功率场效应管

摘要： 功率场效应管(MOSFET)作为变换电路中的核心器件,起到电压通断的作用,从而完成电路的开通和关闭。详细论述了MOSFET的热阻特性和热耗,并结合实例,完成了在MOSFET上增加散热片前、后的温升变化对比实验,证实非绝缘封装MOSFET在增加散热片后可有效降低器件本体的温度升高,因此在使用MOSFET时应选用合适的散热器件。

摘要： 该发明涉及一种高频电弧打火机。包括外壳和设置其中的电子点火电路,所述电子点火电路包括直流电源、高频引弧电路、一对放电针和无触点电子开关。该高频电弧打火机由于采用了内阻小、驱动电压低的低压驱动双MOS管的功率场效应管,构成无触点电子开关作为电源总开关,适合以锂电池作为电源,同时由于没有机械触点,工作更可靠,使用寿命更长。该打火机设有瞬态高压吸收电路和延时放电电路,能避免调试中和使用中意外过压。高压引弧线采用可卸金属锥针、定位准确、更换方便、易引弧、噪声低;以触摸开关替代机械开关、美观大方、永不磨损。

摘要： 开关器件在开通和关断暂态过程中产生的高电压和电流变化是电磁干扰(EMI)的主要来源.准确的EMI预测需要对功率器件开关瞬间的动态行为进行精确地描述.首先介绍了两种常见的功率场效应管的建模方法、子电路模型和集总电荷模型.然后提出利用Saber建模工具Model Architect对功率场效应管进行建模.最后利用Saber软件建立逆变器电路模型进行仿真对比,得到了功率场效应管的开关波形和电路的传导干扰波形.仿真的结果显示,用Saber中Model Architect建模工具所建的模型能够反映较为实际的情况,相对准确地预测电路中的电磁干扰.

摘要： 一台40英寸同方液晶彩电雷击三无。打开机盖，查得保险管F1（3．15A）已开路，其中桥式整流的半臂两只二极管DB2、DB1（RL206G）已短路。用万用表R×1k挡测光耦P1（817B）的③、④脚正、反向阻值均为18k~1，看来是坏了。将以上损坏的元件换新，再拆下开关电源的主功率场效应管Q31（2SK3562）测量，已短路。查资料未能找到其参数，根据经验，用FOPF（12N60、12A／600V）场效应管换之后，再查发现与Q31G极相连的贴片电阻R110也被烧坏开路。

摘要： 对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析，并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计，在215µm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明，其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm，有效解决了芯片失效问题，提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%，有效减小了器件的面积。%A 700 V power MOSFET failure chip was analyzed by using light point analysis, and the failure reason was tested by a two-dimensional numerical simulation by using TCAD software. Through improving the terminal structure design, a novel terminal structure of 779 V breakdown voltage was achieved with the terminal length of 215 µm. Results show that the maximum Si surface electric field intensity is 2.65×105 V/cm, the failure problem is fixed and the reliability is improved effectively, and the terminal length is reduced by 13%compared to the original structure and the chip area is reduced effectively.

摘要： 针对传统电火花切割脉冲电源波形控制难、电能利用率低的特点，提出一种改进方案。该方案用功率场效应管（VMOS）替代功放管，简化驱动电路，从而增大脉冲电源间隔，减小短路电流。实验结果表明：该方案具有一定的技术应用价值。

摘要： The traditional pulse power for electric discharge machine is difficult to control waveform and power utilization rate is low.This paper proposes an improved scheme, which uses power field effect transistor ( VMOS) instead of power tube, which simplifies the driving circuit, thereby increases the pulse interval, reduces the short circuit current.The experimental results show that the scheme has certain application value.%针对传统电火花切割脉冲电源波形控制难、电能利用率低的特点，提出一种改进方案。该方案用功率场效应管（ VMOS）替代功放管，简化驱动电路，从而增大脉冲电源间隔，减小短路电流。实验结果表明：该方案具有一定的技术应用价值。

摘要： 文章介绍了短波广播发射机固态功率前级运行稳定性的探索和技术改进措施.针对功率场效应晶体管的特性参数,选择对应的器件,并且设置相应的保护电路.

