刻工

摘要： 碑刻工艺在中国有着悠久的文化传统,而刻工作为碑刻工艺的实施者也声名远扬。《礼记·月令》曰:“物勒工名,以考其诚。”古人镌石以垂永久,无论从艺术还是文献价值而言,碑刻都是非常重要的传世品,刻工在其制作与流传中起到了至关重要的作用。如果说书者是用笔来书写,那么,刻工就是用刀来书写的。

摘要： 梳理存世西夏文版刻文献中的刻工、书者和功德主后发现,西夏仁宗时期刻字司刻本版口的刻工名字多为简称,这些官方工院的刻工也会接受捐刻人聘请书写佛经;西夏佛经官刻本雕版书字人以李阿善最为活跃;如果是皇家举行的大法会上印施的所谓"寺院本"佛经,一般由"功德司"负责组织翻译,由"工院"负责雕版印制,其功德主是皇帝、皇后、太子等,如果是私人捐刻,往往也是官宦人家.俄藏黑水城出土文献中,西夏文刻本的功德主信息一般出现在卷尾跋语中,唯有西夏文《中华传心地禅门师资承袭图》(инв.№2865)中有蝴蝶装四叶印版在版心位置刻有党项族功德主信息,说明这个文本是由这些人捐资刊刻的.此前我们曾根据2865号卷首"师资承袭图"中出现"白云释子"即白云宗祖师清觉的画像,推测其为元代白云宗西夏后裔所刊《河西藏》的遗存,该本党项族捐资人信息出现在版心位置并用汉字标记页码等做法进一步佐证了这一推测.

摘要： 本文首先通过论述北朝佛教铭刻和《杨大眼造像记》艺术风格的关系,得到了它与北朝写经、北朝佛教铭刻风格的用笔、字形的联系,而后结合分析佛教铭刻刻工的工作方式和服务对象论述了刻工呈现出此作品的原因.

摘要： 明末清初以来,受官方刻帖影响,私家刻帖活动日趋兴盛,至乾嘉时期达到鼎盛.而此时刻帖活动主要集中在江南地区,最优秀的刻工也都集中在江南地区,北方较为薄弱.本文主要对《玉虹楼法帖》现存石刻情况、编目体例、刻工组成进行学术性考察,进而阐释《玉虹楼法帖》为人们所忽视的文化价值与史学意义.

摘要： 宋刻、元补、明递修的《碛砂藏》在上世纪30年代影印出版,为学界广泛使用。百余年来,研究这部藏经的论著层出不穷,共检得353条,编、著者208人。本文整理这些研究的主要内容,不仅梳理了研究简史,也从9个方面介绍学界的成果,分别是现代收藏、与其他藏经的关联、目录、刻工、刊刻地点与相关人物、扉画与刊记、随函音义、校勘、影印本。

摘要： 一成书于春秋时期的《礼记·月令》记载:“物勒工名,以考其诚,工有不当,必行其罪,以穷其情。”①因此中国古代各种官方营造生产的器物上往往镌刻有工匠姓名,以后逐渐发展到民间也采用此种形式体现工匠的责任乃至荣誉。这在碑刻上也是如此,古代的大量碑刻上往往镌刻有刻工姓名。在中国金石学兴起的宋代,已经有学者注意到石刻刻工这一群体,但还谈不上深入研究。如欧阳修在考察《后汉熊君碑》时,注意到刻工的姓缺失了:“云‘碑师舂陵福造’,福上灭一字,当是其姓。”②清代金石学兴盛,著名金石学家叶昌炽在对宋代石刻刻工进行研究时,关注到了有些刻工的家族性,如北宋的安氏刻工家族延续了100余年。“余按北宋一朝碑版,安氏刻者为多,其最先者为安宏、安仁祚,自建隆讫徽、钦之际盖百余年,而其泽未艾也。”

摘要： 铜墨盒与刻铜墨盒在说法上有些小的区别。刻铜墨盒是指有刻工的。我们说刻铜墨盒大约产生于咸同年间,这之前有光素的未加刻工的铜墨盒早些年出现,大约是在嘉道年间。那么,是谁发明了铜墨盒呢?以前我们说起过李放,也说起过李葆恂。李放的父亲是李葆恂,李放的儿子叫李大翀。李氏一门家学渊源,都雅好收藏,对京师琉璃厂手工艺人感兴趣,有研究,并都有相关著述。李大翀也继承了家学,也是有相关著作的。并且李大翀得享长寿,(李放只活了四十几岁),在上世纪八十年代还在世(晚年生活在北京),并且有文章在报刊上发表。笔者由于疏于读书,还无缘读到李大翀的文章和著作。

摘要： 论文以武汉大学图书馆藏通志堂《读史方舆纪要》(仅刻陕西一省)为考察对象,运用文献学的方法,立足避讳、刻工、批校、修版及文献记载等五个方面,较为全面地论述了此书的版本特点,认为此书应刊于康熙十九年至二十七年(1680-1688)之间,其所据底本为顾祖禹稿本,是顾书定稿后之第一刊本.

