成。本发明中应用的铱配合物即使在应用氢等还原性气体的情况下也可以制造铱薄膜。(式中，环丙烯基配体的取代基R1～R3各自独立地为氢、或者碳数1以上4以下的直链状或支链状的烷基)。

摘要： 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜，该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此，R

摘要： 本文描述的是用于使用远程等离子体化学气相沉积（RP‑CVD）和溅射沉积来生长发光器件的层的方法。方法包括在生长衬底上生长发光器件结构，并且使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在发光器件结构上生长隧道结。隧道结包括与p型区直接接触的p++层，其中通过使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种来生长p++层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区，并且在该p型区上方生长其他层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在p型区上方生长发光区和n型区。

摘要： 一种粉末涂覆装置反应器包括用于粉末材料的装载端口、用于一种或多种涂层前驱体的入口，以及具有内表面和多个轴向挡板的反应室。每个轴向挡板都从回转容器的反应室的内表面向内延伸。多个轴向挡板配置为在回转容器的旋转期间保持粉末材料在反应室内流动以促进粉末材料与一个或多个涂层前驱体之间的接触。粉末涂覆装置进一步包括位于装载端口处的旋转真空密封件。粉末涂覆装置还包括电机，电机能够在粉末材料与涂层前驱体在所述反应室中反应期间致动回转容器绕中心轴线旋转。还提供了用于使用这种反应器涂覆粉末材料的方法。

摘要： 本发明涉及适合在通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的薄膜沉积中使用的前体化合物和更特别地涉及不易燃的前体化合物，并且涉及使用其的ALD/CVD工艺。

摘要： 本申请涉及一种用于操作化学气相沉积CVD系统的方法和结合所述CVD系统使用的反应器。两个遮板从喷射块径向向外的配置和晶片载体以可拆卸方式安装于其上的晶座经配置可提供通过反应室的流动路径，所述流动路径不展现涡流，由此减少或排除所述反应室内侧上的积聚且促成了所述喷射块与所述晶片载体之间的大温度梯度。这可以通过在上遮板的径向内壁引入净化气流来实现，且在一些实施例中，净化气体可以具有与用于使所期望的外延结构在晶片载体上生长的前驱物气体不同的化学组成。

摘要： 本发明涉及用于通过化学气相沉积法制造铱薄膜或者铱化合物薄膜的化学气相沉积用原料，该化学气相沉积用原料由在铱上配位有环丙烯基或其衍生物以及羰基配体的铱配合物构成。本发明中应用的铱配合物即使在应用氢等还原性气体的情况下也可以制造铱薄膜。(式中，环丙烯基配体的取代基R1～R3各自独立地为氢、或者碳数1以上4以下的直链状或支链状的烷基。)

摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积系统、方法及系统的装置。所述系统包括涂覆室、流体引入系统和辐射加热元件的装置。所述涂覆室具有围绕涂覆区域延伸的封闭边界以及以相对于所述封闭边界的轴向取向定位的通路部分，所述涂覆室处于固定且水平的位置。所述流体引入系统包括真空泵和流体引入装置，所述流体引入系统被布置和设置成将流体引入所述涂覆室以便在所述涂覆室中对制品进行化学气相沉积涂覆。所述辐射加热元件的装置定位在所述涂覆室之外并且与所述涂覆室的所述封闭边界到所述涂覆室内的加热区热连接。所述方法使用所述系统。所述装置包括不止一个所述化学气相沉积系统。

摘要： 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜，该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此，R