摘要： 研制了一种快速退压式电光Q开关驱动器,它具有结构简单、稳定性好、体积小且成本低的优点。由基于PWM型集成控制器SG3525的升压型DC/DC开关电源提供0V至1500V的高压直流电平,稳定度在0.2%以内,纹波小于300mV;采用高压功率场效应管作为开关器件,获得了频率在1KHz至50KHz、高电平在0V至1200V可调、下降沿可达6ns的高压负脉冲;采用LiNbO3晶体作为电光晶体,运用于小功率Nd:YVO4激光器的电光调Q,工作在高电平为725V,频率为10KHz时,获得了脉宽约13ns的脉冲激光输出。

摘要： 通过对600V高压平面功率场效应管原胞和终端击穿电压的优化匹配设计,使得600V高压器件击穿始于器件原胞内部而不是终端,解决了击穿电压的walking in问题,提高了击穿电压的稳定性和可靠性,器件的非钳位电感(UIS)雪崩能量进一步提高.

摘要： 反激变换器功率场效应管开通瞬间存在较大的电流尖峰，不仅产生电磁干扰，增加开关管的电流应力，而且当采用峰值电流控制方式时，可能导致开关管的误动作。本文通过建立包括电路和变压器杂散分布参数的模型深入分析了电流尖峰的影响因素，提出相应抑制措施，并进行了实验验证。

摘要： 本文在介绍了功率场效应管Pspice模型的基础上,着重介绍了在OrCAD/Pspice中如何为功率场效应管建立子电路模型,并仿真测试了它的一些特性.

摘要： 本文介绍了VMOS功率场效应管的特性和普通双极性晶体管的设计差异，讨论了VMOS功率放大电路的设计理念，并分别说明了各级放大器设计的思想。

摘要： 介绍了大功率交流伺服系统中PWM逆变电路中的功率场效应管(MOSFET)功率器件的驱动与保护技术.分析MOSFET功率器件对驱动电路的要求,并介绍了富士公司的MOSFET驱动模块EXB841伺服系统PWM逆变电路中MOSFET在逆变过程中的漏源极过压、过流、过热等保护措施以及在该交流伺服驱动器中MOSFET并联技术.最后给出实验波形和相关结论.

摘要： 文章介绍了Mosfet功率器件的驱动与保护技术;分析了Mosfet功率器件对驱动电路的要求,介绍了惠普公司的功率场效应管(Mosfet)驱动模块HCPL-316和全数字交流伺服系统PWM逆变电路中功率场效应管在逆变过程中的漏源极过压、过流、过热等保护措施.最后,给出了实验波形和相关结论。

摘要： 恒流源广泛应用于产品开发、仪器仪表、工业控制等领域,为了获得一个低成本、高精度的恒流源,研制了一种基于AVR单片机脉宽调制(PWM)功能的数控直流恒流源。设计采用功率场效应管IRF540作为恒流元件,利用PWM技术调节输出电流的大小,通过电流负反馈确保了输出电流的稳定,引进经典的PD控制算法改善了输出特性,增加过流保护电路提高了恒流源的工作可靠性。该数控直流恒流源电路简单,操作方便,成本低廉；测试结果表明,恒流源工作稳定可靠,输出电流精度≤0.89％,电流纹波≤0.1mA。

摘要： 在设计大功率微波开关电路时开关时间经常被忽视,以至于一些产品的开关时间长到整机系统无法工作的程度.本文通过逻辑接口电路与功率场效应管的匹配设计,缩短了微波开关的开关时间.

摘要： 本文介绍一种已投入实际使用的热管散热器的性能和应用情况。由于工作温度极大影响电子元件性能和寿命，而电子元件的发热节点通过热管散热器至环境的热流通道上的许用温差很小，因此尽量减少各处热阻是热管散热器设计时必须十分重视的问题。

摘要： 本文提出了一种新的电流极限可调状态机电路,用于含有PFM控制器和功率MOSFET的单片电源管理集成电路,以设置电流极限值.采用自适应方式和电流极限比较器相结合,使其工作在安全工作区.模拟结果表明本状态机具有高响应度、低误动作等特点.

摘要： 本发明涉及在不增加掩膜层以及制备工艺程序的数量的前提下，提供的一种在一个分立的功率MOS场效应管内集成一个或多个传感场效应管的功率器件及其制备方法。该半导体器件包含一个主场效应管以及一个或多个传感场效应管；传感场效应管的晶体管部分被主场效应管的晶体管包围着；包围主场效应管的电绝缘结构，使主场效应管的源极和本体区，与传感场效应管的源极和本体区电绝缘。传感场效应管源极垫位于主场效应管的边缘处，并与传感场效应管的晶体管部分分隔开；传感场效应管源极垫通过传感场效应管探针金属，连接到传感场效应管的晶体管部分；配置绝缘结构，使传感场效应管的晶体管部分以及传感场效应管源极垫位于主场效应管的有源区外部。

