LNA
LNA的相关文献在1996年到2022年内共计248篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、生物化学
等领域,其中期刊论文128篇、会议论文3篇、专利文献117篇;相关期刊78种,包括军民两用技术与产品、硅谷、电路与系统学报等;
相关会议3种,包括中国第二十届电路与系统学术年会暨2007年港澳内地电子信息学术研讨会、陕西省物理学会2007年学术年会、全国第13届计算机辅助设计与图形学学术会议暨全国第16届计算机科学与技术应用学术会议等;LNA的相关文献由497位作者贡献,包括张杨、王巍、H·F·汉森等。
LNA
-研究学者
- 张杨
- 王巍
- H·F·汉森
- M·韦斯特加德
- Y·莫
- 乔毅
- 吕寒静
- 埃姆雷·艾兰哲
- 廖小平
- 张子强
- 朱竹先
- 梁耀
- 殷耀宏
- 王校
- 袁军
- 赵辰
- 迈尔斯·萨内
- 邱忠民
- 陈晨
- J·拉夫恩
- 刘训春
- 叶斯佩尔·文格尔
- 帕宁德拉·耶拉米利
- 段建发
- 王昆
- 许如苏
- 郝明丽
- 黄清华
- A·A·拉菲
- A·M·塔西克
- B·乔治
- B·孙
- B·汉森
- C-H·王
- C·A·斯鲁
- C·纳拉桑厄
- C·纳拉通
- C·罗森博姆
- C·罗森鲍姆
- D·海因德尔
- F·W·拉斯马森
- F·斯拉多耶维奇
- G·S·萨霍塔
- G·萨哈
- H·S·金
- J-S·高
- Jin Young Choi
- J·A·沙科赫
- J·G·桑卡拉纳拉亚南
- J·杜施梅尔
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何谟谞;
胡钧剑;
高博;
贺良进
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摘要:
通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器。采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电流结构,降低了放大器的功耗,同时降低电路噪声。输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络,具有良好的匹配性,并使用CAD软件对电路进行设计优化。电路仿真结果表明,在中心频率12 GHz下实现了增益为27.299 dB、噪声系数为0.889 dB、S11和S22均小于-10 dB的性能,工作带宽为600 MHz。此低噪声放大器作为12 GHz频段的接收机的前端设计研究,具有一定意义。
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张杨
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摘要:
射频电路中的输入级模块通常为低噪声放大器(lownoiseamplifier,LNA),由于其静电敏感性,LNA极易失效。TVS是常用的ESD防护器件,该文研究了TVS二极管对典型的LNA电路网络的性能产生的影响,并提出相应的对策,以限制TVS二极管的负载效应。该文通过实验证明了TVS会对LNA的正常工作产生较大影响,原因是匹配网络发生变化,使LNA的工作频段产生偏移。该文分析了TVS二极管的射频电路模型,并提出了2种基于TVS端口保护的改善方法,并通过实验验证了方法的有效性,对于ESD工程整改具有一定的借鉴经验。
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葛玲;
肖南;
刘文其;
孙婷婷;
王生旺;
张士刚
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摘要:
针对低温接收机的功能特点和应用需求,对工程化低温接收机电源及监控系统的研制进行了详细论述,阐述了其从系统到各功能模块的具体研制设计方法.采用模块化板卡设计,使低温接收机监控系统有很强的通用性、扩展性和兼容性.该系统目前成功应用于射电天文、国家深空观测网等多个领域的低温接收机上,性能满足需求,对保障国家射电天文观测和深空测控任务具有重要作用.
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彭彬;
邓益斌
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摘要:
锁核酸(locked nucleic acid,LNA)作为一种新颖的核苷酸衍生物在分子生物学研究领域引起了人们的广泛关注,有希望成为在分子水平上治疗各种疾病的新突破口.LNA具有极强的抗核酸酶能力、反义活性、水溶性好及体内无毒性等优秀特点而倍受人们关注.然而,LNA技术在肿瘤及抗病毒的基因诊断与治疗研究领域仍然处于探索阶段,因此,本文旨在综述近期国内外有关LNA技术在肿瘤及抗病毒的基因诊断与治疗研究领域的应用及其进展,探讨LNA技术在基因诊断与治疗研究领域的应用现状、存在的问题及前景,为进一步深入研究LNA技术在其他领域的应用提供参考.
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刘旭伟
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摘要:
5G通信网络现在已经在如火如荼地进行组网,但兵马未动,粮草先行,在这之前很长一段时间,关于5G的讨论从未停止过,而5G的核心元器件也早已成为各个芯片厂商的重要发展方向,并且5G芯片的市场会越来越大,这就造成5G芯片市场在百家争鸣的同时,也会带来越来越大的压力.只有高性能的产品才能在日益激烈的竞争中立于不败之地,因此从研发到生产芯片,再到验证及出货,每个环节都至关重要.联动科技作为国内后道封装测试的领导者,在相关测试设备研发上已有较大突破,本文基于联动科技QT-RF6G的对LNA中S参数测试功能的开发实现进行研究.
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官劲;
龚敏;
高博;
陆雨茜
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摘要:
设计了一种基于70 nm GaAs MHEMT(变形高电子迁移率晶体管)单管芯的宽带低噪声放大器(LNA),频率覆盖50 MHz到3 GHz.采用负反馈和输入输出匹配技术补偿晶体管增益随频率的滚降,以及优化稳定性和反射系数.所设计的单管芯LNA增益大约为15 dB,噪声系数约为0.77 dB左右.这种基于70 nm GaAs MHEMT单管芯的LNA电路设计具有较高的灵活性,对于工艺验证和灵活快速实现板级LNA具有重要意义.
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摘要:
目前,氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用,其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透,而且对射频/微波行业的影响越来越大,不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的应用。虽然GaN通常与功率放大器(PA)相关度很高,但它也有其他用例。自推出以来,GaN的发展历程令人瞩目,随着5G时代的到来,它可能会更加引人关注。