摘要： 在清代碑学的建构中,从开始关注北碑到对北碑的渐次赏悦与推崇,在这一过程中最关键的是人们寻求到了北碑中所蕴涵着的『古法』或『篆隶笔意』,从而确立了北碑的正统地位.而清人的追本溯源,存在严重的『误读』,这体现在:以刀斧之迹论书法笔法;以工匠滞后的旧体铭石书与行业程式化、装饰性的刻风,来臆度其中的笔法之源;以没有接受文化教育及书法规范训练的工匠、平民的石刻而论源流等.本文对这一问题,进行了系统而深入地探讨论析.

摘要： 公开了量测设备和方法。在一个设置中，量测设备包括使用测量辐射照射结构并且检测由结构散射的测量辐射的光学系统。光学系统包括将被散射的测量辐射聚焦至传感器上的透镜的阵列。色散元件将在多个非重叠波长频带的每一个中的经散射的测量辐射独占地引导至透镜的阵列的不同的相应透镜上。

摘要： 本发明实施例提供一种低成本、高产量及高可靠性的无光式光刻工艺。将模板掩模接合至生产工件，且模板掩模包括定义图案的多个开口。通过多个开口对生产工件执行蚀刻，以将模板掩模的图案转移至生产工件。将模板掩模自生产工件分离。本发明也提供一种用于执行无光式光刻工艺的系统。

摘要： 公开了用于蚀刻工件的方法、被配置为蚀刻工件的装置以及非瞬态计算机可读介质。可以提供一种用于蚀刻工件的方法，所述方法可以包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；确定所述工件的厚度曲线；基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。

摘要： 本发明公开了一种增强光刻工艺能力的装置及利用该装置进行的光刻工艺，根据光刻工艺需求，调整多灰度圆环形照明光圈的相关参数，从而使得入射光线经过该多灰度圆环形照明光圈后，以符合工艺需求的曝光量照射至硅片表面，进而使得硅片表面的光刻胶形成最终图形，进一步的完成光刻工艺；本发明提供的增强光刻工艺能力的装置及利用该装置进行的光刻工艺，能够有效提高各种不同尺寸的图形的综合分辨率和工艺窗口，平衡了各种不同尺寸图形的线宽尺寸，且避免了多次曝光工艺的成本增加和产出量降低的问题，进而提高了生产效率和降低了制造成本，且提高了器件的良率。

摘要： 描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在一个示例中，对具有多个集成电路的半导体晶片进行切割的方法涉及在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层组成。接着利用主动聚焦激光束激光划刻工艺对掩模进行图案化，以提供具有间隙的图案化的掩模，从而暴露出集成电路之间的半导体晶片的区域。接着，通过图案化的掩模中的间隙对半导体晶片进行等离子体蚀刻，以对集成电路进行切单。

摘要： 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像。

摘要： 本发明提供一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及半导体光刻工艺，所述掩膜图形包括一图案，所述图案包括间隔排布的透光区和遮光区，所述图案具有由所述透光区的端部及所述遮光区的端部共同形成的边界，在所述边界处，设置有边缘透光区。采用本发明的掩膜图案可在晶圆上形成边缘光滑的图案，所述图案边缘的粗糙度低，满足设计要求，进而提高产品质量及良率。

摘要： 本发明提供一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法，所述掩膜版包括至少一图形组，每一所述图形组包括至少一透光区和至少一遮挡区，所述透光区和所述遮挡区间隔排列，经过曝光后，每一所述图形组在晶圆上形成一独立标记。本发明的优点在于，根据所述掩膜版在晶圆上形成的独立标记具有与所述掩膜版的图形轮廓形状相同的形状，不会出现图案缺陷，提高了在晶圆上形成的独立标记图形的准确度，进而提高了半导体光刻工艺的对准精度及半导体制程的后续工艺中叠对准确性，提高产品质量和良率。

摘要： 本案描述切割半导体晶片的方法。在一实例中，切割在其上具有集成电路的半导体晶片的方法包括在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层组成。接着利用多程激光划刻工艺图案化掩模以提供具有间隙的图案化掩模，所述间隙暴露在集成电路之间的半导体晶片区域，多程激光划刻工艺包括沿第一边缘划刻路径的第一程、沿中心划刻路径的第二程、沿第二边缘划刻路径的第三程、沿第二边缘划刻路径的第四程、沿中心划刻路径的第五程及沿第一边缘划刻路径的第六程。然后穿过图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻半导体晶片以单体化集成电路。

摘要： 公开了用于蚀刻工件的方法、被配置为蚀刻工件的装置以及非瞬态计算机可读介质。可以提供一种用于蚀刻工件的方法，所述方法可以包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；确定所述工件的厚度曲线；基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。