摘要： 一种半导体封装包含一半导体衬底、一个带有形成在衬底上的多个单元的场效应管器件、一个和设置在衬底底面上的所有单元共用的源极区。每个单元包含一在半导体器件顶面上的漏极区、一用于控制源极和漏极区之间电流流量的栅极、一邻近栅极的源极接触点，以及源极接触点和源极区之间的电接触。至少一个漏极接触点电耦合到漏极区域上。源极垫、漏极垫和栅极垫分别电连接到器件的源极区、漏极区和栅极。漏极垫、源极垫和栅极垫形成在半导体封装的一个表面上。单元通过衬底分布，每个器件的源极接触点和源极区之间的电连接分布也通过衬底。本发明允许在晶片等级上进行处理，降低成本和缩小独立器件的尺度，并使接触点遍及晶粒，降低电子干扰和阻抗。

摘要： 一种晶体管，它含有：一个源区；一个漏区；一个位在源区和漏区之间的通道区；以及设置在通道区上的至少一个第一门电极和一个第二门电极。第一和第二门电极中的至少一个基本上横过通道区的全部宽度。第一和第二门电极中的至少另一个横过通道区的一部分宽度。

摘要： 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。

摘要： 一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管，在制作屏蔽导体的过程中，沟槽侧壁以及外延上表面一直留存氧化层来保护外延层，当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度，然后再继续制作屏蔽导体，据此消耗则补充的原则，结合场效应管电压需求进行仿真调试，得到对应电压需求的具有非渐变宽度屏蔽导体及非渐变厚度氧化层的场效应管。本发明提出的屏蔽栅沟槽场效应管结构能够实现较好的外延利用率，在与传统SGT具有相同崩溃电压的条件下，本发明同比可以实现更小的特征电阻，且本发明的结构能够在上下电极之间实现较小的Cgs电容。

摘要： 本发明涉及在不增加掩膜层以及制备工艺程序的数量的前提下，提供的一种在一个分立的功率MOS场效应管内集成一个或多个传感场效应管的功率器件及其制备方法。该半导体器件包含一个主场效应管以及一个或多个传感场效应管；传感场效应管的晶体管部分被主场效应管的晶体管包围着；包围主场效应管的电绝缘结构，使主场效应管的源极和本体区，与传感场效应管的源极和本体区电绝缘。传感场效应管源极垫位于主场效应管的边缘处，并与传感场效应管的晶体管部分分隔开；传感场效应管源极垫通过传感场效应管探针金属，连接到传感场效应管的晶体管部分；配置绝缘结构，使传感场效应管的晶体管部分以及传感场效应管源极垫位于主场效应管的有源区外部。

摘要： 一种半导体封装可以包含一个半导体衬底、一个带有形成在衬底上的多个单元的金属氧化物半导体场效应管器件、以及一个和设置在衬底底面上的所有单元共用的源极区。每个单元包含一个在半导体器件顶面上的漏极区、一个用于控制源极和漏极区之间电流流量的栅极、一个邻近栅极的源极接触点，以及源极接触点和源极区之间的电接触。至少一个漏极接触点电耦合到漏极区域上。源极、漏极和栅极垫分别电连接到器件的源极区、漏极区和栅极。漏极、源极和栅极垫形成在半导体封装的一个表面上。单元通过衬底分布，因此每个器件的源极接触点和源极区之间的电连接分布也通过衬底。本发明允许在晶片等级上进行处理，降低成本和缩小独立器件的尺度，并使接触点遍及晶粒，降低电子干扰和阻抗。

摘要： 一种晶体管,它含有:一个源区;一个漏区;一个位在源区和漏区之间的通道区;以及设置在通道区上的至少一个第一门电极和一个第二门电极。第一和第二门电极中的至少一个基本上横过通道区的全部宽度。第一和第二门电极中的至少另一个横过通道区的一部分宽度。

摘要： 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。

摘要： 本申请提供AOT场效应管制备方法及AOT场效应管，属于半导体技术领域。该方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P‑well层；在P‑well层中注入N型杂质，形成N型源区；在P‑well层中注入P型杂质，形成P+层；在P‑well层上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽；其中，P+层包覆栅极沟槽的一侧拐角；在栅极沟槽中沉积栅氧化层，形成槽栅；其中，靠近P+层的栅氧化层和栅极沟槽底部的栅氧化层的厚度均大于靠近N型源区的栅氧化层的厚度；对样品进行后端工艺处理，得到AOT场效应管。通过加厚沟槽一侧的栅氧化层，并使P+层包覆槽栅的一侧拐角以保护槽栅，提高了栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。